一种栅极抗负电压的碳化硅沟槽MOSFET及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种栅极抗负电压的碳化硅沟槽MOSFET及其制备方法，本发明专利技术通过制备刻蚀及注入混合掩膜层，利用预刻蚀的方法，先刻蚀部分碳化硅沟槽；再次刻蚀混合掩膜层开孔，然后刻蚀碳化硅，得到深浅不一的碳化硅沟槽；利用侧壁保护层掩膜技术，对深沟槽底部及侧壁进行全部注入；浅沟槽仅注入沟槽底部；清除混合掩膜层，沉积碳膜并高温退火；制备栅氧沉积多晶硅，利用掩膜板，清除深沟槽的多晶硅及栅氧，去除碳化硅顶部的栅氧；沉积隔离介质层，利用掩膜技术刻蚀掉深沟槽的隔离介质层，并制备栅极，源极及漏极。由于深槽的作用，耗尽了附近的N型区，致使浅沟槽栅极处的N型区承压较低，此时栅极加负压，栅氧两侧电压较小，栅极不易击穿。穿。穿。

【技术实现步骤摘要】
一种栅极抗负电压的碳化硅沟槽MOSFET及其制备方法


[0001]本专利技术涉及碳化硅沟槽MOSFET制备
，具体涉及一种栅极抗负电压的碳化硅沟槽MOSFET及其制备方法。

技术介绍

[0002]碳化硅MOSFET是现代电力电子器件的重要组成部分，由于其具有高频高功率密度的特点，可以大幅缩减电源体积，并提升转换效率。碳化硅MOSFET主要包含平面和沟槽两种结构，由于平面碳化硅MOSFET的沟道迁移率低，电流密度没有沟槽型碳化硅MOSFET表现的好。
[0003]在现有技术中，沟槽型碳化硅MOSFET的栅极容易被击穿，因此，有必要提高沟槽型碳化硅MOSFET中栅极抗负电压的能力，进而提高栅极被击穿能力。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提供了一种栅极抗负电压的碳化硅沟槽MOSFET制备方法，解决了现有技术中沟槽型碳化硅MOSFET的栅极容易被击穿的技术问题。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供了一种栅极抗负电压的碳化硅沟槽MOSFET，包括漏极，位于所述漏极上方的碳化硅N+衬底，位于所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种栅极抗负电压的碳化硅沟槽MOSFET，其特征在于，包括：漏极，位于所述漏极上方的碳化硅N+衬底，位于所述碳化硅N+衬底上方的碳化硅N
‑
外延，位于所述碳化硅N
‑
外延内部上方的左侧P+区和右侧P+区，位于所述右侧P+区上方的沟道区和栅极，位于所述沟道区和栅极两侧的Pwell区和N+阱，位于所述Pwell区和N+阱上方的隔离介质层，位于所述隔离介质层的源极；其中，所述左侧P+区的深度比右侧P+区的深度大，所述Pwell区位于所述N+阱区的下方。2.根据权利要求1所述的栅极抗负电压的碳化硅沟槽MOSFET，其特征在于，所述左侧P+区呈现“U”型结构。3.根据权利要求1所述的栅极抗负电压的碳化硅沟槽MOSFET，其特征在于，所述沟道区呈现“U”型结构。4.根据权利要求1所述的栅极抗负电压的碳化硅沟槽MOSFET，其特征在于，所述左侧P+区上方呈现的U型槽与所述源极直接连接。5.一种如权利要求1
‑
4任一项所述的栅极抗负电压的碳化硅沟槽MOSFET的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：通过注入或外延的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：张益鸣，刘杰，
申请(专利权)人：深圳芯能半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：