本发明专利技术公开了一种高可靠性引线框架喷砂工艺及其产品，该工艺包括以下步骤：将引线框架进行前处理，然后将处理后的引线框架进行喷砂处理，最后进行常规的铜面保护处理和银面保护处理。本发明专利技术提供的高可靠性引线框架喷砂工艺中，通过对引线框进行电粗铜和镀银等工序处理后，再通过喷砂对其框架铜面和银面进行处理，使铜面、银面具有合适的粗糙度，增大了封装过程中塑封料与铜面和银面的结合力，降低了打线报警率，增强了打线的可靠性，提高了客户打线效率，集成电路封装后不易分层，从而提高了封装后集成电路的可靠性；经过多次的生产线验证，集成电路封装后可以100％通过一级可靠性测试，能够满足高可靠性集成电路的生产要求。能够满足高可靠性集成电路的生产要求。能够满足高可靠性集成电路的生产要求。
【技术实现步骤摘要】
一种高可靠性引线框架喷砂工艺及其产品
[0001]本专利技术属于集成电路封装
，具体涉及一种高可靠性引线框架喷砂工艺及其产品。
技术介绍
[0002]长期以来，对于塑封体较大的集成电路，如SSOP系列、LQFP系列、QFP系列等，其塑胶的结合面与整个塑封体结合面的比例即封装比较大，使用普通的引线框架封装后结合较牢固，可以通过一级可靠性(MSL1)测试，不易在加工和使用过程中产生分层，封装后集成电路的使用寿命可以得到保证。
[0003]随着电路集成化程度越来越高，集成电路的体积越来越小，如SOP系列、DFN系列及QFN系列等，封装比明显减小，相当于原来塑封体的1/3
‑
1/4，使用普通的引线框架已经无法满足高可靠性集成电路的生产要求。而目前市场上使用的高可靠性引线框架，其加工工艺仅对引线框架的铜面进行了处理，封装后集成电路的一级可靠性仍不稳定，客户使用后反馈打线报警率偏高，稳定性差。为此，本申请研发了一种新型的高可靠性引线框架喷砂工艺。
技术实现思路
[0004]为解决现有技术中存在的技术问题，本专利技术的目的在于提供一种高可靠性引线框架喷砂工艺及其产品。
[0005]为实现上述目的，达到上述技术效果，本专利技术采用的技术方案为：
[0006]一种高可靠性引线框架喷砂工艺，包括以下步骤：首先将引线框架进行前处理，然后将处理后的引线框架进行喷砂处理，最后进行铜面保护处理和银面保护处理。
[0007]进一步的，所述前处理包括对引线框架依次进行除油、中和、镀铜、电粗铜、压膜、曝光、显影、预镀银、镀银、褪膜、退银、二次压膜、二次曝光、二次显影、蚀刻和二次褪膜处理。
[0008]进一步的，所述前处理过程中通过电粗铜药水腐蚀及氧化引线框架，使引线框架表面形成棕色氧化层，同时使引线框架表面获得一定的清洁度和粗糙度，所述前处理过程中电粗铜药水温度为30～50℃，正向电流密度控制在8～15ASD，脉宽为10～20ms，反向电流密度控制在20～40ASD，脉宽为4～15ms。
[0009]进一步的，所述电粗铜药水包括以下五种试剂，分别为：CuSO4、H2SO4、HCL、PPR
‑
HCarrier、PPR Additive，所述五种试剂的添加顺序为：CuSO4→
H2SO4→
HCL
→
PPR
‑
H Carrier
→
PPR Additive。
[0010]进一步的，所述CuSO4的浓度控制范围为400～600mL/L；所述H2SO4的浓度控制范围为80～150mL/L；所述HCL的浓度控制范围为0.5～2mL/L；所述PPR
‑
H Carrier的浓度控制范围为10～30mL/L；所述PPR Additive的浓度控制范围为2～10mL/L。
[0011]进一步的，所述前处理过程中镀银工序使用的试剂为Silverjet SB，浓度为5～
10ml/L，温度控制在25～40℃，电流为10～200A。
[0012]进一步的，所述喷砂处理为通过喷砂试剂进行喷洗，使引线框架表面获得一定的清洁度和粗糙度。
[0013]进一步的，所述喷砂温度20～40℃，喷砂深度为0.1～0.5μm，喷砂压力为10～30PSI。
[0014]进一步的，所述喷砂试剂采用白钢玉砂，白钢玉砂的浓度为每100毫升8～15ml。
[0015]本专利技术还公开了一种高可靠性引线框架，采用如上所述的一种高可靠性引线框架喷砂工艺制备得到，所述引线框架经过前处理过程中镀银工序使用的试剂为Silverjet SB，能提高镀银层的结合力使银层结晶更加细致。
[0016]与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
