一种高对比度的LED器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种高对比度的LED器件，其中，包括LED芯片和LED支架，LED支架上具有至少一个安装部；安装部包括反光区和非反光区，LED芯片固定安装在反光区内，非反光区上覆盖有黑色固化层；LED芯片为正装结构的LED芯片且LED芯片通过封装胶体进行封装。其有益效果是，提高了LED芯片的发光效率，且采用正装结构的LED芯片，生产成本低。本发明专利技术还涉及一种高对比度的LED器件的制造方法，其有益效果为，操作简单，通过较低的成本就可以兼顾LED器件的高对比度和亮度。本发明专利技术还涉及另一种高对比度的LED器件的制造方法，其有益效果为，对非反光区覆盖的准确度更高，操作也简单，且成本低。且成本低。且成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种高对比度的LED器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及LED器件
，尤其涉及一种高对比度的LED器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]对比度是指一幅图像中明暗区域最亮的白和最暗的黑之间不同亮度层级的差异，差异范围越大代表对比度越高，差异范围越小代表对比度越低。更准确的说，对比度是指屏幕上同一点最亮时(白色)与最暗时(黑色)的亮度的比值，不过通常LED(Light Emitting Diode，发光二极管)产品的对比度指标是就整个屏幕而言的。
[0003]目前，LED显示市场对显示效果的要求越来越高，高对比度的产品可以显著提升显示屏的HDR(高动态范围成像)效果。目前高对比度的产品采用的方案主要为两种：方案1、正装结构的LED采用的封装胶体内添加一定比例的黑色素；方案2、采用倒装结构的LED芯片，去掉焊线工序，减少金属焊盘的可视面积。
[0004]但是，目前的这两种方案均存在一些问题：方案1中，封装胶体中添加黑色素，会导致封装胶体的光线透过率变低，从而对出光的亮度影响很大，无法射出的光线最后会转换成热量，导致LED屏体温度上升。方案2中采用倒装芯片，但倒装结构的LED芯片良品率较低，尤其是红光芯片，良品率只有60％
‑
70％，从而导致成本居高不下。
[0005]故亟需一种发光效率高以及成本低的高对比度的LED器件及其制造方法。

