一种基板后处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种基板后处理装置，其包括：吸盘，用于真空吸附待处理的基板；连接座，其设置于吸盘下部，所述连接座与驱动电机的输出轴连接，以带动吸盘及其上的基板旋转；后处理模组，其设置于所述吸盘上侧，以朝向基板表面喷射清洗液；清洁组件，其设置于所述吸盘上侧，所述清洁组件包括清洁座，所述清洁座的下部设置有清洁刷，所述清洁座还包括抽吸孔道，所述抽吸孔道围绕所述清洁刷设置，以将吸盘表面的颗粒物移除至所述吸盘的外侧。盘表面的颗粒物移除至所述吸盘的外侧。盘表面的颗粒物移除至所述吸盘的外侧。

【技术实现步骤摘要】
一种基板后处理装置


[0001]本技术属于基板磨削
，具体而言，涉及一种基板后处理装置。

技术介绍

[0002]在半导体领域，基板在被分割为半导体芯片之前，通过磨削加工设备来磨削基板的背面，从而将基板减薄至预定的厚度；而基板的相反面设置有电子器件。
[0003]基板磨削加工后，基板的表面会残留大量的颗粒物，需要借助基板后处理装置清洁吸盘表面，避免颗粒物在基板后处理装置中的吸盘表面堆积。
[0004]现有的基板后处理装置中，通过基板后处理模组对吸盘表面进行清洁。由于吸盘为多孔陶瓷，其内部极易残留微小颗粒物，基板后处理模组无法对吸盘表面进行有效清洁，致使部分颗粒物残留于吸盘表面。这些残留的微小颗粒物会影响吸盘表面的平整度，降低基板表面的加工质量，甚至形成应力集中而致使基板破碎。

