一种5G基站天线耦合器印制板生产工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种5G基站天线耦合器印制板生产工艺，包括以下工艺：在对线宽和线距公差的控制时，NPTH板:1/1OZ铜厚内层芯板，控制公差在

【技术实现步骤摘要】
一种5G基站天线耦合器印制板生产工艺


[0001]本专利技术涉及5G基站领域，特别涉及一种5G基站天线耦合器印制板生产工艺。

技术介绍

[0002]5G基站是5G网络的核心设备，提供无线覆盖，实现有线通信网络与无线终端之间的无线信号传输。基站的架构、形态直接影响5G网络如何部署。在技术标准中，5G的频段远高于2G、3G和4G网络，5G网络现阶段主要工作在3000
‑
5000MHz频段。由于频率越高，信号传播过程中的衰减也越大，所以5G网络的基站密度将更高。
[0003]2020年4月30日，全球海拔最高的5G基站正式投入使用，5G信号首次“登顶”世界之巅，现有的5G基站天线耦合器印制板的生产工艺无法更好的满足人们的需求，因此需要提供一种5G基站天线耦合器印制板生产工艺。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种5G基站天线耦合器印制板生产工艺，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种5G基站天线耦合器印制板生产工艺，包括以下工艺：
[0006]在对线宽和线距公差的控制时，NPTH板:1/1OZ铜厚内层芯板，控制公差在
±
10um范围内，PTH板:1/1OZ基铜厚板，控制公差在
±
15um范围内；蚀刻角度的控制时，蚀刻角度≥800，蚀刻因子的控制时，NPTH板控制蚀刻因子≥7.0，PTH板控制蚀刻因子≥5.0，铜面棕化层的粗糙度的控制，棕化过程不许做返工处理，微蚀量控制1.2～2.0um，RZ控制1.0～1.5um.离子污染≤1.56ug Eq NaCl/Sp.cm，介质的均匀性的控制，在保证填胶量的情况下，选择低流动性的介质材料，以保证介质层的均匀性，介质厚度按
±
5％公差控制。
[0007]优选的，铜面正常过1次棕化层的粗糙度：微蚀量:1.35um，Ra:0.182，Rz:1.16，铜面正常过2次棕化层的粗糙度：微蚀量:2.36um，Ra:0.221，Rz:1.79，铜面正常过3次棕化层的粗糙度：微蚀量:3.19um，Ra:0.304，Rz:2.05。
[0008]优选的，在对介质的均匀性控制的时候，采用低流动性的高胶PP，且胶含量为84％，采用合理的升温速率，将PP的外溢胶量控制在0～2mm范围内，介质层的均匀性控制在
±
5％范围内。
[0009]优选的，在进行印制板孔粗的控制时，采用纳米镀膜刀生产，选用特殊的底板和盖板，且叠板数降到1～2片/叠，钻孔孔限降低50％以下，孔粗控制在1.0mil以下。
[0010]优选的，孔壁残胶采用一次Plasma进行除胶加工处理。
[0011]优选的，对电镀铜厚度及其均匀性的控制时，采用选进的VCP线生产，电镀铜厚极差控制
±
3um。
[0012]本专利技术的技术效果和优点：通过对介质的均匀性控制、印制板孔粗的控制和孔壁残胶的控制，可以很好的进行5G基站天线耦合器印制板生产，使得5G基站天线耦合器印制
板更加规范。
具体实施方式
[0013]下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0014]本专利技术提供了一种5G基站天线耦合器印制板生产工艺，包括以下工艺：
[0015]在对线宽和线距公差的控制时，NPTH板:1/1OZ铜厚内层芯板，控制公差在
±
10um范围内，PTH板:1/1OZ基铜厚板，控制公差在
±
15um范围内；蚀刻角度的控制时，蚀刻角度≥800，蚀刻因子的控制时，NPTH板控制蚀刻因子≥7.0，PTH板控制蚀刻因子≥5.0，铜面棕化层的粗糙度的控制，棕化过程不许做返工处理，微蚀量控制1.2～2.0um，RZ控制1.0～1.5um.离子污染≤1.56ug Eq NaCl/Sp.cm，介质的均匀性的控制，在保证填胶量的情况下，选择低流动性的介质材料，以保证介质层的均匀性，介质厚度按
±
5％公差控制；
[0016]铜面正常过1次棕化层的粗糙度：微蚀量:1.35um，Ra:0.182，Rz:1.16，铜面正常过2次棕化层的粗糙度：微蚀量:2.36um，Ra:0.221，Rz:1.79，铜面正常过3次棕化层的粗糙度：微蚀量:3.19um，Ra:0.304，Rz:2.05，在对介质的均匀性控制的时候，采用低流动性的高胶PP，且胶含量为84％，采用合理的升温速率，将PP的外溢胶量控制在0～2mm范围内，介质层的均匀性控制在
±
5％范围内，在进行印制板孔粗的控制时，采用纳米镀膜刀生产，选用特殊的底板和盖板，且叠板数降到1～2片/叠，钻孔孔限降低50％以下，孔粗控制在1.0mil以下，孔壁残胶采用一次Plasma进行除胶加工处理，对电镀铜厚度及其均匀性的控制时，采用选进的VCP线生产，电镀铜厚极差控制
±
3um。
[0017]最后应说明的是：以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。
[0018]在本专利技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0019]本专利技术使用到的标准零件均可以从市场上购买，异形件根据说明书的记载均可以进行订制。
[0020]尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种5G基站天线耦合器印制板生产工艺，其特征在于，包括以下工艺：在对线宽和线距公差的控制时，NPTH板:1/1OZ铜厚内层芯板，控制公差在
±
10um范围内，PTH板:1/1OZ基铜厚板，控制公差在
±
15um范围内；蚀刻角度的控制时，蚀刻角度≥800，蚀刻因子的控制时，NPTH板控制蚀刻因子≥7.0，PTH板控制蚀刻因子≥5.0，铜面棕化层的粗糙度的控制，棕化过程不许做返工处理，微蚀量控制1.2～2.0um，RZ控制1.0～1.5um.离子污染≤1.56ug Eq NaCl/Sp.cm，介质的均匀性的控制，在保证填胶量的情况下，选择低流动性的介质材料，以保证介质层的均匀性，介质厚度按
±
5％公差控制。2.根据权利要求1所述的一种5G基站天线耦合器印制板生产工艺，其特征在于，铜面正常过1次棕化层的粗糙度：微蚀量:1.35um，Ra:0.182，Rz:1.16，铜面正常过2次棕化层的粗糙度：微蚀量:2.36um，Ra:0....

【专利技术属性】
技术研发人员：吴晓东，万礼，李后勇，
申请(专利权)人：江苏迪飞达电子有限公司，
类型：发明
国别省市：