本实用新型专利技术公开了一种可提高化铜沉积速率的沉铜装置，包括机箱，所述机箱一侧固定设有沉铜池，所述沉铜池底部对称固定设有万向轮，所述沉铜池内腔底部从左到右依次固定设有温度传感器、搅拌机构、电加热器，所述沉铜池前侧表面固定设有温控器，所述机箱内腔设有升降机构，温度传感器可以对沉铜池内腔的溶液的温度进行检测，当沉铜池内腔的溶液的温度低于设定的最低温度时温控器控制电加热器开启进行加热，当温度高于设定的最高温度时温控器控制电加热器关闭停止加热，可以对沉铜池内腔的溶液进行恒温控制，可以有效提高反应速率，通过设置搅拌机构，搅拌机构可以对沉铜池内腔的溶液进行搅拌，可以避免溶液沉降影响沉铜质量。可以避免溶液沉降影响沉铜质量。可以避免溶液沉降影响沉铜质量。
【技术实现步骤摘要】
一种可提高化铜沉积速率的沉铜装置
[0001]本技术涉及PCB电路板生产制造
，具体来说，涉及一种可提高化铜沉积速率的沉铜装置。
技术介绍
[0002]PCB电路板在生产时需要对PCB电路板进行沉铜，沉铜是化学镀铜的简称，也叫做镀通孔，钻孔后的PCB板在沉铜缸内发生氧化还原反应，形成铜层从而对孔进行孔金属化,使原来绝缘的基材表面沉积上铜,达到层间的电性相通，现有的沉铜装置沉铜速率低，而且操作不便。
[0003]针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
[0004]针对相关技术中的问题，本技术提出一种可提高化铜沉积速率的沉铜装置，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。
[0005]为此，本技术采用的具体技术方案如下：
[0006]一种可提高化铜沉积速率的沉铜装置，包括机箱，所述机箱一侧固定设有沉铜池，所述沉铜池底部对称固定设有万向轮，所述沉铜池内腔底部从左到右依次固定设有温度传感器、搅拌机构、电加热器，所述沉铜池前侧表面固定设有温控器，所述机箱内腔设有升降机构，所述升降机构一侧通过连接杆固定连接有升降框架，所述升降框架顶部穿插设有夹持组件，所述夹持组件两侧对称设有导向组件，所述升降框架内腔底部等距开设有下卡槽，所述机箱一侧开设有导向滑槽。
[0007]作为优选，所述升降机构包括驱动电机，所述驱动电机输出轴端部固定连接有丝杆，所述丝杆外侧套设有升降螺套。
[0008]作为优选，所述升降螺套一侧通过连接杆固定连接升降框架，且所述连接杆贯穿导向滑槽。
[0009]作为优选，所述夹持组件包括螺杆，且所述螺杆穿插设置在升降框架顶部，所述螺杆底端通过轴承连接有夹板，所述夹板底部等距开设有上卡槽。
[0010]作为优选，导向组件由滑道与滑块组成，且滑道与滑块分别设置在升降框架内腔两侧与夹板两侧。
[0011]作为优选，所述搅拌机构包括搅拌电机，所述搅拌电机输出轴端部固定连接有搅拌桨。
[0012]本技术的有益效果为：1、通过设置温度传感器，温度传感器可以对沉铜池内腔的溶液的温度进行检测，当沉铜池内腔的溶液的温度低于设定的最低温度时温控器控制电加热器开启进行加热，当温度高于设定的最高温度时温控器控制电加热器关闭停止加热，可以对沉铜池内腔的溶液进行恒温控制，可以有效提高反应速率，通过设置搅拌机构，搅拌机构可以对沉铜池内腔的溶液进行搅拌，可以避免溶液沉降影响沉铜质量；
[0013]2、通过设置夹持组件，夹持组件可以对需要沉铜的电路板进行夹持固定，便于沉铜操作，通过设置升降机构，升降机构可以控制升降框架升降，通过升降机构控制升降框架下降可以把升降框架内腔固定的电路板沉没浸泡在沉铜池内腔进行沉铜，沉铜完毕通过升降机构控制升降框架上升即可取下电路板，操作方便。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1是根据本技术实施例的一种可提高化铜沉积速率的沉铜装置结构图；
[0016]图2是根据本技术实施例的一种可提高化铜沉积速率的沉铜装置剖视图；
[0017]图3是根据本技术实施例的一种可提高化铜沉积速率的沉铜装置的升降框架结构图；
[0018]图4是根据本技术实施例的一种可提高化铜沉积速率的沉铜装置的机箱剖视图。
[0019]图中：
[0020]1、机箱；2、沉铜池；3、万向轮；4、温度传感器；5、搅拌机构；6、电加热器；7、温控器；8、升降机构；9、连接杆；10、升降框架；11、夹持组件；12、下卡槽；13、导向滑槽；14、驱动电机；15、丝杆；16、升降螺套；17、螺杆；18、夹板；19、上卡槽；20、搅拌电机；21、搅拌桨。
