一种射频滤波器件及其封装方法技术

本申请公开了一种射频滤波器件及其封装方法，该器件包括外引电极和由下至上层叠的第一键合滤波器和第二键合滤波器；第一键合滤波器包括第一基体、位于第一基体上表面的第一支撑电极、位于第一支撑电极上表面的第一键合电极；第二键合滤波器包括第二基体、位于第二基体下表面的第二键合电极，第二键合电极具有凹部；第一键合电极的横截面尺寸小于第一支撑电极的横截面尺寸且小于凹部的尺寸，第一键合电极通过凹部与第二键合电极键合；外引电极通过位于第二基体中的通孔与第二键合电极、第一键合电极、第二基体中的辅助键合电极电连接，以使外引电极与第一键合滤波器电连接。本申请可以降低射频滤波器件封装成本，提高生产效率和集成度。集成度。集成度。

【技术实现步骤摘要】
一种射频滤波器件及其封装方法


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种射频滤波器件及其封装方法。

技术介绍

[0002]随着电子设备工作频率的迅速提高，电磁干扰的频率也越来越高，这些干扰频率很高的干扰信号导致辐射干扰的问题日益严重，射频滤波器件能对辐射干扰的高频信号产生较大的衰减，因此，射频滤波器件广泛应用在何种电子设备中，尤其是消费电子产品。
[0003]对于包括多芯片的射频滤波器件，目前在封装时一般先将单颗芯片各自单独封装后，再通过扇出型等封装方式将各自封装后的芯片再次封装，从而实现多芯片集成。由于需要进行多次封装，不仅导致封装成本高，而且使得封装周期较长、生产效率低；并且，现有的封装平面尺寸较大，使得射频滤波器件集成度较低。
[0004]因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。

