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本发明提供一种黑硅的制备方法，包括：在完成前一加工路径的诱导加工后，将激光束以聚焦的方式在当前加工路径的表面形成第一光斑，以对所述当前加工路径进行第一次诱导加工，使当前加工路径的表面形成微米级结构；在第一次诱导加工完成之后，将激光束以负离焦...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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