用于激光辅助接合的关注区定位制造技术

本公开涉及用于激光辅助接合的关注区定位。通过提供半导体管芯而形成半导体器件。激光辅助接合（LAB）组件设置在半导体管芯上。LAB组件包括红外（IR）相机。IR相机用于捕获半导体管芯的图像。对图像执行图像处理以标识半导体管芯的拐角。在图像中相对于半导体管芯的拐角标识关注区（ROI）。参数可以用来控制ROI的尺寸和ROI相对于相应拐角的位置。在执行LAB时，使用IR相机针对温度来监测ROI。用IR相机针对温度来监测ROI。用IR相机针对温度来监测ROI。

【技术实现步骤摘要】
用于激光辅助接合的关注区定位


[0001]本专利技术一般涉及半导体器件，并且更特别地涉及用于在激光辅助接合期间定位关注区的方法和器件。

技术介绍

[0002]半导体器件通常在现代电子产品中找到。半导体器件执行各种各样的功能，例如信号处理、高速计算、发射和接收电磁信号、控制电子器件、将太阳光转换成电、以及为电视显示器产生视觉图像。半导体器件在通信、功率转换、网络、计算机、娱乐和消费产品的领域中找到。半导体器件也在军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公设备中找到。
[0003]半导体制造的一个目标是生产较小的半导体器件。较小的器件通常消耗较少的功率，具有较高的性能，并且可以更高效地生产。此外，较小的半导体器件具有较小的占用区域（footprint），这对于较小的最终产品是期望的。通过前端工艺中的改进，可以实现较小的半导体管芯尺寸，从而产生具有较小、较高密度的有源和无源元器件的半导体管芯。后端工艺可以通过在电互连和封装材料中的改进而产生具有较小占用区域的半导体器件封装。
[0004]当半导体器件在尺寸方面减小时，制造工艺的许多方面变得本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：提供半导体管芯；在所述半导体管芯上设置包括红外（IR）相机的激光辅助接合（LAB）组件；使用所述IR相机捕获所述半导体管芯的图像；对所述图像执行图像处理以标识所述半导体管芯的拐角；以及相对于所述半导体管芯的所述拐角标识所述图像中的关注区（ROI）。2.根据权利要求1所述的方法，还包括使用所述ROI距所述半导体管芯的相应拐角的距离的输入参数来标识所述ROI。3.根据权利要求2所述的方法，还包括使用所述ROI的尺寸的输入参数来标识所述ROI。4.根据权利要求1所述的方法，还包括：提供多个半导体管芯；在每个半导体管芯上移动LAB组件以个别地执行激光辅助接合；以及在将所述LAB组件移动到相应半导体管芯之后自动标识每个半导体管芯的ROI。5.根据权利要求1所述的方法，还包括在用所述LAB组件执行激光辅助接合时使用所述IR相机监测所述ROI的温度。6.根据权利要求1所述的方法，其中，执行图像处理包括二值化。7.一种制造半导体器件的方法，包括：提供半导体管芯；捕获所述半导体管芯的图像；标识所...

【专利技术属性】
技术研发人员：W，
申请(专利权)人：星科金朋私人有限公司，
类型：发明
国别省市：