技术实现思路

[0005]本申请的目的是提供一种射频滤波器件及其封装方法，以降低封装成本，提高生产效率和器件的集成度。
[0006]为解决上述技术问题，本申请提供一种射频滤波器件，包括：外引电极和由下至上层叠的第一键合滤波器和第二键合滤波器；
[0007]所述第一键合滤波器包括第一基体、位于所述第一基体上表面的第一支撑电极、位于所述第一支撑电极上表面的第一键合电极；所述第二键合滤波器包括第二基体、位于所述第二基体下表面的第二键合电极，所述第二键合电极具有凹部；
[0008]所述第一键合电极的横截面尺寸小于所述第一支撑电极的横截面尺寸且小于所述凹部的尺寸，所述第一键合电极通过所述凹部与所述第二键合电极键合；
[0009]所述外引电极通过位于所述第二基体中的通孔与所述第二键合电极、所述第一键合电极、所述第二基体中的辅助键合电极电连接，以使所述外引电极与所述第一键合滤波器电连接。
[0010]可选的，当所述第一键合电极与所述第二键合电极采用共熔键合方式键合时，还包括：
[0011]位于所述第二键合电极外侧的限制电极；
[0012]相应的，所述第二键合电极包括由下至上叠加的且分别具有凹部的第一键合子电极和第二键合子电极，且所述第一键合子电极和所述第二键合子电极材料不同。
[0013]可选的，所述限制电极位于所述第二键合电极的四周。
[0014]可选的，所述第一键合子电极的厚度大于2微米。
[0015]可选的，所述第二键合子电极的厚度大于5微米。
[0016]可选的，所述第一键合电极与所述第二键合电极采用热压键合方式键合。
[0017]可选的，所述第二键合滤波器的数量为多个，且多个所述第二键合滤波器依次层
叠。
[0018]本申请还提供一种射频滤波器件封装方法，包括：
[0019]获取第一基体，并在所述第一基体的上表面制作第一支撑电极；
[0020]在所述第一支撑电极的上表面制作第一键合电极；所述第一键合电极的横截面尺寸小于所述第一支撑电极的横截面尺寸；
[0021]获取第二基体，并在所述第二基体的下表面制作具有凹部的第二键合电极；所述凹部的尺寸大于所述第一键合电极的横截面尺寸；
[0022]将所述第一键合电极和所述第二键合电极进行键合，得到键合后器件；
[0023]减薄所述第二基体，并在所述第二基体对应辅助键合电极的位置制作通孔；
[0024]在所述通孔中制备外引电极，以使所述外引电极通过所述第二键合电极、所述第一键合电极、所述辅助键合电极与所述第二键合滤波器电连接，得到射频滤波器件。
[0025]可选的，当所述第一键合电极与所述第二键合电极采用共熔键合方式键合时，在所述第二基体的下表面制作具有凹部的第二键合电极之前，还包括：
[0026]在所述第二基体的下表面制作限制电极；
[0027]相应的，在所述第二基体的下表面制作具有凹部的第二键合电极包括：
[0028]在所述限制电极内侧制备第二键合子电极；
[0029]在所述第二键合子电极的下表面制备第一键合子电极，且所述第一键合子电极和所述第二键合子电极材料不同。
[0030]可选的，所述在所述限制电极内侧制备第二键合子电极包括：
[0031]采用光刻和电镀的方式在所述限制电极内侧制备所述第二键合子电极。
[0032]本申请所提供的一种射频滤波器件，包括外引电极和由下至上层叠的第一键合滤波器和第二键合滤波器；所述第一键合滤波器包括第一基体、位于所述第一基体上表面的第一支撑电极、位于所述第一支撑电极上表面的第一键合电极；所述第二键合滤波器包括第二基体、位于所述第二基体下表面的第二键合电极，所述第二键合电极具有凹部；所述第一键合电极的横截面尺寸小于所述第一支撑电极的横截面尺寸且小于所述凹部的尺寸，所述第一键合电极通过所述凹部与所述第二键合电极键合；所述外引电极通过位于所述第二基体中的通孔与所述第二键合电极、所述第一键合电极、所述第二基体中的辅助键合电极电连接，以使所述外引电极与所述第一键合滤波器电连接。
[0033]可见，本申请射频滤波器件中包括外引电极、第一键合滤波器和第二键合滤波器，第一键合滤波器包括第一基体、第一支撑电极、第一键合电极，第二键合滤波器包括第二基体、第二键合电极，第一键合滤波器和第二键合滤波器无需各自单独进行封装，可节约一半芯片级封装成本，两者之间进行圆片级键合封装，可以有效节省一半圆片级封装成本，降低封装周期，提升生产效率；第一键合电极的横截面尺寸小于第一支撑电极的横截面尺寸，即第一键合电极和第一支撑电极形成凸状，并且第一键合电极的横截面尺寸小于第二键合电极的凹部尺寸，所以第一键合电极与第二键合电极可以进行键合，由于外引电极通过位于第二基体中的通孔与第二键合电极、第一键合电极、第二基体中的辅助键合电极电连接，所以外引电极与第一键合滤波器之间电连接，使第一键合滤波器实现与外部的电连接，第一键合滤波器和第二键合滤波器在垂直方向上进行层叠键合，有效减小射频滤波器件在平面上的尺寸，增加集成度。
[0034]此外，本申请还提供一种具有上述优点的射频滤波器件封装方法。
附图说明
[0035]为了更清楚的说明本申请实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0036]图1为本申请实施例所提供的一种射频滤波器件的三维结构示意图；
[0037]图2为本申请实施例所提供的射频滤波器件沿图1中AA截面的结构示意图；
[0038]图3为本申请实施例所提供的射频滤波器件沿图1中BB截面的结构示意图；
[0039]图4为本申请实施例第一基体以及单颗芯片平面示意图；
[0040]图5为本申请实施例第二基体以及单颗芯片平面示意图；
[0041]图6为本申请中第二键合滤波器的数量为2个时射频滤波器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频滤波器件，其特征在于，包括：外引电极和由下至上层叠的第一键合滤波器和第二键合滤波器；所述第一键合滤波器包括第一基体、位于所述第一基体上表面的第一支撑电极、位于所述第一支撑电极上表面的第一键合电极；所述第二键合滤波器包括第二基体、位于所述第二基体下表面的第二键合电极，所述第二键合电极具有凹部；所述第一键合电极的横截面尺寸小于所述第一支撑电极的横截面尺寸且小于所述凹部的尺寸，所述第一键合电极通过所述凹部与所述第二键合电极键合；所述外引电极通过位于所述第二基体中的通孔与所述第二键合电极、所述第一键合电极、所述第二基体中的辅助键合电极电连接，以使所述外引电极与所述第一键合滤波器电连接。2.如权利要求1所述的射频滤波器件，其特征在于，当所述第一键合电极与所述第二键合电极采用共熔键合方式键合时，还包括：位于所述第二键合电极外侧的限制电极；相应的，所述第二键合电极包括由下至上叠加的且分别具有凹部的第一键合子电极和第二键合子电极，且所述第一键合子电极和所述第二键合子电极材料不同。3.如权利要求2所述的射频滤波器件，其特征在于，所述限制电极位于所述第二键合电极的四周。4.如权利要求2所述的射频滤波器件，其特征在于，所述第一键合子电极的厚度大于2微米。5.如权利要求2所述的射频滤波器件，其特征在于，所述第二键合子电极的厚度大于5微米。6.如权利要求1所述的射频滤波器件，其特征在于，所述第一键合电极与所述第二键合电极采用热压键合方式键合。7.如权利要求1至6任一项所述的射频滤...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋将，李平，胡念楚，贾斌，
申请(专利权)人：麦姆斯通信技术上海有限公司麦姆斯通信技术深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：