发光器件、发光基板和发光器件的制作方法技术

本公开提供一种发光器件、发光基板和发光器件的制作方法。所述发光器件包括至少一个发光结构；所述发光结构包括：第一半导体层；发光层；第二半导体层所述第二半导体层与所述第一半导体层的掺杂离子电性相反；阻隔结构，具有暴露所述第二半导体层的开口，所述开口在所述第一半导体层所在平面的正投影位于所述发光层在所述第一半导体层所在平面的正投影内，且所述开口在所述第一半导体层所在平面的正投影面积小于所述发光层在所述第一半导体层所在平面的正投影面积；搭接电极，所述搭接电极位于所述阻隔结构背离所述第二半导体层的一侧，所述搭接电极通过所述开口与所述第二半导体层接触。体层接触。体层接触。

【技术实现步骤摘要】
发光器件、发光基板和发光器件的制作方法


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种发光器件、发光基板和发光器件的制作方法。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light
‑
Emitting Diode，LED)显示是指将传统LED阵列化、微缩化后定址巨量转移到电路基板上，形成超小间距LED显示面板。将LED 尺寸进一步微缩到微米级，达到超高像素、超高解析率，理论上能够适应各种尺寸屏幕的技术。一般LED采用外延生长的制程，基体有蓝宝石、单晶硅和碳化硅等，相对有机发光显示和液晶显示，LED显示具有光效更高、显示效果更好、功率更低的优点，因此成为显示行业的研究热点。

