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本发明提供了一种栅极抗负电压的碳化硅沟槽MOSFET及其制备方法，本发明通过制备刻蚀及注入混合掩膜层，利用预刻蚀的方法，先刻蚀部分碳化硅沟槽；再次刻蚀混合掩膜层开孔，然后刻蚀碳化硅，得到深浅不一的碳化硅沟槽；利用侧壁保护层掩膜技术，对深沟槽...
该专利属于深圳芯能半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳芯能半导体技术有限公司授权不得商用。

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