本公开提供了一种显示基板，显示基板具有显示区和环绕显示区的防静电区，显示基板包括：第一基底；设置在第一基底上的至少一个静电释放晶体管，静电释放晶体管位于防静电区中；静电释放晶体管包括沿远离第一基底的方向，依次设置的栅极、栅极绝缘层以及设置在栅极绝缘层远离栅极一侧的第一半导体层、源极和漏极；第一半导体层包括与源极连接的第一连接部和与漏极连接的第二连接部，以及位于第一连接部和第二连接部之间的第三连接部；静电释放晶体管还包括至少一个导电部，至少一个导电部设置在第三连接部远离栅极的一侧，至少一个导电部与源极同层设置。电部与源极同层设置。电部与源极同层设置。
【技术实现步骤摘要】
显示基板、显示装置和掩膜板
[0001]本公开涉及显示
，更具体地，涉及一种显示基板、显示装置和掩膜板。
技术介绍
[0002]目前，在显示基板的生产制造中，会在显示基板上产生静电，静电可能会击穿显示基板显示区中的像素单元，从而影响显示基板显示。为改善静电的影响，通常在显示区的周围设置静电环，在显示基板上产生静电时，静电环能够将该静电传输至显示区外进行释放，从而防止静电击穿显示基板的显示器件。
技术实现思路
[0003]有鉴于此，本公开提供了一种显示基板、显示装置和掩膜板。
[0004]本公开的一个方面提供了一种显示基板，所述显示基板具有显示区和环绕所述显示区的防静电区，其中，所述显示基板包括：
[0005]第一基底；
[0006]设置在所述第一基底上的至少一个静电释放晶体管，所述静电释放晶体管位于所述防静电区中；
[0007]所述静电释放晶体管包括沿远离所述第一基底的方向，依次设置的栅极、栅极绝缘层以及设置在所述栅极绝缘层远离所述栅极一侧的第一半导体层、源极和漏极；
[0008]所述第一半导体层包括与所述源极连接的第一连接部和与所述漏极连接的第二连接部，以及位于所述第一连接部和所述第二连接部之间的第三连接部；
[0009]所述静电释放晶体管还包括至少一个导电部，所述至少一个导电部设置在所述第三连接部远离所述栅极的一侧，所述至少一个导电部与所述第三连接部接触。
[0010]在某些实施例中，所述导电部在所述第一基底上的正投影位于所述第三连接部在所述第一基底上的正投影的范围之内。
[0011]在某些实施例中，每个所述静电释放晶体管包括多个导电部，对于每个所述静电释放晶体管，其中的所述多个导电部沿从所述源极指向所述漏极的方向排列，且所述多个导电部中的任意两个彼此间隔开。
[0012]本公开的另一个方面提供了一种显示装置，其中，包括上述的显示基板。
[0013]本公开的另一个方面提供了一种掩膜板，用于制备显示基板，所述显示基板包括显示区和环绕所述显示区的防静电区，其中，所述掩膜板包括：
[0014]第二基底；
[0015]形成于所述第二基底上的至少一个第一图案，所述第一图案用于形成所述显示基板上位于所述防静电区中的静电释放晶体管；
[0016]所述第一图案包括第一遮光区、第二遮光区以及位于所述第一遮光区和所述第二遮光区之间的半透光区，所述第一遮光区用于形成所述静电释放晶体管的源极，所述第二遮光区用于形成所述静电释放晶体管的漏极；
[0017]所述半透光区包括第一金属层和设置在所述第一金属层远离所述第二基底一侧的第二半导体层，所述第二半导体层上设置有贯穿所述第二半导体层的开口。
[0018]在某些实施例中，所述开口的数量为多个，对于每个所述第一图案，多个所述开口沿从所述第一遮光区指向所述第二遮光区的方向排列。
[0019]在某些实施例中，多个所述开口中的每个沿第一方向延伸，所述第一方向与从所述第一遮光区指向所述第二遮光区的方向交叉，多个所述开口中的每个在沿从所述第一遮光区指向所述第二遮光区的方向上的尺寸小于曝光工艺极限值。
[0020]在某些实施例中，所述开口的数量M满足以下公式：
[0021]M＜L/(D1+E)；
[0022]其中，所述L为所述静电释放晶体管的沟道长度，所述D1为所述开口在沿从所述第一遮光区指向所述第二遮光区的方向上的尺寸，所述E为所述曝光工艺极限值。
[0023]在某些实施例中，所述开口的数量为多个，多个所述开口呈阵列分布。
[0024]在某些实施例中，所述开口包括方形孔和圆形孔中的至少一者，所述开口的口径小于曝光工艺极限值。
[0025]在某些实施例中，所述开口的数量M满足以下公式：
[0026]M＜W
×
L/(D2+E)2；
[0027]其中，所述W为所述静电释放晶体管的沟道宽度，所述L为所述静电释放晶体管的沟道长度，所述D2为所述开口的口径，所述E为所述曝光工艺极限值。
附图说明
[0028]通过以下参照附图对本公开实施例的描述，本公开的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
