一种LED器件及其制备方法技术

技术编号:35870926 阅读:52 留言:0更新日期:2022-12-07 11:05
本发明专利技术公开了一种LED器件及其制备方法,应用于LED技术领域,包括:基板;位于基板一侧表面的LED芯片;LED芯片与基板电连接;位于LED芯片背向基板一侧表面的荧光片;荧光片与LED芯片之间通过第一共晶层共晶连接。通过将LED芯片与基板电连接,通过第一共晶层在LED芯片表面固定连接荧光片,可以减少LED器件中有机材料硅胶的使用,同时共晶层具有良好的导热性能,从而可以使得LED器件具有较高的功率密度以及可靠性。以及可靠性。以及可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种LED器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及LED
,特别是涉及一种LED器件以及一种LED器件的制备方法。

技术介绍

[0002]现有几乎所有车用的LED(发光二极管)封装产品均采用点涂荧光胶、喷涂荧光粉或者CSP(Chip Scale Package,芯片级封装)的方式来获得LED产品。无论上述任何一种封装方式,归根结底都是利用蓝光LED芯片并外部包覆黄绿色荧光粉来达到发白光的目的。
[0003]在现有技术中,喷涂荧光粉和贴荧光片是目前最主流的技术,喷涂荧光粉由于荧光粉浪费比较严重,成本较高,且产品亮度低,功率密度低,硅胶容易裂等可靠性问题;贴荧光片工艺,由于需要采用硅胶进行粘接,因为荧光片与芯片之间的粘接层热阻较大,不利于散热,功率密度不高,可靠性低。所以如何提供一种高功率密度的LED器件是本领域技术人员急需解决的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种LED器件,具有较高的功率密度;本专利技术的另一目的在于提供一种LED器件的制备方法,所制备而成的LED器件具有较高的功率密度。
[0005]为解决上述技术问题,本专利技术提供一种LED器件,包括:
[0006]基板;
[0007]位于所述基板一侧表面的LED芯片;所述LED芯片与所述基板电连接;
[0008]位于所述LED芯片背向所述基板一侧表面的荧光片;所述荧光片与所述LED芯片之间通过第一共晶层共晶连接。
[0009]可选的,所述基板与所述LED芯片之间通过第二共晶层共晶连接。
[0010]可选的,所述第一共晶层的熔化温度与所述第二共晶层的熔化温度不同。
[0011]可选的,所述第二共晶层的熔化温度高于所述第一共晶层的熔化温度。
[0012]可选的,所述第一共晶层为金锡共晶层,所述第二共晶层为金硅共晶层或银硅共晶层。
[0013]可选的,所述荧光片朝向所述LED芯片一侧表面设置有第一共晶焊盘,所述LED芯片朝向所述荧光片一侧表面设置有第二共晶焊盘,所述第一共晶焊盘与所述第二共晶焊盘相对应;所述第一共晶焊盘与对应的所述第二共晶焊盘共晶连接形成所述第一共晶层。
[0014]可选的,所述第一共晶焊盘遮蔽所述LED芯片的面积不大于所述LED芯片发光面积的10%。
[0015]可选的,还包括位于所述基板设置有所述LED芯片一侧表面,环绕所述LED芯片设置的白墙。
[0016]可选的,还包括位于所述荧光片背向所述基板一侧表面的点胶微透镜。
[0017]本专利技术还提供了一种LED器件的制备方法,包括:
[0018]将LED芯片设置于基板表面,使所述LED芯片与所述基板电连接;
[0019]基于共晶焊工艺,通过第一共晶层将位于所述LED芯片背向所述基板一侧表面的荧光片与所述LED芯片共晶连接,以制成所述LED器件。
[0020]本专利技术所提供的一种LED器件,包括:基板;位于基板一侧表面的LED芯片;LED芯片与基板电连接;位于LED芯片背向基板一侧表面的荧光片;荧光片与LED芯片之间通过第一共晶层共晶连接。
[0021]通过将LED芯片与基板电连接,通过第一共晶层在LED芯片表面固定连接荧光片,可以减少LED器件中有机材料硅胶的使用,同时共晶层具有良好的导热性能,从而可以使得LED器件具有较高的功率密度以及可靠性。
[0022]本专利技术还提供了一种LED器件的制备方法,同样具有上述有益效果,在此不再进行赘述。
附图说明
[0023]为了更清楚的说明本专利技术实施例或现有技术的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1为本专利技术实施例所提供的一种LED器件的结构示意图;
