具有翻转电压跟随器的存储器读取电路系统技术方案

一种存储器包括用于读取存储在存储器单元中的值的读取电路系统。所述读取电路系统包括用于在存储器读取操作期间将偏置电压提供到耦合到感测放大器的电流路径的节点的翻转电压跟随器。电压跟随器。电压跟随器。

【技术实现步骤摘要】
具有翻转电压跟随器的存储器读取电路系统


[0001]本专利技术涉及存储器。

技术介绍

[0002]存储器用于在电子系统中存储数据。一种类型的存储器是电阻式存储器，其中电阻式存储器中的每个存储器单元包括电阻式存储元件，所述电阻式存储元件取决于存储在存储器单元中的逻辑值而处于高电阻状态(HRS)或低电阻状态(LRS)。利用读取电路系统读取存储在存储器的存储器单元中的逻辑值。

技术实现思路

[0003]在一个实施例中，一种存储器包括多个存储器单元。所述多个存储器单元中的每个存储器单元用于存储值。所述存储器包括用于读取存储在所述多个存储器单元中的值的读取电路系统。所述读取电路系统包括感测放大器，所述感测放大器包括第一输入、第二输入和输出，所述输出用于在存储器读取操作期间基于所述第一输入与所述第二输入的比较提供存储在存储器单元中的值的指示。所述读取电路系统包括第一翻转电压跟随器，所述第一翻转电压跟随器用于在存储器读取操作期间将第一偏置电压提供到耦合到所述第一输入的第一电流路径中的节点。所述第一电流路径耦合到在存储器读取操作期间被读取的所述多个存储器单元中的存储器单元。所述读取电路系统包括第二翻转电压跟随器，所述第二翻转电压跟随器用于在存储器读取操作期间将第二偏置电压提供到耦合到所述第二输入的第二电流路径中的节点。所述第二偏置电压与所述第一偏置电压不同。
[0004]根据实施方式，所述第一偏置电压与所述第二偏置电压之间的电压差指示参考存储器值。
[0005]根据实施方式，所述第一偏置电压与所述第二偏置电压之间的所述电压差介于所述存储器单元存储第一存储器状态值时所述存储器单元两端的第一压降值与指示所述存储器单元在所述存储器读取操作期间存储第二存储器状态值的所述存储器单元两端的第二压降值之间。
[0006]根据实施方式，
[0007]所述第二翻转电压跟随器包括串联耦合的第一晶体管和第二晶体管；
[0008]所述第一晶体管包括第一电流电极和第二电流电极；
[0009]所述第二晶体管包括电流电极，所述电流电极在所述第一晶体管的第一电流电极侧串联耦合到所述第一晶体管，并且包括控制电极，所述控制电极在所述存储器读取操作期间由在所述第一晶体管的第二电流电极侧耦合到所述第一晶体管的节点偏置；
[0010]所述第二翻转电压跟随器在所述存储器读取操作期间在所述第二晶体管的所述电流电极与所述第一晶体管的所述第一电流电极之间的节点处提供所述第二偏置电压。
[0011]根据实施方式，当不执行所述存储器读取操作时，所述第二晶体管的所述控制电极接地。
[0012]根据实施方式，
[0013]所述第一翻转电压跟随器包括串联耦合的第三晶体管和第四晶体管；
[0014]所述第三晶体管包括第一电流电极和第二电流电极；
[0015]所述第四晶体管包括电流电极，所述电流电极在所述第三晶体管的第一电流电极侧串联耦合到所述第三晶体管，并且包括控制电极，所述控制电极在所述存储器读取操作期间由在所述第三晶体管的第二电流电极侧耦合到所述第三晶体管的节点偏置；
[0016]所述第一翻转电压跟随器在所述存储器读取操作期间在所述第四晶体管的所述电流电极与所述第三晶体管的所述第一电流电极之间的节点处提供所述第一偏置电压。
[0017]根据实施方式，存储器另外包括：
[0018]偏置调节器，其包括提供第三偏置电压的第一输出和提供与所述第三偏置电压不同的第四偏置电压的第二输出；
[0019]其中所述第一晶体管的控制电极在所述存储器读取操作期间接收所述第三偏置电压，并且所述第三晶体管的控制电极在所述存储器读取操作期间接收所述第四偏置电压；
[0020]其中所述第三偏置电压与所述第四偏置电压之间的差基于所述存储器读取操作期间参考存储器单元电阻两端的压降。
[0021]根据实施方式，所述第二晶体管位于所述第二电流路径中。
[0022]根据实施方式，所述读取电路系统另外包括：
[0023]第三翻转电压跟随器，其用于在所述存储器读取操作期间在所述第三翻转电压跟随器的输出处提供所述第二偏置电压，所述第三翻转电压跟随器的所述输出连接到提供所述第二偏置电压的所述第二翻转电压跟随器的节点。
[0024]根据实施方式，所述读取电路系统另外包括：
[0025]第三翻转电压跟随器，其用于在所述存储器读取操作期间在所述第三翻转电压跟随器的输出处提供所述第一偏置电压，所述第三翻转电压跟随器的所述输出连接到提供所述第一偏置电压的所述第一翻转电压跟随器的节点。
[0026]根据实施方式，所述读取电路系统另外包括：
[0027]多个感测放大器，其包括所述感测放大器，所述多个感测放大器中的每个感测放大器包括第一输入、第二输入和输出，所述输出用于在所述存储器读取操作期间基于所述每个感测放大器的所述第一输入和所述第二输入的比较提供存储在存储器单元中的值的指示；
[0028]第一多个翻转电压跟随器，其包括所述第一翻转电压跟随器，所述第一多个翻转电压跟随器中的每个翻转电压跟随器用于在所述存储器读取操作期间将所述第一偏置电压提供到耦合到所述多个感测放大器中的感测放大器的所述第一输入的第一电流路径中的节点；
[0029]第二多个翻转电压跟随器，其包括所述第二翻转电压跟随器，所述第二多个翻转电压跟随器中的每个翻转电压跟随器用于在所述存储器读取操作期间在耦合到所述多个感测放大器的感测放大器的所述第二输入的第二电流路径中的节点处提供所述第二偏置电压。