[0029]图1a为一示例中静电环中的静电释放晶体管的示意图；
[0030]图1b为图1a沿剖线BB'的剖视图；
[0031]图1c为一示例中提供的半导体层发生断裂的示意图；
[0032]图1d为图1c沿剖线CC'的剖视图；
[0033]图2为本公开实施例提供的显示基板的示意图；
[0034]图3a为本公开实施例提供的静电释放晶体管的示意图之一；
[0035]图3b为图3a沿剖线FF'的剖视图；
[0036]图3c为本公开实施例提供的静电释放晶体管的示意图之二；
[0037]图4a和图4b为本公开实施例提供的掩膜板的示意图；
[0038]图5a至图5d为本公开实施例提供的第一图案的示意图；
[0039]图6为本公开实施例提供的静电释放晶体管的示意图之三。
具体实施方式
[0040]为更清楚地阐述本公开的目的、技术方案及优点，以下将结合附图对本公开的实施例进行详细的说明。应当理解，下文对于实施例的描述旨在对本公开的总体构思进行解释和说明，而不应当理解为是对本公开的限制。在说明书和附图中，相同或相似的附图标记指代相同或相似的部件或构件。为了清晰起见，附图不一定按比例绘制，并且附图中可能省
略了一些公知部件和结构。
[0041]除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。措词“一”或“一个”不排除多个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”“顶”或“底”等等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。当诸如层、膜、区域或衬底基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
[0042]图1a为一示例中静电环中的静电释放晶体管的示意图，图1b为图1a沿剖线BB'的剖视图，结合图1a和图1b所示，在一示例中，静电环中设置有多个静电释放晶体管T，每个静电释放晶体管T均包括：设置在基底Sub上的栅极Gate、栅极绝缘层GI、半导体层ACT、源极S和漏极D。在本示例中，静电释放晶体管T中的半导体层ACT、源极S和漏极D通常采用半色调掩模版(Half Tone Mask，HTM)制备本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示基板，所述显示基板具有显示区和环绕所述显示区的防静电区，其特征在于，所述显示基板包括：第一基底；设置在所述第一基底上的至少一个静电释放晶体管，所述静电释放晶体管位于所述防静电区中；所述静电释放晶体管包括沿远离所述第一基底的方向，依次设置的栅极、栅极绝缘层以及设置在所述栅极绝缘层远离所述栅极一侧的第一半导体层、源极和漏极；所述第一半导体层包括与所述源极连接的第一连接部和与所述漏极连接的第二连接部，以及位于所述第一连接部和所述第二连接部之间的第三连接部；所述静电释放晶体管还包括至少一个导电部，所述至少一个导电部设置在所述第三连接部远离所述栅极的一侧，所述至少一个导电部与所述源极同层设置。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述导电部在所述第一基底上的正投影位于所述第三连接部在所述第一基底上的正投影的范围之内。3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，每个所述静电释放晶体管包括多个导电部，对于每个所述静电释放晶体管，其中的所述多个导电部沿从所述源极指向所述漏极的方向排列，且所述多个导电部中的任意两个彼此间隔开。4.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至3中任一项所述的显示基板。5.一种掩膜板，用于制备显示基板，所述显示基板包括显示区和环绕所述显示区的防静电区，其特征在于，所述掩膜板包括：第二基底；形成于所述第二基底上的至少一个第一图案，所述第一图案用于形成所述显示基板上位于所述防静电区中的静电释放晶体管；所述第一图案包括第一遮光区、第二遮光区以及位于所述第一遮光区和所述第二遮光区之间的半透光区，所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘靓靓，华刚，邓立广，王哲，王冬，王敏，李少波，胡锦堂，樊鹏凯，刘景昊，苏少凯，齐梓希，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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