[0025]图2为本专利技术实施例所提供的一种具体的LED器件的结构示意图;
[0026]图3为本专利技术实施例所提供的另一种具体的LED器件的结构示意图;
[0027]图4为本专利技术实施例所提供的一种LED器件制备方法的流程图。
[0028]图中:1.基板、2.LED芯片、3.荧光片、4.第一共晶层、5.第二共晶层、6.白墙、7.点胶微透镜。
具体实施方式
[0029]本专利技术的核心是提供一种LED器件。在现有技术中,喷涂荧光粉由于荧光粉浪费比较严重,而且需要多次喷涂,成本较高,且产品亮度低;贴荧光片工艺,由于需要采用硅胶进行粘接,因为荧光片与芯片之间的粘接层热阻较大,导致功率密度低,同时硅胶容易炸裂,不利于散热,会导致器件可靠性较低,且亮度也较低。
[0030]而本专利技术所提供的一种LED器件,包括:基板;位于基板一侧表面的LED芯片;LED芯片与基板电连接;位于LED芯片背向基板一侧表面的荧光片;荧光片与LED芯片之间通过第一共晶层共晶连接。
[0031]通过将LED芯片与基板电连接,通过第一共晶层在LED芯片表面固定连接荧光片,可以减少LED器件中有机材料硅胶的使用,同时共晶层具有良好的导热性能,从而可以使得LED器件具有较高的功率密度以及可靠性。
[0032]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步的详细说明。显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。
[0033]请参考图1,图1为本专利技术实施例所提供的一种LED器件的结构示意图。
[0034]参见图1,在本专利技术实施例中,LED器件包括:基板1;位于所述基板1一侧表面的LED芯片2;所述LED芯片2与所述基板1电连接;位于所述LED芯片2背向所述基板1一侧表面的荧光片3;所述荧光片3与所述LED芯片2之间通过第一共晶层4共晶连接。
[0035]上述基板1中通常设置有导电回路,在基板1表面会设置有LED芯片2,上述基板1会与LED芯片2电连接,以向LED芯片2供电等等。上述基板1的具体结构可以参考现有技术,在此不再进行赘述。通常情况下,在基板1表面会设置有触点,基于该触点与LED芯片2电连接。在本专利技术实施例中基板1通常为氧化铝基板1或者氮化铝陶瓷基板1,有关基板1的材质在本专利技术实施例中不做具体限定,视具体情况而定。
[0036]上述LED芯片2通常为倒装LED芯片2或垂直LED芯片2,使得该LED芯片2背向基板1一侧表面大体呈一平面,以便后续荧光片3的设置。上述LED芯片2需要设置在基板1的表面,通常需要设置在基板1的同一表面,与基板1电连接。在基板1表面,通常会设置多个LED芯片2,而LED芯片2通常会呈阵列分布。其具体分布形式需要根据实际情况自行设定,在此不做具体限定。在本专利技术实施例中,需要保证该LED芯片2可以基于共晶连接本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED器件,其特征在于,包括:基板;位于所述基板一侧表面的LED芯片;所述LED芯片与所述基板电连接;位于所述LED芯片背向所述基板一侧表面的荧光片;所述荧光片与所述LED芯片之间通过第一共晶层共晶连接。2.根据权利要求1所述的LED器件,其特征在于,所述基板与所述LED芯片之间通过第二共晶层共晶连接。3.根据权利要求2所述的LED器件,其特征在于,所述第一共晶层的熔化温度与所述第二共晶层的熔化温度不同。4.根据权利要求3所述的LED器件,其特征在于,所述第二共晶层的熔化温度高于所述第一共晶层的熔化温度。5.根据权利要求4所述的LED器件,其特征在于,所述第一共晶层为金锡共晶层,所述第二共晶层为金硅共晶层或银硅共晶层。6.根据权利要求1所述的LED器件,其特征在于,所述荧光片朝向所述LED芯片一侧表面设置有第一共晶焊盘,所述LED芯片朝...

【专利技术属性】
技术研发人员:杜元宝张耀华王国君陈复生朱小清张庆豪
申请(专利权)人:宁波升谱光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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