金字塔形晶体管制造技术

本申请案涉及金字塔形晶体管。晶体管包含由沟道宽度平面中的三角形形状或梯形形状及沟道长度平面中的梯形形状界定的金字塔形栅极沟槽。所述金字塔形栅极沟槽的侧壁部分形成在所述沟道宽度平面中具有三角形形状或梯形形状的沟道。有利地，此类晶体管增加跨导而不会增加像素宽度。还提供并入此类晶体管的装置、图像传感器及像素，以及其制造方法。以及其制造方法。以及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】
金字塔形晶体管


[0001]本公开大体上涉及图像传感器，且特定来说但不排他地，涉及用于图像传感器的源极跟随器，及制造用于图像传感器的晶体管的方法。

技术介绍

[0002]图像传感器无处不在。它们广泛用于数码相机、手机、监控相机以及医疗、汽车及其它应用中。用以制造图像传感器的技术持续高速发展。例如，对更高分辨率及更低功率消耗的需求促进这些装置的进一步小型化及集成化。这些趋势也有助于增加像素计数。
[0003]在图像传感器中，随着像素计数增加，位线设置时间也由于更高的位线负载而增加。为了维持高帧率操作，可通过缩短源极跟随器沟道的长度及/或通过增加源极跟随器沟道的宽度来增加图像传感器源极跟随器晶体管的跨导(Gm)。类似地，可通过缩短行选择沟道的长度及/或通过增加行选择沟道的宽度来增加图像传感器行选择晶体管的Gm。然而，缩短源极跟随器沟道长度及/或行选择沟道长度可能导致有害效应，例如短沟道效应及不合意噪声，例如随机电报信号(RTS)。缩短沟道长度也受像素大小的极限约束。加宽源极跟随器沟道宽度及/或行选择沟道宽度可能导致像素大小的不合意增加。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成在半导体衬底中的晶体管，其包括：栅极沟槽，其形成在所述半导体衬底中，其中所述栅极沟槽包含在脊处会聚的多个侧壁部分；源极，其形成在所述栅极沟槽下面；漏极，其形成在所述栅极沟槽下面；隔离层，其在所述源极与所述漏极之间安置在所述栅极沟槽上；及栅极，其安置在所述隔离层上，其中所述多个侧壁部分、所述脊及所述半导体衬底的顶表面在延伸穿过所述栅极且垂直于所述脊的沟道宽度平面中界定V形或梯形形状。2.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述栅极沟槽由各自与所述脊的相对端形成钝角的多个端壁部分进一步界定。3.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述晶体管是源极跟随器晶体管、行选择晶体管或复位晶体管。4.根据权利要求2所述的晶体管，其中所述脊是形成在所述半导体衬底中的线或平面。5.根据权利要求4所述的晶体管，其中所述脊及所述多个侧壁部分一起指向远离所述栅极的方向。6.根据权利要求2所述的晶体管，其中所述多个侧壁部分、所述脊及所述半导体衬底的所述顶表面在所述沟道宽度平面中一起形成第一形状，且其中所述多个端壁部分、所述脊及所述半导体衬底的所述顶表面在延伸穿过所述栅极且平行于所述脊的沟道长度平面中一起形成不同的第二形状。7.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述源极及所述漏极中的每一者具有符合所述栅极沟槽的所述多个侧壁部分的形状。8.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述源极与所述漏极通过所述栅极沟槽对准。9.根据权利要求8所述的晶体管，其中所述源极与所述漏极通过所述脊对准。10.根据权利要求1所述的晶体管，其中在所述沟道宽度平面中，所述栅极具有形成与所述栅极沟槽的所述多个侧壁部分互补的第二V形的多个栅极表面。11.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述栅极沟槽是在所述沟道宽度平面中形成在所述半导体衬底中的多个栅极沟槽中的第一栅极沟槽。12.根据权利要求11所述的晶体管，其中所述多个栅极沟槽包括包含所述第一栅极沟槽的至少两个栅极沟槽。13.根据权利要求12所述的晶体管，其中所述多个栅极沟槽包括包含所述第一栅极沟槽的至少三个栅极沟槽。14.根据权利要求12所述的晶体管，其中所述多个栅极沟槽在所述沟道宽度平面中界定所述半导体衬底的至少一个非平面结构。15.根据权利要求14所述的晶体管，其中所述多个栅极沟槽中的第一栅极沟槽在所述半导体衬底中延伸到第...

【专利技术属性】
技术研发人员：臧辉，陈刚，
申请(专利权)人：豪威科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：