技术实现思路

[0005]本技术实施例提供了一种基板后处理装置，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
[0006]本技术的实施例提供了一种基板后处理装置，包括：
[0007]吸盘，用于真空吸附待处理的基板；
[0008]连接座，其设置于吸盘下部，所述连接座与驱动电机的输出轴连接，以带动吸盘及其上的基板旋转；
[0009]后处理模组，其设置于所述吸盘上侧，以朝向基板表面喷射清洗液；
[0010]清洁组件，其设置于所述吸盘上侧，所述清洁组件包括清洁座，所述清洁座的下部设置有清洁刷，所述清洁座还包括抽吸孔道，所述抽吸孔道围绕所述清洁刷设置，以将吸盘表面的颗粒物移除至所述吸盘的外侧。
[0011]在一个实施例中，所述清洁组件还包括摆臂和旋转电机；所述摆臂的一端转动连接于吸盘的外侧，其另一端连接有所述清洁座；所述旋转电机的输出轴与所述清洁刷连接，以带动清洁刷绕中轴线旋转。
[0012]在一个实施例中，所述清洁座为盘状结构，其下部设置有第一凹槽，用以安装所述清洁刷。
[0013]在一个实施例中，所述清洁座的上部设置有第二凹槽，所述抽吸孔道经由第二凹槽的底面向下延伸设置。
[0014]在一个实施例中，所述清洁座的上部设置有盖板，所述盖板与所述第二凹槽形成与抽吸孔道连通的腔室；所述盖板配置有与所述腔室连通的通气孔，所述通气孔与外部的真空源连接。
[0015]在一个实施例中，所述抽吸孔道为圆形孔，其沿竖直方向贯通所述清洁座的厚度方向设置。
[0016]在一个实施例中，所述抽吸孔道的数量为多个，其以所述清洁座的中轴线为基准均匀分布。
[0017]在一个实施例中，所述抽吸孔道沿所述清洁座的厚度方向倾斜设置，所述抽吸孔道的倾斜方向与所述吸盘的旋转方向相匹配。
[0018]在一个实施例中，所述抽吸孔道的倾斜方向与吸盘表面颗粒物的离心方向一致。
[0019]在一个实施例中，所述抽吸孔道的内侧壁设置有防护层，所述防护层由聚四氟乙烯制成。
[0020]本技术的有益效果包括：
[0021]a. 配置的清洁组件具有多个朝向下侧设置的抽吸孔道，所述抽吸孔道与外部的真空源连接，实现吸盘表面颗粒物的快速移除；
[0022]b. 抽吸孔道的内侧壁设置防护层，以防止颗粒物附着，保证抽吸孔道的通畅性，提升清洁组件的使用效果；
[0023]c. 清洁座的抽吸孔道倾斜设置，抽吸孔道的倾斜方向与吸盘表面颗粒物的离心方向一致，颗粒物能够快速进入抽吸孔道，增强清洁组件的清洁能力。
附图说明
[0024]通过结合以下附图所作的详细描述，本技术的优点将变得更清楚和更容易理解，这些附图只是示意性的，并不限制本技术的保护范围，其中：
[0025]图1是本技术一实施例提供的基板减薄设备的示意图；
[0026]图2是本技术一实施例提供的基板后处理装置的示意图；
[0027]图3是本技术一实施例提供的清洁组件的示意图；
[0028]图4是本技术一实施例提供的清洁座的示意图；
[0029]图5是图4示出的清洁座的仰视图；
[0030]图6是本技术一实施例提供的清洁组件设置于吸盘上侧的俯视图；
[0031]图7是本技术清洁座的结构示意图；
[0032]图8是本技术一实施例提供的清洁座的剖视图；
[0033]图9是图8中A处的局部放大图。
具体实施方式
[0034]下面结合具体实施例及其附图，对本技术所述技术方案进行详细说明。在此记载的实施例为本技术的特定的具体实施方式，用于说明本技术的构思；这些说明均是解释性和示例性的，不应理解为对本技术实施方式及本技术保护范围的限制。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书及其说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案。
[0035]本说明书的附图为示意图，辅助说明本技术的构思，示意性地表示各部分的形状及其相互关系。应当理解的是，为了便于清楚地表现出本技术实施例的各部件的结构，各附图之间并未按照相同的比例绘制，相同的参考标记用于表示附图中相同的部分。
[0036]在本技术中，基板(Substrate)也称晶圆(Wafer, W)，其含义和实际作用等
同。
[0037]图1是本技术一实施例提供的基板减薄设备的示意图，所述基板减薄设备包括设备前端模块1、用于对基板进行磨削的磨削模块3和用于在完成磨削之后对基板进行化学机械抛光的抛光模块2。
[0038]设备前端模块1设置在基板减薄设备的前端一侧，是实现将基板从外部搬送到设备机台内部的过渡模块，用于实现基板进出。设备前端模块1包括基板存储单元11和第一传输单元12。
[0039]基板存储单元11包括多个前开式基板传送盒（Front Opening Unified Pod，FOUP），具体地，前开式基板传送盒可以为两个、三个等。前开式基板传送盒是半导体制程中用来保护、运送并储存基板的容器。第一传输单元12包括取放片机械手和未示出的第一传输轨道，第一传输轨道沿设备前端模块1的宽度方向设置，取放片机械手的基座架设在第一传输轨道，该基座可在第一传输轨道上滑动，以实现不同位置之间的移动。
[0040]磨削模块3设置在基板减薄设备的末端，用于实现对基板的磨削，如进行粗磨削和/或精磨削。磨削模块3包括磨削单元31、第四传输单元32和清洗单元33。
[0041]抛光模块2设置在设备前端模块1和磨削模块3之间。抛光模块2包括第二传输单元21、第三传输单元22、化学机械抛光单元23。图1中，第四传输单元32配置有简易机械手，用于磨削模块3与第二传输单元21之间的基板传输。
[0042]以及基板后处理装置100，其设置于设备前端模块1与化学机械抛光单元23之间，以对基板进行清洗和/或干燥处理，获取表面洁净度符合要求的基板。
[0043]下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板后处理装置，其特征在于，包括：吸盘，用于真空吸附待处理的基板；连接座，其设置于吸盘下部，所述连接座与驱动电机的输出轴连接，以带动吸盘及其上的基板旋转；后处理模组，其设置于所述吸盘上侧，以朝向基板表面喷射清洗液；清洁组件，其设置于所述吸盘上侧，所述清洁组件包括清洁座，所述清洁座的下部设置有清洁刷，所述清洁座还包括抽吸孔道，所述抽吸孔道围绕所述清洁刷设置，以将吸盘表面的颗粒物移除至所述吸盘的外侧。2.如权利要求1所述的基板后处理装置，其特征在于，所述清洁组件还包括摆臂和旋转电机；所述摆臂的一端转动连接于吸盘的外侧，其另一端连接有所述清洁座；所述旋转电机的输出轴与所述清洁刷连接，以带动清洁刷绕中轴线旋转。3.如权利要求1所述的基板后处理装置，其特征在于，所述清洁座为盘状结构，其下部设置有第一凹槽，用以安装所述清洁刷。4.如权利要求3所述的基板后处理装置，其特征在于，所述清洁座的上部设置有第二凹槽，所述抽吸孔道经...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩晓铠，刘远航，马旭，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：新型
国别省市：