[0017]本专利技术公开了一种高可靠性引线框架喷砂工艺及其产品，该工艺中，先将引线框架进行前处理，前处理包括对引线框架依次进行除油、中和、镀铜、电粗铜、压膜、曝光、显影、预镀银、镀银、褪膜、退银、二次压膜、二次曝光、二次显影、蚀刻和二次褪膜处理，通过对引线框进行电粗铜和镀银等工序处理后，再通过喷砂对其框架铜面和银面进行处理，使铜面、银面具有合适的粗糙度，增大了封装过程中塑封料与铜面和银面的结合力，降低了打线报警率，增强了打线的可靠性，提高了客户打线效率，集成电路封装后不易分层，从而提高了封装后集成电路的可靠性；本专利技术采用Silverjet SB进行银面处理，能够使打线报警率更低，提高可靠性；经过多次的生产线验证，集成电路封装后可以100％通过一级可靠性测试，能够满足高可靠性集成电路的生产要求。
附图说明
[0018]图1为本专利技术的流程图；
[0019]图2为本专利技术实施例1的一种高可靠性引线框架喷砂工艺进行进行铜面处理前后引线框架的电镜图：图2a为进行铜面处理前的引线框架的电镜图，图2b为进行铜面处理后的引线框架的电镜图；
[0020]图3为本专利技术实施例1的一种高可靠性引线框架喷砂工艺进行银面处理前后引线框架的电镜图：图3a为进行银面处理前的引线框架的电镜图，图3b为进行银面处理后的引线框架的电镜图；
[0021]图4为本专利技术实施例1的芯片推力曲线图；
[0022]图5为本专利技术实施例1的QFN(0404)028(110x110)
‑
1B引线框架未过喷砂的镜像图；
[0023]图6为本专利技术实施例1的QFN(0404)028(110x110)
‑
1B引线框架过喷砂后的镜像图；
[0024]图7为本专利技术实施例1的打线报警率示意图；
[0025]图8为本专利技术实施例1的一级可靠性实验前后QFN(0404)028(110x110)
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1B引线框架示意图；图8a为一级可靠性实验前QFN(0404)028(110x110)
‑
1B引线框架示意图，图8b为一级可靠性实验后QFN(0404)028(110x110)
‑
1B引线框架示意图。
具体实施方式
[0026]下面对本专利技术进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。
[0027]以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之序。
[0028]如图1
‑
8所示，一种高可靠性引线框架喷砂工艺，能够通过一级可靠性测试，该工艺包括以下步骤：
[0029]首先将引线框架进行前处理，该前处理包括将引线框架进行常规的除油、中和、镀铜、电粗铜、压膜、曝光、显影、预镀银、镀银、褪膜、退银、二次压膜、二次曝光、二次显影、蚀刻和二次褪膜处理；然后将处理后的引线框架进行本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高可靠性引线框架喷砂工艺，其特征在于，包括以下步骤：首先将引线框架进行前处理，然后将处理后的引线框架进行喷砂处理，最后进行铜面保护处理和银面保护处理。2.根据权利要求1所述的一种高可靠性引线框架喷砂工艺，其特征在于，所述前处理包括对引线框架依次进行除油、中和、镀铜、电粗铜、压膜、曝光、显影、预镀银、镀银、褪膜、退银、二次压膜、二次曝光、二次显影、蚀刻和二次褪膜处理。3.根据权利要求2所述的一种高可靠性引线框架喷砂工艺，其特征在于，所述前处理过程中通过电粗铜药水腐蚀及氧化引线框架，使引线框架表面形成棕色氧化层，同时使引线框架表面获得一定的清洁度和粗糙度，所述前处理过程中电粗铜药水温度为30～50℃，正向电流密度控制在8～15ASD，脉宽为10～20ms，反向电流密度控制在20～40ASD，脉宽为4～15ms。4.根据权利要求3所述的一种高可靠性引线框架喷砂工艺，其特征在于，所述电粗铜药水包括以下五种试剂，分别为：CuSO4、H2SO4、HCL、PPR
‑
H Carrier、PPR Additive，所述五种试剂的添加顺序为：CuSO4→
H2SO4→
HCL
→
PPR
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H Carrier
→
PPR Additive。5.根据权利要求4所述的一种高可靠性引线框架喷...
【专利技术属性】
技术研发人员：阮亮，齐红敏，田红军，王顺涛，王永辉，
申请(专利权)人：华天科技宝鸡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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