具有高效边缘结构的半导体器件的制造方法技术

本公开涉及具有高效边缘结构的半导体器件的制造方法。一种电子器件的制造方法包括：形成N型的漂移层；在漂移层中形成沟槽；通过注入P型的掺杂剂物种，在沟槽旁边形成边缘终止结构；以及通过挖掘漂移层，在沟槽与边缘终止结构之间形成凹陷区域。形成凹陷区域和沟槽的步骤同时执行。形成凹陷区域的步骤包括将漂移层图案化，以与边缘终止结构形成具有第一斜率的结构连接，并且形成沟槽的步骤包括蚀刻漂移层，以限定沟槽的侧壁，该侧壁具有比第一斜率更陡的第二斜率。更陡的第二斜率。更陡的第二斜率。

【技术实现步骤摘要】
具有高效边缘结构的半导体器件的制造方法
[0001]本申请是2018年12月04日提交的201811474637.9号的专利技术专利申请(名称为“具有高效边缘结构的半导体器件的制造方法”)的分案申请。


[0002]本公开涉及一种设置有边缘结构的电子器件(例如，基于碳化硅)。

技术介绍

[0003]众所周知，具有宽禁带间隙(具体地，禁带间隙的能量值Eg大于1.1eV)、低导通状态电阻(R
ON
)、高热导率值、高操作频率以及高载流子速度饱和的半导体材料对于生产诸如二极管或晶体管的电子部件来说、具体地对于功率应用来说是理想的。具有所述特性并且被设计为用于制造电子部件的材料是碳化硅(SiC)。具体地，针对先前列出的性质，处于其不同多型体(例如，3C
‑
SiC、4H
‑
SiC、6H
‑
SiC)中的碳化硅优于硅。
[0004]与被设置在硅衬底上的类似器件相比，被设置在碳化硅衬底上的电子器件呈现出许多有利特性，诸如传导中的低输出电阻、低泄漏电流、高工作温度以及高工作频率。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于二极管的结构，包括：第一导电性的衬底；在所述衬底的第一侧上的第一导电性的漂移层，所述骗一层具有与所述衬底的所述第一侧远离的第一表面；在所述漂移层的所述第一表面中的第一沟槽，所述第一沟槽包括在第一方向上彼此相对的侧壁和过渡区域，所述侧壁具有比所述过渡区域的第二斜率更陡的第一斜率；以及在所述漂移层的第一表面上并且横向于所述沟槽的边缘终止结构，所述边缘终止结构具有与所述第一导电性不同的第二导电性，所述沟槽的过渡区域靠近所述边缘终止结构。2.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一斜率被包括在10
°
与60
°
之间，并且所述第二斜率被包括在80
°
与90
°
之间。3.根据权利要求1所述的结构，其中所述漂移层具有比所述衬底的掺杂剂浓度低的第一导电掺杂剂的掺杂剂浓度。4.根据权利要求1所述的结构，其中所述漂移层是碳化硅。5.根据权利要求1所述的结构，包括在所述漂移层的所述第一表面中的第二沟槽，所述第二沟槽具有在所述第一方向上相对的两个侧壁，两个所述侧壁中的每一个具有在80
°
至90
°
范围内的斜率。6.根据权利要求5所述的结构，包括在所述第二沟槽上的结势垒元件，所述结势垒元件具有不同于所述第一导电性的第二导电性。7.根据权利要求1所述的结构，包括在所述第一沟槽上的阳极区域，所述阳极区域具有不同于所述第一导电性的第二导电性。8.根据权利要求7所述的结构，其中所述边缘终止结构包括第二导电性的边缘区域，所述边缘区域与所述阳极区域重叠。9.根据权利要求7所述的结构，包括在所述阳极区域上的阳极电极。10.根据权利要求9所述的结构，包括在所述阳极电极和所述阳极区域之间的金属界面层。11.根据权利要求9所述的结构，包括将所述阳极电极与所述边缘终止结构分开的绝缘结构。12.根据权利要求9所述的结构，包括在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：E，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：