技术实现思路

[0003]本公开提供一种发光器件、发光基板和发光器件的制作方法。所述发光器件，包括：至少一个发光结构；其中，所述发光结构包括：
[0004]第一半导体层；
[0005]发光层，所述发光层位于所述第一半导体层的一侧；
[0006]第二半导体层，所述第二半导体层位于所述发光层背离所述第一半导体层的一侧，所述第二半导体层与所述第一半导体层的掺杂离子电性相反；
[0007]阻隔结构，所述阻隔结构位于所述第二半导体层背离所述发光层的一侧，具有暴露所述第二半导体层的开口，所述开口在所述第一半导体层所在平面的正投影位于所述发光层在所述第一半导体层所在平面的正投影内，且所述开口在所述第一半导体层所在平面的正投影面积小于所述发光层在所述第一半导体层所在平面的正投影面积；
[0008]搭接电极，所述搭接电极位于所述阻隔结构背离所述第二半导体层的一侧，所述搭接电极通过所述开口与所述第二半导体层接触。
[0009]在一种可能的实施方式中，所述第二半导体层在所述第一半导体层所在平面的正投影与所述发光层在所述第一半导体层所在平面的正投影具有第一重合区域；
[0010]所述阻隔结构包括第三半导体层，以及位于所述第三半导体层背离所述第二半导体层一侧的钝化层，所述第三半导体层与所述第二半导体层的掺杂离子电性相反；所述第三半导体层具有暴露部分所述第二半导体层的第一子开口，所述钝化层具有暴露所述第三半导体层以及所述第一子开口的第二子开口；
[0011]所述第一子开口在所述第一半导体层所在平面的正投影面积小于所述第一重合区域在所述第一半导体层所在平面的正投影面积，所述搭接电极通过所述第三半导体层的所述第一子开口与所述第二半导体层接触。
[0012]在一种可能的实施方式中，所述第二半导体层在所述第一半导体层所在平面的正投影与所述发光层在所述第一半导体层所在平面的正投影具有第二重合区域；
[0013]所述阻隔结构包括钝化层；所述钝化层具有暴露部分所述第二半导体层的第三子
开口；
[0014]所述第三子开口在所述第一半导体层所在平面的正投影面积小于所述第二重合区域在所述第一半导体层所在平面的正投影面积，所述搭接电极通过所述钝化层的所述第三子开口与所述第二半导体层接触。
[0015]在一种可能的实施方式中，所述第二半导体层的厚度为所述第一半导体层厚度的百分之二十至百分之四十。
[0016]在一种可能的实施方式中，所述第二半导体层在所述第一半导体层所在平面的正投影位于所述发光层在所述第一半导体层所在平面的正投影内，且所述第二半导体层在所述第一半导体层所在平面的正投影面积小于所述发光层在所述第一半导体层所在平面的正投影面积；
[0017]所述阻隔结构包括钝化层；所述钝化层具有暴露至少部分所述第二半导体层的第四子开口；
[0018]所述搭接电极通过所述钝化层的所述第四子开口与所述第二半导体层接触。
[0019]在一种可能的实施方式中，所述第四子开口在所述第一半导体层所在平面的正投影与所述第二半导体层在所述第一半导体层所在平面的正投影大致互相重合。
[0020]在一种可能的实施方式中，所述第二半导体层在所述第一半导体层所在平面的正投影面积为所述发光层在所述第一半导体层所在平面的正投影面积的五分之一至五分之四。
[0021]在一种可能的实施方式中，所述发光器件包括至少两个相互串联的所述发光结构；
[0022]所述发光器件还包括位于所述搭接电极背离所述阻隔结构一侧的封装层，所述至少两个相互串联的所述发光结构通过所述封装层一体封装。
[0023]在一种可能的实施方式中，所述发光器件包括相互串联的第一发光结构和所述第二发光结构；
[0024]所述发光器件还包括位于所述阻隔结构与所述搭接电极之间的桥接电极；所述第一发光结构的所述第一半导体层和所述第二发光结构的所述搭接电极通过所述桥接电极电连接。
[0025]在一种可能的实施方式中，所述阻隔结构至少包括钝化层；
[0026]所述桥接电极的一端通过贯穿所述钝化层的过孔与所述第一发光结构的所述第一半导体层电连接，另一端与所述第二发光结构的所述搭接电极直接接触电连接。
[0027]在一种可能的实施方式中，所述发光器件还包括位于所述封装层背离所述第二半导体层一侧的连接垫层，所述连接垫层包括：与所述第一发光结构的所述搭接电极电连接的第一连接电极垫，以及与所述第二发光结构的所述第一半导体层电连接的第二连接电极垫。
[0028]在一种可能的实施方式中，所述第一发光结构的所述搭接电极包括与所述第二半导体层接触的第一接触部，第一搭接部，以及连接所述第一接触部和所述第一搭接部的第一连接部；所述第一搭接部在所述第一半导体层所在平面的正投影与所述发光层在所述第一半导体层所在平面的正投影不交叠；所述第一连接电极垫通过过孔与所述第一搭接部电连接；
[0029]所述第二发光结构的所述第一半导体层具有与所述发光层重叠的重叠部，以及由所述重叠部延伸出的延伸部，所述第二连接电极垫通过过孔与所述延伸部电连接。
[0030]在一种可能的实施方式中，所述发光器件还包括位于所述封装层与所述搭接电极之间的散热层；所述散热层在所述第一半导体层所在平面的正投影至少覆盖所述第一发光结构的所述开口在所述第一半导体层所在平面的正投影，以及所述第二发光结构的所述开口在所述第一半导体层所在平面的正投影。
[0031]在一种可能的实施方式中，所述连接垫层还包括与所述散热层导通的散热垫，所述散热垫在所述第一半导体层所在平面的正投影至少覆盖所述第一发光结构的所述接开口在所述第一半导体层所在平面的正投影，以及覆盖所述第二发光结构的所述开口在所述第一半导体层所在平面的正投影。