具体实施方式
[0021]为进一步说明各实施例，本技术提供有附图，这些附图为本技术揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理，配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本技术的优点，图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。
[0022]根据本技术的实施例，提供了一种可提高化铜沉积速率的沉铜装置。
[0023]实施例一
[0024]如图1
‑
4所示，根据本技术实施例的一种可提高化铜沉积速率的沉铜装置，包括机箱1，机箱1一侧固定设有沉铜池2，沉铜池2底部对称固定设有万向轮3，沉铜池2内腔底部从左到右依次固定设有温度传感器4、搅拌机构5、电加热器6，沉铜池2前侧表面固定设有温控器7，温度传感器4可以对沉铜池2内腔的溶液的温度进行检测，当沉铜池2内腔的溶液的温度低于设定的最低温度时温控器7控制电加热器6开启进行加热，当温度高于设定的最高温度时温控器7控制电加热器6关闭停止加热，可以对沉铜池2内腔的溶液进行恒温控制，机箱1内腔设有升降机构8，升降机构8一侧通过连接杆9固定连接有升降框架10，升降框架10顶部穿插设有夹持组件11，夹持组件11两侧对称设有导向组件，升降框架10内腔底部等距开设有下卡槽12，机箱1一侧开设有导向滑槽13，升降机构8包括驱动电机14，驱动电机14输出轴端部固定连接有丝杆15，丝杆15外侧套设有升降螺套16，升降螺套16一侧通过连接杆9固定连接升降框架10，且连接杆9贯穿导向滑槽13，驱动电机14带动丝杆15顺时针或者
逆时针旋转可以控制升降螺套16升降，通过升降机构8控制升降框架10下降可以把升降框架10内腔固定的电路板沉没浸泡在沉铜池2内腔进行沉铜，沉铜完毕通过升降机构8控制升降框架10上升即可取下电路板。
[0025]实施例二
[0026]如图1
‑
4所示，根据本技术实施例的一种可提高化铜沉积速率的沉铜装置，包括机箱1，机箱1一侧固定设有沉铜池2，沉铜池2底部对称固定设有万向轮3，沉铜池2内腔底部从左到右依次固定设有温度传感器4、搅拌机构5、电加热器6，沉铜池2前侧表面固定设有温控器7，温度传感器4可以对沉铜池2内腔的溶液的温度进行检测，当沉铜池2内腔的溶液的温度低于设定的最低温度时温控器7控制电加热器6开启进行加热，当温度高于设定的最高温度时温控器7控制电加热器6关闭停止加热，可以对沉铜池2内腔的溶液进行恒温控制，机箱1内腔设有升降机构8，升降机构8一侧通过连接杆9固定连接有升降框架10，升降框架10顶部穿插设有夹持组件11，夹持组件11两侧对称设有导向组件，升降框架10内腔底部等距开设有下卡槽12，机箱1一侧开设有导向滑槽13，夹持组件11包括螺杆17，且螺杆17穿插设置在升降框架10顶部，螺杆17底端通过轴承连接有夹板18，夹板18底部等距开设有上本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种可提高化铜沉积速率的沉铜装置，包括机箱(1)，其特征在于：所述机箱(1)一侧固定设有沉铜池(2)，所述沉铜池(2)底部对称固定设有万向轮(3)，所述沉铜池(2)内腔底部从左到右依次固定设有温度传感器(4)、搅拌机构(5)、电加热器(6)，所述沉铜池(2)前侧表面固定设有温控器(7)，所述机箱(1)内腔设有升降机构(8)，所述升降机构(8)一侧通过连接杆(9)固定连接有升降框架(10)，所述升降框架(10)顶部穿插设有夹持组件(11)，所述夹持组件(11)两侧对称设有导向组件，所述升降框架(10)内腔底部等距开设有下卡槽(12)，所述机箱(1)一侧开设有导向滑槽(13)。2.根据权利要求1所述的一种可提高化铜沉积速率的沉铜装置，其特征在于：所述升降机构(8)包括驱动电机(14)，所述驱动电机(14)输出轴端部固定连接有丝杆(15)，所述丝杆(15)外侧套设有升降螺...
【专利技术属性】
技术研发人员：喻荣祥，余慧璇，苗向阳，王佳城，许永章，
申请(专利权)人：信丰正天伟电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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