一种镀金电路板的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种镀金电路板的制作方法，包括：提供一基板，其中，所述基板包括中央区和边缘区，所述中央区设置有多个阵列排布的待镀金连接盘，多个所述阵列排布的待镀金连接盘通过引线相互串联，所述边缘区设置有至少一个镀金辅助连接盘，所述镀金辅助连接盘通过引线与所述中央区的所述待镀金连接盘串联；在所述基板表面设置镀金阻挡膜，所述镀金阻挡膜覆盖除所述待镀金连接盘和所述镀金辅助连接盘之外的非镀金区域；对所述待镀金连接盘和所述镀金辅助连接盘进行镀金；去除所述镀金阻挡膜和所述中央区的所述引线；去除所述边缘区。本发明专利技术可以避免待镀金连接盘被初始电流烧焦。可以避免待镀金连接盘被初始电流烧焦。可以避免待镀金连接盘被初始电流烧焦。

【技术实现步骤摘要】
一种镀金电路板的制作方法


[0001]本专利技术涉及电路板
，尤其涉及一种镀金电路板的制作方法。

技术介绍

[0002]金手指板是一种PCB镀金板，主要功能是实现与主板PCB灵活互联互通，保证对性能的需求又方便拆卸更换，实现方式是通过在金手指板上设计一排金手指连接盘，同时在连接盘表面镀上一层厚金，增强连接盘表面的耐磨性和导电性，镀金后的连接盘通常称为金手指。
[0003]有一种新的PCB镀金板，主要用于芯片的测试，特点是需要高密矩阵连接盘镀金，所起作用是连接芯片与PCB主板之间通讯的桥梁之一。此类高密矩阵镀金芯片测试板和传统插头镀金板差异主要在于镀金连接盘数量不同，传统插头镀金板只用于元器件信号传输，需要传输的信号较少，故只需要设计一排金手指，因为有足够的空间，镀金容易实现。高密矩阵镀金芯片测试板作为芯片测试传输路径，对接的通道有很多，需要设计多排高密矩阵连接盘才好为芯片传输更多的独立信号。
[0004]因为高密矩阵连接盘需要镀金的总面积相对传统插头镀金板镀金总面积要大，镀金过程中需要到更大的电流，而高密矩阵连接盘单个镀金连接盘面积相对传统插头镀金连接盘面积要小，综合以上两点影响，高密矩阵连接盘在镀金时，更容易出现引线连接端与高密矩阵连接盘网络起始点出现烧焦问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供了一种镀金电路板的制作方法，以避免待镀金连接盘被初始电流烧焦。
[0006]根据本专利技术的一方面，提供了一种镀金电路板的制作方法，包括：
[0007]提供一基板，其中，所述基板包括中央区和边缘区，所述中央区设置有多个阵列排布的待镀金连接盘，多个所述阵列排布的待镀金连接盘通过引线相互串联，所述边缘区设置有至少一个镀金辅助连接盘，所述镀金辅助连接盘通过引线与所述中央区的所述待镀金连接盘串联；
[0008]在所述基板表面设置镀金阻挡膜，所述镀金阻挡膜覆盖除所述待镀金连接盘和所述镀金辅助连接盘之外的非镀金区域；
[0009]对所述待镀金连接盘和所述镀金辅助连接盘进行镀金；
[0010]去除所述镀金阻挡膜和所述中央区的所述引线；
[0011]去除所述边缘区。
[0012]可选的，所述边缘区设置有至少两个镀金辅助连接盘，所述镀金辅助连接盘的宽度与所述待镀金连接盘的宽度的比值大于或等于2，所述镀金辅助连接盘的长度与所述待镀金连接盘的长度的比值大于或等于5。
[0013]可选的，所述引线包括第一引线段和第二引线段，所述第一引线段与所述待镀金
连接盘相邻，所述待镀金连接盘的每一与所述引线连接的边缘均通过所述第一引线段与所述第二引线段连接；
[0014]所述第一引线段的线宽小于所述第二引线段的线宽，所述第一引线段的长度大于或等于第一设定值。
[0015]可选的，所述第二引线段的线宽与所述第一引线段的线宽的差值为1mil，所述第一设定值为2mil，所述边缘区的所述引线的线宽大于所述第二引线段的线宽，且所述边缘区的所述引线的线宽与所述第二引线段的线宽的差值大于或等于2mil。
[0016]可选的，在所述基板表面设置镀金阻挡膜，所述镀金覆盖膜覆盖除所述待镀金连接盘和所述镀金辅助连接盘之外非镀金的区域，包括：
[0017]在所述基板表面设置局部镀金阻挡膜；其中，
[0018]所述局部镀金阻挡膜覆盖每一所述第一引线段的部分区域以及所述第一引线段之外的其他引线；所述局部镀金阻挡膜包括第一阻挡区和第二阻挡区，每一所述第一引线段对应设置一所述第一阻挡区，所述第一阻挡区覆盖所述第一引线段的部分区域和与所述第一引线段相邻的至少部分第二引线段，所述第二阻挡区覆盖未被所述第一阻挡区覆盖的所述第二引线段；所述第一阻挡区包括邻近所述待镀金连接盘的第一边界以及与所述第二引线段的延伸方向平行的第二边界，所述第一边界与第一引线段邻近待镀金连接盘的边界的距离大于或等于第二设定值，所述第一边界与第一引线段远离待镀金焊盘的边界的距离大于或等于第二设定值，所述第一边界包括第一直线段和位于所述第一直线段两侧的第二直线段，所述第二直线段相对于所述第一直线段向远离所述待镀金连接盘的方向倾斜，所述第二直线段与所述待镀金连接盘的边界的夹角大于或等于预设角度，所述第二边界与所述第二引线段的距离大于或等于第三设定值；
