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本公开涉及具有高效边缘结构的半导体器件的制造方法。一种电子器件的制造方法包括：形成N型的漂移层；在漂移层中形成沟槽；通过注入P型的掺杂剂物种，在沟槽旁边形成边缘终止结构；以及通过挖掘漂移层，在沟槽与边缘终止结构之间形成凹陷区域。形成凹陷区域...
该专利属于意法半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体股份有限公司授权不得商用。

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