【技术实现步骤摘要】
肖特基二极管及其制备方法
[0001]本申请涉及半导体芯片制造
，特别涉及一种肖特基二极管及其制备方法。
技术介绍
[0002]区别于由P型半导体(也称空穴型半导体)和N型半导体(也称电子型半导体)构成的PN结(p
‑
n junction)二极管，肖特基二极管(schottky barrier diode，SBD)是指利用金属和半导体接触形成金属
‑
半导体结原理制作形成的二极管。在制备肖特基二极管时，需要在肖特基二极管芯片的正面形成正面电极(即阳极)，并在肖特基二极管芯片的背面形成背面电极(即阴极)。
[0003]相关技术中，肖特基二极管的正面电极一般为钛、镍、银三层金属结构或者钒、镍、银三层金属结构。然而，这种结构的肖特基二极管在高频条件下工作时其正面电极容易发生银离子迁移，这会导致肖特基二极管失效。
技术实现思路
[0004]本申请提供了一种肖特基二极管及其制备方法，可以解决相关技术中肖特基二极管在高频条件下工作时正面电极容易发生银离子迁移的问题，从而延长...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括：提供肖特基二极管芯片，所述肖特基二极管芯片包括衬底层、外延层和势垒层，所述外延层和所述衬底层沿预设方向层叠设置；沿垂直于所述预设方向的方向，所述外延层具有第一区域和环绕所述第一区域的第二区域，所述势垒层位于所述外延层远离所述衬底层的一侧且嵌入所述外延层的第一区域；在所述肖特基二极管芯片具有所述势垒层的一侧形成至少覆盖所述势垒层的第一金属层，所述第一金属层的材料包括金属铝，且不包括金属银；在所述第一金属层远离所述势垒层的一侧对所述第一金属层进行化学镀镍，以形成镍金属层；在所述镍金属层远离所述第一金属层的一侧对所述镍金属层进行化学镀金，以形成金金属层；在所述肖特基二极管芯片不具有所述势垒层的一侧形成第二金属层。2.如权利要求1所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述肖特基二极管芯片还包括保护环，所述保护环位于所述外延层远离所述衬底层的一侧且覆盖所述外延层的第二区域；沿所述预设方向，所述势垒层的高度低于所述保护环的高度；沿垂直于所述预设方向的方向，所述保护环包括第三区域和环绕所述第三区域的第四区域；所述第一金属层包括沿所述预设方向层叠的第一子金属层和第二子金属层，所述在所述肖特基二极管芯片具有所述势垒层的一侧形成至少覆盖所述势垒层的第一金属层，包括：在所述肖特基二极管芯片具有所述势垒层的一侧蒸发金属钛，形成钛金属层，所述钛金属层覆盖所述势垒层远离所述衬底层的表面、所述保护环远离所述外延层的表面以及所述保护环的内表面；在所述钛金属层远离所述肖特基二极管芯片的一侧蒸发金属铝，形成铝金属层，所述铝金属层覆盖所述钛金属层；形成覆盖所述铝金属层的光刻胶，并对所述光刻胶进行光刻，以形成图案化结构，沿所述预设方向，所述图案化结构的投影与所述第四区域的投影重叠；通过所述图案化结构对所述铝金属层进行腐蚀，以得到第二子金属层；通过所述图案化结构对所述钛金属层进行腐蚀，以得到第一子金属层。3.如权利要求1所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述在所述第一金属层远离所述势垒层的一侧对所述第一金属层进行化学镀镍之前，还包括：在所述第一金属层远离所述势垒层的一侧形成钝化层，所述钝化层具有通孔，所述通孔用于暴露所述第一金属层的部分表面，所述通孔在所述势垒层所在平面的正投影位于所述势垒层内。4.如权利要求1至3任意一项所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述在所述第一金属层远离所述势垒层的一侧对所述第一金属层进行化学镀镍，包括：在所述第一金属层远离所述势垒层的一侧对所述第一金属层进行化学镀锌，以形成锌金属层；将形成有所述锌金属层的结构置于含镍离子的溶液中，以将所述锌金属层置换为镍金属层。
5.如权利要求4所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述在所述第一金属层远离所述势垒层的一侧对所述第一金属层进行化学镀锌，包括：将形成有所述第一金属层的结构置于沉锌剂中，以在所述第一金...
【专利技术属性】
技术研发人员：李京兵，王国峰，呼彩霞，
申请(专利权)人：北海惠科半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。