[0019]在所述基板表面设置抗镀金胶带，所述抗镀金胶带覆盖其他非镀金区域。
[0020]可选的，所述第二设定值为1mil，所述预设角度为30度，所述第三设定值为4mil。
[0021]可选的，所述局部镀金阻挡膜为湿膜或第一干膜；
[0022]所述局部镀金阻挡膜为第一干膜时，在所述基板表面设置局部镀金阻挡膜后还包括：对所述第一干膜进行低温烘烤。
[0023]可选的，在所述基板表面设置局部镀金阻挡膜包括：
[0024]在所述基板表面形成镀金阻挡材料层；
[0025]对所述镀金阻挡材料层进行曝光处理，使需保留的所述镀金阻挡材料层被光固化；
[0026]对曝光后的所述镀金阻挡材料层进行显影，去除未被光固化的所述镀金阻挡材料层，形成所述局部镀金阻挡膜。
[0027]可选的，去除所述镀金阻挡膜和所述中央区的所述引线之前，还包括：
[0028]制作阻焊层，所述阻焊层覆盖除所述引线和镀金后的所述待镀金连接盘之外的区域；
[0029]去除所述镀金阻挡膜和所述中央区的所述引线包括：
[0030]在所述阻焊层远离所述基板的一侧设置第二干膜，所述第二干膜覆盖除所述引线之外的区域；
[0031]刻蚀所述引线；
[0032]去除所述第二干膜。
[0033]可选的，在所述阻焊层远离所述基板的一侧设置第二干膜，所述第二干膜覆盖除所述引线之外的区域，包括：
[0034]在所述阻焊层远离所述基板的一侧设置干膜；
[0035]对所述干膜进行曝光，使需要保留的所述干膜被光固化；
[0036]对曝光后的所述干膜进行显影，去除所述未被光固化的所述干膜，形成所述第二干膜。
[0037]本专利技术实施例通过在基板的边缘区设置镀金辅助连接盘，且镀金辅助连接盘与中央区的待镀金焊盘串联连接，使得镀金时镀金辅助连接盘位于镀金的起始位置，而镀金起始位置的连接盘在镀金时容易被初始电流烧焦，通过设置镀金辅助连接盘，可以避免中央区的待镀金连接盘被初始电流烧焦。
[0038]应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
[0039]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0040]图1是本专利技术实施例一提供的一种镀金电路板的制作方法的流程图；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种镀金电路板的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板，其中，所述基板包括中央区和边缘区，所述中央区设置有多个阵列排布的待镀金连接盘，多个所述阵列排布的待镀金连接盘通过引线相互串联，所述边缘区设置有至少一个镀金辅助连接盘，所述镀金辅助连接盘通过引线与所述中央区的所述待镀金连接盘串联；在所述基板表面设置镀金阻挡膜，所述镀金阻挡膜覆盖除所述待镀金连接盘和所述镀金辅助连接盘之外的非镀金区域；对所述待镀金连接盘和所述镀金辅助连接盘进行镀金；去除所述镀金阻挡膜和所述中央区的所述引线；去除所述边缘区。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述边缘区设置有至少两个镀金辅助连接盘，所述镀金辅助连接盘的宽度与所述待镀金连接盘的宽度的比值大于或等于2，所述镀金辅助连接盘的长度与所述待镀金连接盘的长度的比值大于或等于5。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述引线包括第一引线段和第二引线段，所述第一引线段与所述待镀金连接盘相邻，所述待镀金连接盘的每一与所述引线连接的边缘均通过所述第一引线段与所述第二引线段连接；所述第一引线段的线宽小于所述第二引线段的线宽，所述第一引线段的长度大于或等于第一设定值。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述第二引线段的线宽与所述第一引线段的线宽的差值为1mil，所述第一设定值为2mil，所述边缘区的所述引线的线宽大于所述第二引线段的线宽，且所述边缘区的所述引线的线宽与所述第二引线段的线宽的差值大于或等于2mil。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述基板表面设置镀金阻挡膜，所述镀金覆盖膜覆盖除所述待镀金连接盘和所述镀金辅助连接盘之外非镀金的区域，包括：在所述基板表面设置局部镀金阻挡膜；其中，所述局部镀金阻挡膜覆盖每一所述第一引线段的部分区域以及所述第一引线段之外的其他引线；所述局部镀金阻挡膜包括第一阻挡区和第二阻挡区，每一所述第一引线段对应设置一所述第一阻挡区，所述第一阻挡区覆盖所述第一引线段的部分区域和与所述第一引线段相邻的至少部分第二引线段，所述第二阻挡区覆盖未被所述第一阻挡区覆盖的所述第二引线段；所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志超，彭镜辉，兰富民，姬春霞，
申请(专利权)人：广州广合科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：