树脂膜、多层体、透明导电性膜和树脂膜的制造方法技术

技术编号:35853168 阅读:19 留言:0更新日期:2022-12-07 10:38
本发明专利技术提供具有滑动性并且透明的树脂膜、以及多层体、透明导电性膜和树脂膜的制造方法。至少一个面满足下述算式(1)的树脂膜。算式(1)1.00≤S10z*log(Spd)≤10.00(算式(1)中,S10z表示S5p和S5v之和,S5p表示从最高的山顶排序、至第5高的山顶的局部高度的平均值(单位:μm),S5v表示从最深的谷底排序、至第5深的谷底的局部深度的平均值(单位:μm),Spd表示树脂膜每1mm2的凸部个数(单位:个),S5p、S5v和Spd为ISO25718-2:2012所规定的值)。2012所规定的值)。2012所规定的值)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】树脂膜、多层体、透明导电性膜和树脂膜的制造方法


[0001]本专利技术涉及树脂膜、多层体、透明导电性膜和树脂膜的制造方法。

技术介绍

[0002]在触摸面板的膜传感器、电子纸、色素增敏型太阳能电池、触摸传感器等中,使用透明导电性膜。透明导电性膜10例如如图1所示,已知包括电极层(透明导电膜)11、基材12、粘接层13和保护膜14。
[0003]具体而言,专利文献1中,公开了在保护膜上依次具有粘接层、膜基材和透明导电膜的透明导电性膜叠层体,其中,上述膜基材和上述保护膜中的至少一个,在从宽度方向的一个最端部和另一个最端部起分别至各自上述宽度方向的内侧100mm的各端部区域中的上述粘接层侧的面上,具有凹凸部,上述各端部区域中的上述凹凸部的表面的实效粗糙度R1为0.1~20μm,上述粘接层在上述宽度方向中,在一个端部区域的凹凸部和另一个端部区域的凹凸部之间从与上述一个端部区域的凹凸部的分离距离为0~10mm的位置至与上述另一个端部区域的凹凸部的分离距离为0~10mm的位置设置。另外,作为上述保护膜,记载了使用聚碳酸酯系树脂。
[0004]现有技术文件
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本特开2018-152187号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]对透明导电性膜,如上所述,通常使用保护膜。这样的保护膜在输送具有电极层和基材的叠层体时,用于保护基材。更具体而言,透明导电性膜在工业上大多通过roll-to-roll制造,此时,要求提高膜的输送性和防卷皱。膜的输送不良和卷皱能够通过抑制膜彼此的贴紧(粘连)来降低。因此,为了透明导电性膜的电极层的相反侧的抗粘连,对透明导电性膜的保护膜要求膜彼此不粘连的程度的滑动性。另外,透明导电性膜通常以贴有保护膜的状态在线进行损伤检查,因此,要求透明的膜。
[0009]本专利技术为了解决这样的课题,目的在于提供具有滑动性并且透明的树脂膜、以及多层体、透明导电性膜和树脂膜的制造方法。
[0010]用于解决课题的方法
[0011]基于上述课题,本专利技术的专利技术人进行了深入研究,结果发现,通过将树脂膜的表面的凹凸形状形成为规定的形状,能够解决上述课题。具体而言,通过下述方法,解决上述课题。
[0012]<1>至少一个面满足下述算式(1)的树脂膜。
[0013]算式(1)
[0014]1.00≤S10z*log(Spd)≤10.00
[0015](算式(1)中,S10z表示S5p和S5v之和,
[0016]S5p表示从最高的山顶排序、至第5高的山顶的局部高度的平均值(单位:μm),S5v表示从最深的谷底排序、至第5深的谷底的局部深度的平均值(单位:μm),Spd表示树脂膜每1mm2的凸部个数(单位:个),S5p、S5v和Spd为ISO25718-2:2012所规定的值。)
[0017]<2>如<1>所述的树脂膜,其中,上述树脂膜中,上述凸部之中高度为0.04μm以上的凸部所占的面积率为0.2%以上8%以下。
[0018]<3>如<1>或<2>所述的树脂膜,其中,其厚度为20~300μm。
[0019]<4>如<1>~<3>中任一项所述的树脂膜,其中,上述树脂膜中所含的无机颗粒的量低于0.01质量%。
[0020]<5>如<1>~<4>中任一项所述的树脂膜,其中,上述树脂膜包含非晶性树脂。
[0021]<6>如<1>~<4>中任一项所述的树脂膜,其中,上述树脂膜包含聚碳酸酯树脂。
