防溢硅涂料、涂层及单晶炉制造技术

本发明专利技术公开了一种防溢硅涂料、涂层及单晶炉，涉及单晶炉技术领域。该防溢硅涂料按重量包括：100份的保护组分和200份的有机溶剂；保护组分溶于有机溶剂中；其中，保护组分包括：40

【技术实现步骤摘要】
防溢硅涂料、涂层及单晶炉


[0001]本专利技术涉及单晶炉
，更具体地，涉及一种防溢硅涂料、涂层及单晶炉。

技术介绍

[0002]单晶炉是一种将原硅料加工成单晶硅棒的设备。运行时，将原硅料放入石英埚内，开启加热器，原硅料加热为液体后，慢慢将硅液冷却并稳定到快要结晶的温度，使用旋转的籽晶慢慢将硅液拉成为单晶硅棒。
[0003]在使用直拉法单晶拉制中，若人为操作出现失误或者石英锅存在质量问题，会导致硅液溢流。漏出的硅液流至单晶炉的炉底，会损伤炉底，进一步扩大损失，增加制造成本。
[0004]现有技术中，采用陶瓷护盘放置于石英埚底部，防止硅液溢流损伤炉底。但是陶瓷护盘不仅会影响单晶炉内的热场。并且，会造成石英埚的放置位置增高，增加了单晶硅的含氧量，不利于生产制造。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术提供了一种防溢硅涂料，能够在接触到溢流的硅液时生成致密的保护层，防止硅液损伤装置。
[0006]第一方面，本专利技术提供一种防溢硅涂料，按重量包括：
[0007]100份的保护组分和200份的有机溶剂；所述保护组分溶于所述有机溶剂中；
[0008]其中，所述保护组分包括：
[0009]40
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50份的碳化硅粉、5
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15份的硅粉、25
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35份的树脂和5
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10份的固化剂。
[0010]在一种可能的实施方式中，所述碳化硅粉的占比为50份。
[0011]在一种可能的实施方式中，所述硅粉的占比为10份。
[0012]在一种可能的实施方式中，所述有机溶剂包括醇类有机溶剂，或，苯类有机溶剂。
[0013]第二方面，本专利技术提供一种防溢硅涂层，所述防溢硅涂层由如权利要求1
‑
4任一项所述的防溢硅涂料干燥而成。
[0014]在一种可能的实施方式中，所述防溢硅涂层的厚度为100
‑
150微米。
[0015]在一种可能的实施方式中，所述防溢硅涂层的的覆盖面积不小于2平方米。
[0016]第三方面，本专利技术提供一种单晶炉，所述单晶炉腔体的内部涂覆有如第一方面任一种可能的实施方式中的防溢硅涂料。
[0017]在一种可能的实施方式中，所述单晶炉腔体的底部涂覆有所述防溢硅涂料。
[0018]在一种可能的实施方式中，所述单晶炉腔体的侧壁涂覆有所述防溢硅涂料，所述单晶炉腔体的侧壁涂覆的所述防溢硅涂料由所述单晶炉腔体的底部向上延伸，且高度不小于所述单晶炉腔体高度的1/2。
[0019]与现有技术相比，本专利技术提供的太阳能电池，至少实现了如下的有益效果：
[0020]本专利技术实施例所提供的防溢硅涂料包括有机溶剂和溶于有机溶剂的保护组分，其中，保护组分包括40
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50份的碳化硅粉、5
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15份的硅粉、25
‑
35 份的树脂和5
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10份的固化剂。
在设备发生溢硅时，溢流的硅液与涂料接触，并与其中的碳化硅粉反应，生成致密的保护层防止硅液损伤设备。与此同时，树脂在高温条件下，在固化剂作用下发生固化反应，进一步生成保护层。硅粉能够降低树脂产生固化反应时的放热峰值温度，从而消除固化物的内应力，防止保护层开裂。并且，硅液与防溢硅涂层的反应过程为吸热反应，能够降低硅液的温度，使其结晶，也能够防止损伤设备。
[0021]当然，实施本专利技术的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
具体实施方式
[0022]现在将详细描述本专利技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本专利技术的范围。
[0023]以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本专利技术及其应用或使用的任何限制。
[0024]对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
[0025]在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
[0026]现有技术中，采用陶瓷护盘放置于石英埚底部，防止硅液溢流损伤炉底。但是陶瓷护盘不仅会影响单晶炉内的热场。并且，会造成石英埚的放置位置增高，增加了单晶硅的含氧量，不利于生产制造。
[0027]为解决相关技术中存在的上述问题，本专利技术实施例提供一种防溢硅涂料，能够在接触到溢流的硅液时生成致密的保护层，防止硅液损伤装置。
[0028]本专利技术实施例提供一种防溢硅涂料，见表1所示，按重量包括：
[0029]100份的保护组分和200份的有机溶剂；保护组分溶于有机溶剂中。防溢硅涂料涂覆在装置需要保护的位置，待防溢硅涂料风干后安装装置的其他部件。
[0030]表1防溢硅涂料的配比表
[0031]组分占比保护组分100份有机溶剂200份
[0032]其中，见表2所示，保护组分按重量包括：
[0033]40
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50份的碳化硅粉、5
‑
15份的硅粉、25
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35份的树脂和5
‑
10份的固化剂。
[0034]表2保护组分的配比表
[0035]组分占比碳化硅粉40
‑
50份硅粉5
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15份树脂25
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35份固化剂5
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10份
[0036]可以理解的是，防溢硅涂料包括保护组分和有机溶剂，在需要对装置进行涂覆时，将保护组分与有机溶剂按照重量1∶2进行配比。保护组分溶于有机溶剂中能够增加保护组分的流动性，方便对装置的表面进行涂刷。
[0037]进一步地，保护组分包括40
‑
50份的碳化硅粉。碳化硅粉中的晶体结构为α
‑
SiC。碳化硅粉与溢流出的高温的硅液接触能够生成β
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SiC。与此同时，硅液中的游离的Si能够填充α
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SiC和β
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SiC中的气孔，形成高致密性的陶瓷材料，防止硅液继续损害装置。并且，该反应为吸热反应，能够大量吸收溢流的硅液的热量，使硅液结晶，形成保护层。
[0038]具体地，碳化硅粉的占比可以是40
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45份、45
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50份、42份、47份等。
[0039]保护组分还包括25
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35份的树脂和5
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10份的固化剂，树脂在固化剂的作用下能在高温时会产生固化反应，配合上述碳化硅粉与硅液的反应生成致密的硬质材料。
[0040]具体地，树脂的占比可以是25
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30份、30
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35份、27份、47份等；固化剂的占比可以是5
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防溢硅涂料，其特征在于，所述防溢硅涂料按重量包括：100份的保护组分和200份的有机溶剂；所述保护组分溶于所述有机溶剂中；其中，所述保护组分包括：40
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50份的碳化硅粉、5
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15份的硅粉、25
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35份的树脂和5
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10份的固化剂。2.根据权利要求1所述的防溢硅涂料，其特征在于，所述碳化硅粉的占比为50份。3.根据权利要求1所述的防溢硅涂料，其特征在于，所述硅粉的占比为10份。4.根据权利要求1所述的防溢硅涂料，其特征在于，所述有机溶剂包括醇类有机溶剂，或，苯类有机溶剂。5.一种防溢硅涂层，其特征在于，所述防溢硅涂层由如权利要求1
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【专利技术属性】
技术研发人员：杨宇昂，向鹏，熊波，
申请(专利权)人：四川晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：