[0030]根据实施方式，所述第二多个翻转电压跟随器中的每个翻转电压跟随器包括用于
在所述存储器读取操作期间提供所述第二偏置电压的节点，用于提供所述第二多个翻转电压跟随器中的所述每个翻转电压跟随器的所述第二偏置电压的所述节点连接在一起。
[0031]根据实施方式，所述第一多个翻转电压跟随器中的每个翻转电压跟随器包括用于提供所述第一偏置电压的节点，用于提供所述第一多个翻转电压跟随器中的所述每个翻转电压跟随器的所述第一偏置电压的所述节点连接在一起。
[0032]根据实施方式，所述多个存储器单元中的所述存储器单元被表征为电阻式存储器单元。
[0033]在另一实施例中，一种存储器包括多个存储器单元。所述多个存储器单元中的每个存储器单元用于存储值。所述存储器包括用于读取存储在所述多个存储器单元中的值的读取电路系统。所述读取电路系统包括感测放大器，所述感测放大器包括第一输入、第二输入和输出，所述输出用于在存储器读取操作期间基于所述第一输入与所述第二输入的比较提供存储在存储器单元中的值的指示。所述第一输入耦合到在所述存储器读取操作期间被读取的所述多个存储器单元中的存储器单元。所述读取电路系统包括翻转电压跟随器，所述翻转电压跟随器用于在存储器读取操作期间将偏置电压提供到耦合到所述第二输入的参考电流路径中的节点。所述翻转电压跟随器包括串联耦合的第一晶体管和第二晶体管。所述第一晶体管包括第一电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：多个存储器单元，所述多个存储器单元中的每个存储器单元用于存储值；读取电路系统，其用于读取存储在所述多个存储器单元中的值，其中所述读取电路系统包括：感测放大器，其包括第一输入、第二输入和输出，所述输出用于在存储器读取操作期间基于所述第一输入与所述第二输入的比较提供存储在存储器单元中的值的指示；第一翻转电压跟随器，其用于在所述存储器读取操作期间将第一偏置电压提供到耦合到所述第一输入的第一电流路径中的节点，所述第一电流路径耦合到在所述存储器读取操作期间被读取的所述多个存储器单元中的存储器单元；第二翻转电压跟随器，其用于在所述存储器读取操作期间将第二偏置电压提供到耦合到所述第二输入的第二电流路径中的节点，所述第二偏置电压与所述第一偏置电压不同。2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一偏置电压与所述第二偏置电压之间的所述电压差介于所述存储器单元存储第一存储器状态值时所述存储器单元两端的第一压降值与指示所述存储器单元在所述存储器读取操作期间存储第二存储器状态值的所述存储器单元两端的第二压降值之间。3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于：所述第二翻转电压跟随器包括串联耦合的第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管包括第一电流电极和第二电流电极；所述第二晶体管包括电流电极，所述电流电极在所述第一晶体管的第一电流电极侧串联耦合到所述第一晶体管，并且包括控制电极，所述控制电极在所述存储器读取操作期间由在所述第一晶体管的第二电流电极侧耦合到所述第一晶体管的节点偏置；所述第二翻转电压跟随器在所述存储器读取操作期间在所述第二晶体管的所述电流电极与所述第一晶体管的所述第一电流电极之间的节点处提供所述第二偏置电压。4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于：所述第一翻转电压跟随器包括串联耦合的第三晶体管和第四晶体管；所述第三晶体管包括第一电流电极和第二电流电极；所述第四晶体管包括电流电极，所述电流电极在所述第三晶体管的第一电流电极侧串联耦合到所述第三晶体管，并且包括控制电极，所述控制电极在所述存储器读取操作期间由在所述第三晶体管的第二电流电极侧耦合到所述第三晶体管的节点偏置；所述第一翻转电压跟随器在所述存储器读取操作期间在所述第四晶体管的所述电流电极与所述第三晶体管的所述第一电流电极之间的节点处提供所述第一偏置电压。5.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，另外包括：偏置调节器，其包括提供第三偏置电压的第一输出和提供与所述第三偏置电压不同的第四偏置电压的第二输出；其中所述第一晶体管的控制电极在所述存储器读取操作期间接收所述第三偏置电压，并且所述第三晶体管的控制电极在所述存储器读取操作期间接收所述第四偏置电压；其中所述第三偏置电压与所述第四偏置电压之间的差基于所述存储器读取操作期间参考存储器单元电阻两端的压降。6.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述读取电路系统另外包括：
多个感测放大器，其包括所述感测放大器，所述多个感测放大器中的每个感测放大器包括第一输入、第二输入和输出，所述输出用于在所述存储器读取操作期间基于所述每个感测放大器的所述第一输入和所述第二输入的比较提供存储在存储器单元中的值的指示；第一多个翻转电压跟随器，其包括所述第一翻转电压跟随器，所述第一多个翻转电压跟随器中的每个翻转电压跟随器用于在所述存储器读取操作期间将所述第一偏置电压提供到耦合到所述多个感测放...

【专利技术属性】
技术研发人员：卡尔希克，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：