黑硅的制备方法技术

本发明专利技术提供一种黑硅的制备方法，包括：在完成前一加工路径的诱导加工后，将激光束以聚焦的方式在当前加工路径的表面形成第一光斑，以对所述当前加工路径进行第一次诱导加工，使当前加工路径的表面形成微米级结构；在第一次诱导加工完成之后，将激光束以负离焦的方式在当前加工路径的表面形成第二光斑，以对所述当前加工路径进行第二次诱导加工，使当前加工路径的表面形成纳米级结构。本发明专利技术提供的黑硅的制备方法，能够降低激光加工过程中对材料的保护要求，减少危险化工物品的使用。减少危险化工物品的使用。减少危险化工物品的使用。

【技术实现步骤摘要】
黑硅的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种黑硅的制备方法。

技术介绍

[0002]制备黑硅表面有很多方式，包括溶胶凝胶法、电子刻蚀、湿法刻蚀、干法刻蚀和激光加工等。激光加工能够满足加工结构的任意性和可控性，也能够满足加工结构高精度的需求；其次，激光加工具有可程序化、适合于大面积加工以及环境友好等优势。除此之外，激光加工具有结构可设计性，有利于减反射结构表面设计及后期制备。目前制备硅基陷光结构主要有两种激光加工方法：一种是“黑硅”技术，脉冲激光在硫系气氛环境(SF6、H2S等)下直接扫描硅基材料，产生尖峰微米结构；另一种是脉冲激光通过液体环境(蒸馏水、硫酸溶液等)辐照硅基材料，产生柱状结构。但这两种方法都有操作复杂，激光设备复杂，且含有危险化工物品等缺陷。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供的黑硅的制备方法，能够降低激光加工过程中对材料的保护要求，减少危险化工物品的使用。
[0004]本专利技术提供一种黑硅的制备方法，包括：
[0005]在完成前一加工路径的诱导加工后，将激光束以聚本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种黑硅的制备方法，其特征在于，包括：在完成前一加工路径的诱导加工后，将激光束以聚焦的方式在当前加工路径的表面形成第一光斑，以对所述当前加工路径进行第一次诱导加工，使当前加工路径的表面形成微米级结构；在第一次诱导加工完成之后，将激光束以负离焦的方式在当前加工路径的表面形成第二光斑，以对所述当前加工路径进行第二次诱导加工，使当前加工路径的表面形成纳米级结构。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二光斑的直径为第一光斑直径的1.15
‑
2.5倍。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一光斑的直径为40
‑
60μm，所述第二光斑的直径为70
‑
100μm。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述前一加工路径与当前加工路径之间的距离为第一光斑直径的1/3
‑
3/4倍。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述前一加工路径与当前加工路径之间的距离为20
‑...

【专利技术属性】
技术研发人员：文志东，侯煜，张喆，张昆鹏，宋琦，许子业，石海燕，李曼，王然，岳嵩，薛美，张紫辰，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：