技术实现思路

[0006](一)要解决的技术问题
[0007]鉴于现有技术的上述缺点、不足，本专利技术提供一种高对比度的LED器件及其制造方法，其解决了现有技术发光效率低以及成本高的技术问题。
[0008](二)技术方案
[0009]为了达到上述目的，本专利技术采用的主要技术方案包括：
[0010]第一方面，本专利技术提供一种高对比度的LED器件，包括LED芯片和LED支架，LED支架上具有至少一个安装部。安装部包括反光区和非反光区，LED芯片固定安装在反光区内，非反光区上覆盖有黑色固化层。LED芯片为正装结构的LED芯片且LED芯片通过透明的封装胶体进行封装。
[0011]可选地，黑色固化层由不透光的黑色物质沉积固化形成或由碳粉与固化剂的混合物喷涂后固化形成。
[0012]可选地，碳粉与固化剂的混合物中碳粉所占比例为0.1％～5％。
[0013]可选地，黑色固化层的厚度为20～50μm。
[0014]可选地，封装胶体中混合有散光颗粒，封装胶体中混合的散光颗粒所占比例为30％以上。
[0015]可选地，LED芯片包括R芯片、G芯片和B芯片。
[0016]可选地，LED支架为SMD支架或基板支架。
[0017]第二方面，本专利技术提供一种上述高对比度的LED器件的制造方法，包括步骤：
[0018]S1、获得已经固晶焊线后的LED支架，将调配好的黑色涂料喷涂在LED支架的安装部的非反光区上形成黑色涂层。其中，黑色涂料为固化剂和碳粉的混合物，混合物中碳粉所占比例为0.1％～5％。
[0019]S2、对喷涂的黑色涂层进行固化处理，形成黑色固化层。其中，黑色固化层的厚度为20～50μm。
[0020]S3、对黑色固化层通过AOI进行检验，若某一安装部上的黑色固化层3对非反光区覆盖度小于90％，则将该安装部标记为不良，对标记不良的安装部的非反光区进行二次喷涂和固化，再通过AOI进行检验；直至黑色固化层3对非反光区的覆盖度大于90％。
[0021]S4、检验合格后，采用封装胶体对LED支架上的LED芯片进行封装处理，得到LED器件；其中，采用的封装胶体混合有散光颗粒，散光颗粒所占比例为30％以上。
[0022]第三方面，本专利技术提供另一种上述高对比度的LED器件的制造方法，包括步骤：
[0023]S1、获得已经固晶焊线后的LED支架，将LED支架上安装部的反光区进行遮挡，然后通过镀膜工艺将不透光的黑色物质沉积在安装部的非反光区上形成黑色沉积层。
[0024]S2、对沉积形成的黑色沉积层进行固化处理，形成黑色固化层。其中，黑色固化层的厚度为20～50μm。
[0025]S3、对黑色固化层通过AOI进行检验，若某一安装部上的黑色固化层3对非反光区覆盖度小于90％，则将该安装部标记为不良，对标记不良的安装部的非反光区进行二次喷涂和固化，再通过AOI进行检验；直至黑色固化层3对非反光区的覆盖度大于90％。
[0026]S4、检验合格后，采用封装胶体对LED支架上的LED芯片进行封装处理，得到LED器件；其中，采用的封装胶体混合有散光颗粒，散光颗粒所占比例为30％以上。
[0027](三)有益效果
[0028]本专利技术的有益效果是：
[0029]本专利技术提供的一种高对比度的LED器件，通过在LED支架安装部的非反光区上覆盖黑色固化层，减少非反光区的可视面积，进而提高LED器件的对比度。不用在封装胶体中加入黑色素来提高对比度，既不会影响LED芯片的发光亮度，又不会降低封装胶体的透光率，相比于现有技术，提高了LED芯片的发光效率，且采用正装结构的LED芯片，生产成本低。
[0030]本专利技术提供的一种高对比度的LED器件的制造方法，通过在已固晶焊线的LED支架上喷涂预先调配好的黑色涂料，再将黑色涂层通过固化形成黑色固化层，再通过AOI对黑色沉积层进行检验，确保黑色沉积层对非反光区覆盖度达到90％以上。该制造方法工艺简单，通过较低的成本就可以兼顾LED器件的高对比度和亮度。
[0031]本专利技术提供的另一种高对比度的LED器件的制造方法，在已固晶焊线的LED支架上通过区域选择性镀膜工艺，在安装部的非反光区沉积形成黑色沉积层，在将黑色沉积层通过固化形成黑色固化层，可以更加精准的对安装部内的非反光层进行覆盖，再通过AOI对黑色沉积层进行检验，确保黑色沉积层对非反光区覆盖度达到90％以上。该制造方法对非反光区覆盖的准确度更高，操作也简单，且成本低。
附图说明
[0032]图1为本专利技术的实施例1中的TOP型LED器件的俯视示意图；
[0033]图2为本专利技术的实施例1中的TOP型LED器件的截面示意图；
[0034]图3为本专利技术的实施例1中的CHIP型LED器件的俯视示意图；
[0035]图4为本专利技术的实施例1中的CHIP型LED器件的安装部的俯视示意图；
[0036]图5为本专利技术的实施例1中的CHIP型LED器件的安装部的截面示意图；
[0037]图6为现有技术中的TOP型LED器件的截面示意图；
[0038]图7为现有技术中的CHIP型LED器件的安装部的截面示意图。
[0039]【附图标记说明】
[0040]1：PLCC支架；2：LED芯片；21：R芯片；22：G芯片；23：B芯片；3：黑色固化层；4：PCB板。
具体实施方式
[0041]为了更好的理解上述技术方案，下面将参照附图更详细地描述本专利技术的示例性实施例。虽然附图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高对比度的LED器件，其特征在于，包括LED芯片(2)和LED支架，LED支架上具有至少一个安装部；安装部包括反光区和非反光区，LED芯片(2)固定安装在反光区内，非反光区上覆盖有黑色固化层(3)；LED芯片(2)为正装结构的LED芯片(2)且LED芯片(2)通过可透光的封装胶体进行封装。2.如权利要求1所述的高对比度的LED器件，其特征在于，黑色固化层(3)由不透光的黑色物质沉积固化形成或由碳粉与固化剂的混合物喷涂后固化形成。3.如权利要求2所述的高对比度的LED器件，其特征在于，碳粉与固化剂的混合物中碳粉所占比例为0.1％～5％。4.如权利要求3所述的高对比度的LED器件，其特征在于，黑色固化层(3)的厚度为20～50μm。5.如权利要求4所述的高对比度的LED器件，其特征在于，封装胶体中混合有散光颗粒，封装胶体中混合的散光颗粒所占比例为30％以上。6.如权利要求5所述的高对比度的LED器件，其特征在于，LED芯片(2)包括R芯片(21)、G芯片(22)和B芯片(23)。7.如权利要求6所述的高对比度的LED器件，其特征在于，LED支架为SMD支架或基板支架。8.一种如权利要求7所述的高对比度的LED器件的制作方法，其特征在于，包括步骤：S1、获得已经固晶焊线后的LED支架，将调配好的黑色涂料喷涂在LED支架的安装部的非反光区上形成黑色涂层；其中，黑色涂料为固化剂和碳粉的混合物，混合物中碳粉所占比例为0.1％～5％；S...

【专利技术属性】
技术研发人员：张汉春，邵铁风，王明臣，
申请(专利权)人：浙江德合光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：