半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底；第一离子掺杂区和第二离子掺杂区，形成于所述衬底中，所述第一离子掺杂区包围所述第二离子掺杂区，所述第一离子掺杂区和所述第二离子掺杂区用于形成光电二极管；至少一个第三离子掺杂区，间隔地形成于所述第一离子掺杂区的拐角外围的衬底中，所述第三离子掺杂区与所述第一离子掺杂区的掺杂类型不同。本发明专利技术的技术方案能够有效改善光电二极管在边缘的拐角位置提前击穿的问题，从而提升光电二极管的击穿电压的均一性。从而提升光电二极管的击穿电压的均一性。从而提升光电二极管的击穿电压的均一性。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]基于单光子雪崩二极管的探测器具有响应快、灵敏度高的特点，在AR(Augmented Reality，增强现实)/VR(Virtual Reality，虚拟现实)以及车载激光雷达上有着广泛应用。通常在应用时会将单光子雪崩二极管设计成阵列的模式以实现多目标探测以及更高的分别率，这就要求阵列里的单光子雪崩二极管的击穿电压均一性要好，因此，改善器件的边缘击穿效应可以有效解决均一性的问题。最常用的做法就是在单光子雪崩二极管周围形成保护环，比如浅沟槽隔离结构或者离子注入形成的二极管隔离。
[0003]尽管保护环的引入能很好的改善单光子雪崩二极管的边缘击穿问题，但是，单光子雪崩二极管边缘的拐角位置会因为尖端效应导致此位置的电场比边缘其他位置的电场更强，进而导致边缘的拐角位置提前发生击穿，从而导致探测器产生误计数，降低精确度。
[0004]因此，如何改善单光子雪崩二极管在边缘的拐角位置提前击穿，以提高击穿电压的均本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；第一离子掺杂区和第二离子掺杂区，形成于所述衬底中，所述第一离子掺杂区包围所述第二离子掺杂区，所述第一离子掺杂区和所述第二离子掺杂区用于形成光电二极管；至少一个第三离子掺杂区，间隔地形成于所述第一离子掺杂区的拐角外围的衬底中，所述第三离子掺杂区与所述第一离子掺杂区的掺杂类型不同。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一离子掺杂区在平行于所述衬底的截面形状为具有所述拐角的多边形。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：离子重掺杂区，形成于所述第二离子掺杂区的顶部，所述离子重掺杂区与所述第二离子掺杂区的掺杂类型相同。4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第三离子掺杂区与所述离子重掺杂区或所述第二离子掺杂区的离子掺杂浓度相同。5.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第三离子掺杂区与所述离子重掺杂区的深度相同。6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：保护环，形成于所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏丹清，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：