图像拾取装置和图像拾取系统制造方法及图纸

本发明专利技术的图像拾取装置包括：设置在半导体衬底上的多个光电转换元件；设置在半导体衬底上的包括多个层间绝缘膜的多层布线结构；设置在该多层布线结构上的钝化层。在钝化层的下表面之下设置了第一绝缘层；在钝化层的上表面之上设置了第二绝缘层；钝化层和第一绝缘层的折射率互不相同，钝化层和第二绝缘层的折射率互不相同。此外，对层间绝缘膜和第一绝缘层中的至少一层进行了平面化处理。另外，在钝化层和第一绝缘层之间设置了第一防反射膜；在钝化层和第二绝缘层之间设置了第二防反射膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种图像拾取装置和图像拾取系统，更为具体地涉及数码相机、摄像机、复印机和传真机。
技术介绍
在数码相机、摄像机、复印机和传真机上安装有很多图像拾取装置。这些图像拾取装置分别具有以一维或二维方式布置的像素，每个像素包括光电转换元件。使用CCD图像传感器和CMOS图像传感器作为上述图像拾取装置。CMOS图像传感器是放大型的图像拾取装置。近年来需求一种具有很多像素并形成在小芯片中的图像拾取装置，也在积极促进导出诸如作为代表性例子的动态随机存取存储器(DRAM)的精细布线规则的半导体技术。例如，所导出的半导体技术如下所述。在CMOS图像传感器中至少使用两个布线层。采用平面化技术——其代表性例子即化学机械抛光(CMP)——来使多个布线层布置得精细。例如，日本专利申请公开2001-284566讨论了使用CMP方法作为CMOS图像传感器的层间绝缘膜的平面化处理的例子。该专利公开还讨论了这样一种结构，其中光屏蔽膜形成在表面已被平面化的层间绝缘膜上，并且设置钝化膜以覆盖该光屏蔽膜。此外，不仅半导体技术可用于这种小型化，光学技术也与该图像拾取装置密切相关，而且还需要各种考虑。例如，日本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像拾取装置，包括：设置在半导体衬底上的多个光电转换元件；设置在该半导体衬底上的包括多个层间绝缘膜的多层布线结构；设置在该多层布线结构上的钝化层；设置在钝化层之下且具有与钝化层的折射率不同的折射率的第一绝缘层；以及设置在钝化层之上且具有与钝化层的折射率不同的折射率的第二绝缘层，其中对所述多个层间绝缘膜中的至少一层或第一绝缘层进行了平面化处理；在钝化层和第一绝缘层之间设置了第一防反射膜；在钝化层和第二绝缘层之间设置了第二防反射膜；并且第一绝缘层、第一防反射膜、钝化层、第二防反射膜、第二绝缘层按此顺序层叠。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：冲田彰，樋山拓己，三岛隆一，浦朝子，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]