基于阻变存储器的高速低精度损失MAC阵列及操作方法技术

本发明专利技术提供一种基于阻变存储器的高速低精度损失MAC阵列，存储有不同权重的相同位的1T1R阻变式存储单元分布在相邻的多条字线上；存储有相同权重的不同位的1T1R阻变式存储单元分布在同一条位线上，且以2

【技术实现步骤摘要】
基于阻变存储器的高速低精度损失MAC阵列及操作方法


[0001]本专利技术涉及存储器
，更为具体地，涉及一种基于阻变存储器的高速低精度损失MAC阵列及操作方法。

技术介绍

[0002]乘加运算(MAC)是神经网络(Neural network)最主要的计算方式，代表两组数(A0,A1,A2…
)(B0,B1,B2…
)分别的乘积的和(A0·
B0+A1·
B1+A2·
B2+
…
)。阻变存储器作为一种非易失性存储器，利用器件的电阻状态来存储信息。当在器件两端施加电压时，输入电压和器件电阻分别代表1bit的信号，以输出电流的形式实现乘法运算。多个输出电流的和则代表了多个1bit输入信号与1bit存储信息的乘积和，即MAC运算。基于阻变存储器(RRAM)的MAC阵列具有高密度、低成本、高能效的特点。本专利技术提出了一种基于阻变存储器的MAC运算阵列架构，在保证较高的运算精度的基础上，利用输入信号时域上的区分，显著提高了计算速度。
[0003]在实际使用中，阻变存储器MAC阵列存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于阻变存储器的高速低精度损失MAC阵列，包括1T1R阻变式存储单元、字线、源线、位线、ADC模块，其特征在于，存储有不同权重的相同位的1T1R阻变式存储单元分布在相邻的多条字线上；存储有相同权重的不同位的1T1R阻变式存储单元分布在同一条位线上，且以2
n
条字线为间隔；每个1T1R阻变式存储单元包括晶体管
‑
阻变存储器；所述阻变存储器包括电阻，所述电阻与所述晶体管相连接，且所述电阻可高可低；所述字线与所述晶体管的栅端相连接，所述字线被译码器控制，所述字线用于传输输入信号；所述源线与所述1T1R阻变式存储单元，且所述源线用于为所述电阻施加电压，以在所述位线上形成偏置电流；所述ADC模块与所述位线相连接，所述ADC模块用于对所述位线中的偏置电流进行转换以形成数字MAC运算结果。2.如权利要求1所述的基于阻变存储器的高速低精度损失MAC阵列，其特征在于，所述偏置电流基于所述输入信号与所述电压生成，反映所述输入信号与所述电阻的乘积。3.如权利要求2所述的基于阻变存储器的高速低精度损失MAC阵列，其特征在于，还包括控制单元，所述控制单元用于同时打开间隔为2
n
的多条字线和预设间隔的多条位线，以形成多个1T1R阻变式存储单元的总计数字MAC运算结果，完成所述输入信号与所述电阻的乘积的求和运算。4.如权利要求3所述的基于阻变存储器的高速低精度损失MAC阵列，其特征在于，所述位线的预设间隔为8m；m小于等于16。5.如权利要求3所述的基于阻变存储器的高速低精度损失MAC阵列，其特征在于，所述控制单元还用于在同时打开间隔为2
n
的多条字线之前，对所述间...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘业帆，周煜梁，
申请(专利权)人：昕原半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：