材料缺陷检测方法、装置、电子设备及计算机存储介质制造方法及图纸

本申请涉及半导体技术领域，提供一种材料缺陷检测方法、装置、电子设备及计算机存储介质。包括：基于检测请求发射脉冲激光光束，并将所述脉冲激光光束调节为准直光束；对所述准直光束进行聚焦，使聚焦形成的激光光斑辐射至待检测半导体材料；接收所述待检测半导体材料受所述激光光斑激发产生的机械波，基于所述机械波进行缺陷检测，得到所述待检测半导体材料的缺陷检测结果。本申请由于脉冲激光光束不会对待检测半导体材料产生损害，可以实现待检测半导体材料的无损缺陷检测；同时，基于机械波进行待检测半导体材料的缺陷检测，可以得到精准的缺陷检测结果。因此，可以提高对半导体材料进行缺陷检测的缺陷检测技术的实用性。进行缺陷检测的缺陷检测技术的实用性。进行缺陷检测的缺陷检测技术的实用性。

【技术实现步骤摘要】
材料缺陷检测方法、装置、电子设备及计算机存储介质


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种材料缺陷检测方法、装置、电子设备及计算机存储介质。

技术介绍

[0002]现有制备碳化硅、硅、氮化镓等半导体材料的技术存在产品缺陷较多的问题，如微管、空泡、螺位错、刃位错、基晶面位错，致使工艺良品率较低。而缺陷的表征直接影响半导体器件的性能，例如，微管缺陷会导致器件失能与压降降低，因此需要对制备的半导体材料进行缺陷检测。目前，对半导体材料进行缺陷检测时采用化学腐蚀技术，但是，化学腐蚀技术会对半导体材料造成不可恢复的损伤且检测精度低，导致当前对半导体材料进行缺陷检测的缺陷检测技术的实用性低。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种材料缺陷检测方法、装置、电子设备及计算机存储介质，用以解决当前的缺陷检测技术会对半导体材料造成不可恢复的损伤且检测精度低，导致对半导体材料进行缺陷检测的缺陷检测技术的实用性低的问题。
[0004]第一方面，本申请实施例提供一种材料缺陷检测方法，包括：
[0005]基于检测请求发射脉冲本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种材料缺陷检测方法，其特征在于，包括：基于检测请求发射脉冲激光光束，并将所述脉冲激光光束调节为准直光束；对所述准直光束进行聚焦，使聚焦形成的激光光斑辐射至待检测半导体材料；接收所述待检测半导体材料受所述激光光斑激发产生的机械波，基于所述机械波进行缺陷检测，得到所述待检测半导体材料的缺陷检测结果，所述缺陷检测结果包括缺陷类型、缺陷尺寸中的一项或多项。2.根据权利要求1所述的材料缺陷检测方法，其特征在于，所述基于所述机械波进行缺陷检测，得到所述待检测半导体材料的缺陷检测结果，包括：对所述机械波进行数据转换，得到待处理信号；对所述待处理信号进行图像处理，得到缺陷图像；基于所述缺陷图像，确定所述待检测半导体材料的缺陷检测结果。3.根据权利要求2所述的材料缺陷检测方法，其特征在于，所述基于所述缺陷图像，确定所述待检测半导体材料的缺陷检测结果，包括：对所述缺陷图像进行图像识别；若图像识别成功，则得到所述待检测半导体材料的缺陷类型；将所述缺陷类型确定为所述待检测半导体材料的缺陷检测结果。4.根据权利要求3所述的材料缺陷检测方法，其特征在于，所述对所述缺陷图像进行图像识别之后，还包括：若图像识别失败，则调整所述准直光束的分辨率，得到调整后的准直光束；对调整后的准直光束进行聚焦，使聚焦形成的激光光斑辐射至基于所述缺陷图像进行位置调整后的待检测半导体材料；执行接收所述待检测半导体材料受所述激光光斑辐射产生的机械波，基于所述机械波进行缺陷检测，得到所述待检测半导体材料的缺陷检测结果的步骤，直至图像识别成功，得到所述待检测半导体材料的缺陷检测结果，或执行次数达到预设次数阈值。5.根据权利要求2所述的材料缺陷检测方法，其特征在于，所述对所述待处理信号进行图像处理，得到缺陷图像，包括：对所述待处理信号进行去噪处理，得到去噪后的待处理信号；对去噪后的待处理信号进行希尔伯特变换，得到变换后的信号...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖云峰，张方醒，季胜强，孙伽略，柏雁捷，皇甫胜男，董跨，
申请(专利权)人：北京大学长三角光电科学研究院，
类型：发明
国别省市：