[0022]<7>如<1>~<6>中任一项所述的树脂膜,其为单层膜。
[0023]<8>如<1>~<7>中任一项所述的树脂膜,其中,其雾度为10%以下。
[0024]<9>具有<1>~<8>中任一项所述的树脂膜和至少1层其它层的多层体。
[0025]<10>如<9>所述的多层体,其中,上述其它层包含粘接层。
[0026]<11>一种透明导电性膜,依次具有保护层、粘接层、基材和电极层,上述基材和保护层中的至少一个为<1>~<8>中任一项所述的树脂膜。
[0027]<12><1>~<8>中任一项所述的树脂膜的制造方法,包括将熔融挤出的热塑性树脂应用于经喷砂加工的辊,在膜表面设置凸部的工序。
[0028]专利技术的效果
[0029]根据本专利技术,能够提供具有滑动性并且透明的树脂膜、以及、多层体、透明导电性膜和树脂膜的制造方法。
附图说明
[0030]图1是表示透明导电性膜的层结构的截面模式图的一例。
[0031]图2(a)是表示在平滑的聚碳酸酯树脂膜上使平滑的聚碳酸酯树脂膜滑动的状态的模式图,图2(b)是表示在表面设置有微细的凹凸的聚碳酸酯树脂膜上使在表面设置有微细的凹凸的聚碳酸酯树脂膜滑动的状态的模式图。
具体实施方式
[0032]以下,对用于实施本专利技术的方式(以下,简称为“本实施方式”)详细地进行说明。此外,以下的本实施方式是用于说明本专利技术的例示,本专利技术不仅限定于本实施方式。
[0033]此外,本说明书中“~”是以将包含其前后所记载的数值作为下限值和上限值的意义使用。
[0034]在本说明书中,各种物性值和特性值只要没有特别描述,是指23℃时的数值。
[0035]本说明书中的多层体包括分别形成为膜或片的形状,优选形成为膜或片的形状。“膜”是指分别相对于长和宽,厚度薄,大致平展的成型体。另外,本说明书中的“膜”,只要没
有特别描述,可以为单层也可以为多层。
[0036]此外,本说明书中的“质量份”表示成分的相对量,“质量%”表示成分的绝对量。
[0037]本实施方式的树脂膜的特征在于至少一个面满足下述算式(1)。
[0038]算式(1)
[0039]1.00≤S10z*log(Spd)≤10.00
[0040](算式(1)中,S10z表示S5p和S5v之和,
[0041]S5p表示从最高的山顶排序、至第5高的山顶的局部高度的平均值(单位:μm),S5v表示从最深的谷底排序、至第5深的谷底的局部深度的平均值(单位:μm),Spd表示树脂膜每1mm2的凸部个数(单位:个),S5p、S5v和Spd为ISO25718-2:2012所规定的值。)
[0042]通过形成为这样的构成,可以得到滑动性和透明性优异的树脂膜。
[0043]另外,S10z*log(Spd)的“*”是表示
“×”
(积)的意思。
[0044]即,对于树脂膜,从提高膜的输送性、防卷皱的观点考虑,有时要求不粘连的程度的滑动性以及抑制膜彼此的贴紧(抗粘连性)。这里,抗粘连是指膜彼此即使贴紧也能够容易地剥离。图2(a)是表示在平滑的树脂膜上使平滑的树脂膜滑动的状态的模式图。如上所述在平滑的树脂膜上载持有平滑的树脂膜时,没有滑动性。为了对平滑的树脂膜赋予滑动性,可以考虑如图2(b)的模式图所示,在树脂膜的表面设置本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种树脂膜,其特征在于:至少一个面满足下述算式(1),算式(1)1.00≤S10z*log(Spd)≤10.00算式(1)中,S10z表示S5p和S5v之和,S5p表示从最高的山顶排序、至第5高的山顶的局部高度的平均值,单位:μm,S5v表示从最深的谷底排序、至第5深的谷底的局部深度的平均值,单位:μm,Spd表示树脂膜每1mm2的凸部个数,单位:个,S5p、S5v和Spd为ISO25718-2:2012所规定的值。2.如权利要求1所述的树脂膜,其特征在于:所述树脂膜中,所述凸部之中高度为0.04μm以上的凸部所占的面积率为0.2%以上8%以下。3.如权利要求1或2所述的树脂膜,其特征在于:其厚度为20~300μm。4.如权利要求1~3中任一项所述的树脂膜,其特征在于:所述树脂膜中所含的无机颗粒的量低于0.01质量%。5.如权利要求1~4中...

【专利技术属性】
技术研发人员:石井太树
申请(专利权)人:三菱瓦斯化学株式会社
类型:发明
国别省市:

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