[0032]在一种可能的实施方式中，所述封装层具有暴露第一封装开口，以及第二封装开口；所述第一封装开口在所述第一半导体层所在平面的正投影与所述第一发光结构的所述开口在所述第一半导体层所在平面的正投影交叠，所述第一发光结构的所述开口在所述第一半导体层所在平面的正投影位于所述第一封装开口在所述第一半导体层所在平面的正投影内，所述第二封装开口在所述第一半导体层所在平面的正投影与所述第二发光结构的所述开口在所述第一半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，包括：至少一个发光结构；其中，所述发光结构包括：第一半导体层；发光层，所述发光层位于所述第一半导体层的一侧；第二半导体层，所述第二半导体层位于所述发光层背离所述第一半导体层的一侧，所述第二半导体层与所述第一半导体层的掺杂离子电性相反；阻隔结构，所述阻隔结构位于所述第二半导体层背离所述发光层的一侧，具有暴露所述第二半导体层的开口，所述开口在所述第一半导体层所在平面的正投影位于所述发光层在所述第一半导体层所在平面的正投影内，且所述开口在所述第一半导体层所在平面的正投影面积小于所述发光层在所述第一半导体层所在平面的正投影面积；搭接电极，所述搭接电极位于所述阻隔结构背离所述第二半导体层的一侧，所述搭接电极通过所述开口与所述第二半导体层接触。2.如权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二半导体层在所述第一半导体层所在平面的正投影与所述发光层在所述第一半导体层所在平面的正投影具有第一重合区域；所述阻隔结构包括第三半导体层，以及位于所述第三半导体层背离所述第二半导体层一侧的钝化层，所述第三半导体层与所述第二半导体层的掺杂离子电性相反；所述第三半导体层具有暴露部分所述第二半导体层的第一子开口，所述钝化层具有暴露所述第三半导体层以及所述第一子开口的第二子开口；所述第一子开口在所述第一半导体层所在平面的正投影面积小于所述第一重合区域在所述第一半导体层所在平面的正投影面积，所述搭接电极通过所述第三半导体层的所述第一子开口与所述第二半导体层接触。3.如权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二半导体层在所述第一半导体层所在平面的正投影与所述发光层在所述第一半导体层所在平面的正投影具有第二重合区域；所述阻隔结构包括钝化层；所述钝化层具有暴露部分所述第二半导体层的第三子开口；所述第三子开口在所述第一半导体层所在平面的正投影面积小于所述第二重合区域在所述第一半导体层所在平面的正投影面积，所述搭接电极通过所述钝化层的所述第三子开口与所述第二半导体层接触。4.如权利要求2或3所述的发光器件，其中，所述第二半导体层的厚度为所述第一半导体层厚度的百分之二十至百分之四十。5.如权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二半导体层在所述第一半导体层所在平面的正投影位于所述发光层在所述第一半导体层所在平面的正投影内，且所述第二半导体层在所述第一半导体层所在平面的正投影面积小于所述发光层在所述第一半导体层所在平面的正投影面积；所述阻隔结构包括钝化层；所述钝化层具有暴露至少部分所述第二半导体层的第四子开口；所述搭接电极通过所述钝化层的所述第四子开口与所述第二半导体层接触。6.如权利要求5所述的发光器件，其中，所述第四子开口在所述第一半导体层所在平面的正投影与所述第二半导体层在所述第一半导体层所在平面的正投影大致互相重合。7.如权利要求6所述的发光器件，其中，所述第二半导体层在所述第一半导体层所在平
面的正投影面积为所述发光层在所述第一半导体层所在平面的正投影面积的五分之一至五分之四。8.如权利要求1
‑
7任一项所述的发光器件，其中，所述发光器件包括至少两个相互串联的所述发光结构；所述发光器件还包括位于所述搭接电极背离所述阻隔结构一侧的封装层，所述至少两个相互串联的所述发光结构通过所述封装层一体封装。9.如权利要求8所述的发光器件，其中，所述发光器件包括相互串联的第一发光结构和所述第二发光结构；所述发光器件还包括位于所述阻隔结构与所述搭接电极之间的桥接电极；所述第一发光结构的所述第一半导体层和所述第二发光结构的所述搭接电极通过所述桥接电极电连接。10.如权利要求9所述的发光器件，其中，所述阻隔结构至少包括钝化层；所述桥接电极的一端通过贯穿所述钝化层的过孔与所述第一发光结构的所述第一半导体层电连接，另一端与所述第二发光结构的所述搭接电极直接接触电连接。11.如权利要求10所述的发光器件，其中，所述发光器件还包括位于所述封装层背离所述第二半导体层一侧的连接垫层，所述连接垫层包括：与所述第一发光结构的所述搭接电极电连接的第一连接电极垫，以及与所述第二发光结构的所述第一半导体层电连接的第二连接电极垫。12.如权利要求11所述的发光器件，其中，所述第一发光结构的所述搭接电极包括与所述第二半导体层接触的第一接触部，第一搭接部，以及连接所述第一接触部和所述第一搭接部的第一连接部；所述第一搭接部在所述第一半导体层所在平面的正投影与所述发光层在所述第一半导体层所在平面的正投影不交叠；所述第一连接电极垫通过过孔与所述第一搭接部电连接；所述第二发光结构的所述第一半导体层具有与所述发光层重叠的重叠部，以及由所述重叠部延伸出的延伸部，所述第二连接电极垫通过过孔与所述延伸部电连接。13.如权利要求11所述的发光器件，其中，所述发光器件还包括位于所述封装层与所述搭接电极之间的散热层；所述散热层在所述第一半导体层所在平面的正投影至少覆盖所述第一发光结构的所述开口在所述第一半导体层所在平面的正投影，以及所述第二发光结构的所述开口在所述第一半导体层所在平面的正投影。14.如权利要求13所述的发光器件，其中，所述连接垫层还包括与所述散热层导通的散热垫，所述散热垫在所述第一半导体层所在平面的正投影至少覆盖所述第一发光结构的所述接开口在所述第一半导体层所在平面的正投影，以及覆盖所述第二发光结构的所述开口在所述第一半导体层所在平面的正投影。15.如权利要求14所述的发光器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦斌，彭宽军，刘伟星，张方振，董学，彭锦涛，滕万鹏，李小龙，孙双，陈婉芝，袁广才，贾倩，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：