【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器及其写入周期记录装置
[0001]本专利技术涉及一种非易失性存储器及其写入周期记录装置,且更明确地说,涉及一种用于提高非易失性存储器的可靠性的写入周期记录装置。
技术介绍
[0002]对于非易失性存储器,写入循环计数可始终提供有用的周期信息以提高非易失性存储器的可靠性。在常规技术中,写入循环计数始终占用较大电路面积来存储,且所存储写入循环计数通常具有可靠性问题。也就是说,提供一种具有较小电路尺寸、可提供具有高可靠性的写入循环计数的存储装置是非易失性存储器的设计者的重要课题。
技术实现思路
[0003]本专利技术提供一种非易失性存储器及其写入周期记录装置,以用于提高对存储器块的写入操作的效率。
[0004]写入周期记录装置包含存储装置和控制器。存储装置与非易失性存储器的存储器块相对应。存储装置具有用于记录与存储器块的多个写入操作相对应的多个所记录写入循环计数的多个位。控制器配置以:对存储器块执行写入操作;记录写入操作的所执行写入循环计数;以及根据所执行写入循环计数更新存储装置中与写入操作相对应的所记录写入循环计数。
[0005]非易失性存储器包含至少一个存储器块、存储装置以及控制器。所述至少一个存储器块中的每一个具有多个存储器块。存储装置安置在与非易失性存储器的至少一个存储器块相对应的至少一个存储器块ad中,其中存储装置具有用于记录与存储器块的多个写入操作相对应的多个所记录写入循环计数的多个位。控制器耦接到存储装置和存储器块。控制器配置以:对存储器块执行写入操作;记录写入操 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种写入周期记录装置,包括:存储装置,与非易失性存储器的存储器块相对应,其中所述存储装置具有用于记录与所述存储器块的多个写入操作相对应的多个所记录写入循环计数的多个位;以及控制器,耦接到所述存储装置和所述存储器块,其配置以:对所述存储器块执行写入操作;记录所述写入操作的所执行写入循环计数;以及根据所述所执行写入循环计数更新所述存储装置中与所述写入操作相对应的所记录写入循环计数。2.根据权利要求1所述的写入周期记录装置,其中所述写入操作包括编程操作和擦除操作。3.根据权利要求2所述的写入周期记录装置,其中所述写入操作还包括后编程操作和刷新操作。4.根据权利要求1所述的写入周期记录装置,其中在执行所述写入操作期间,所述控制器配置以:预读取所述存储装置以获得用于所述写入操作的所述所记录写入循环计数;获得所述写入操作期间的所述所执行写入循环计数;将第一写入循环计数与所述所执行写入循环计数进行比较;以及当所述所执行写入循环计数大于所述所记录写入循环计数时,根据所述所执行写入循环计数更新所述存储装置中与所述所记录写入循环计数相对应的所述位。5.根据权利要求1所述的写入周期记录装置,其中所述存储装置存储多个索引值,且所述多个索引值分别与所述多个所记录写入循环计数相对应。6.根据权利要求1所述的写入周期记录装置,其中所述控制器根据所述所记录写入循环计数设置用于所述写入操作的写入脉冲的偏置电平和脉冲宽度中的至少一个。7.根据权利要求1所述的写入周期记录装置,其中所述控制器进一步配置以:设置与所述所记录写入循环计数相对应的多个查找集;根据所述所记录写入循环计数选择所述查找集中的一个来获得第一写入脉冲的第一脉冲宽度和第一偏置电平,其中当所述所记录写入循环计数不大于阈值时,用第一模式执行所述写入操作,且当所述所记录写入循环计数大于所述阈值时,所述控制器用第二模式执行所述写入操作,其中所述第一模式不同于所述第二模式。8.根据权利要求7所述的写入周期记录装置,其中在所述第一模式中,所述控制器通过施加具有预设的第二偏置电平和第二脉冲宽度的多个第二写入脉冲以执行所述写入操作。9.根据权利要求8所述的写入周期记录装置,其中在所述第二模式中,所述控制器通过将所述第一写入脉冲施加到所述存储器块,且接着将所述第二写入脉冲施加到所述存储器块以执行所述写入操作,其中所述第一偏置电平大于所述第二偏置电平,且所述第一脉冲宽度大于所述第二脉冲宽度。10.根据权利要求9所述的写入周期记录装置,其中所述控制器将所述所记录写入循环计数记录为多个寄存器值且根据所述寄存器值调整所述第一偏置电平和所述第一脉冲宽
度。11.根据权利要求10所述的写入周期记录装置,其中当所述写入操作的验证操作为通过时,所述控制器检查部分的所述寄存器值是否达到预定义数目,且当所述部分的所述寄存器值达到所述预定义数目时,所述控制器将所述所记录写入循环计数更新为下...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈毓明,林纪舜,
申请(专利权)人:华邦电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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