存储器的编程方法、存储器及存储系统技术方案

本申请提供了一种存储器的编程方法、存储器及存储系统，涉及存储技术领域。该方法包括：在对至少两个存储单元进行同步编程的编程验证过程中，获取至少两个存储单元在第n次编程脉冲循环阶段对第m个数据态的编程验证结果；响应于至少两个存储单元中存在编程验证失败的存储单元，且验证次数达到最大验证次数，禁用编程验证失败的存储单元，并在第n次编程脉冲循环阶段中对第m+1个数据态进行验证。在编程验证的过程中，当经过最大验证次数后存在坏块被禁用时，无需进入下一个编程脉冲循环阶段进行编程后再进行编程验证，直接在当前编程脉冲循环阶段中进行后续数据态的编程验证，从而提高了编程验证的效率。提高了编程验证的效率。提高了编程验证的效率。

【技术实现步骤摘要】
存储器的编程方法、存储器及存储系统


[0001]本申请涉及存储
，特别涉及一种存储器的编程方法、存储器及存储系统。

技术介绍

[0002]三维(3
‑
dimension，3D)存储器在编程时支持多面编程(multi
‑
plane program)，即处于不同存储块的存储单元能够同步进行编程。
[0003]其中，编程过程通过步进式脉冲电压编程(Increment Step Pulse Program，ISPP)方式实现，在ISPP中的每个脉冲阶段施加一定脉冲宽度的编程电压进行编程，并在施加编程电压后通过验证电压进行验证。
[0004]然而，当多个存储块中存在被损坏的坏块(Grown Bad Block，GBB)时，坏块的验证过程会对正常存储块的编程过程产生影响，从而导致编程效率较低的问题。

技术实现思路

[0005]本申请提供了一种存储器的编程方法、存储器及存储系统，可以提高编程验证效率。所述技术方案如下：
[0006]一方面，提供了一种存储器的编程方法，所述方法包括：
[0007]在对多个存储块进行同步编程的编程验证过程中，获取所述多个存储块在第n次编程脉冲循环阶段对第m个数据态的编程验证结果，n和m皆为正整数；
[0008]响应于所述多个存储块中存在编程验证失败的存储块，且针对第m个数据态的验证次数达到最大验证次数，禁用所述编程验证失败的存储块，并在第n次编程脉冲循环阶段中对第m+1个数据态进行验证。
[0009]在一个可选的实施例中，所述在第n次编程脉冲循环阶段中对第m+1个数据态进行验证，包括：
[0010]在第n次编程脉冲循环阶段获取第m+1个数据态对应的编程阈值电压；
[0011]确定所述多个存储块中除被禁用的存储块以外的其他存储块对应的编程脉冲电压；
[0012]对所述编程脉冲电压与第m+1个数据态对应的编程阈值电压进行比较；
[0013]基于所述编程脉冲电压与第m+1个数据态对应的编程阈值电压的比较情况，对第m+1个数据态进行验证。
[0014]在一个可选的实施例中，所述方法还包括：
[0015]响应于所述多个存储块中存在编程验证失败的存储块，且针对第m个数据态的验证次数未达到最大验证次数，在第n+1次编程脉冲循环阶段对第m个数据态进行验证。
[0016]在一个可选的实施例中，所述方法还包括：
[0017]响应于所述多个存储块编程验证通过，且当前编程验证过程在所述第n次编程脉冲循环阶段中非首次验证过程，在第n次编程脉冲循环阶段中对当前数据态的后续数据态进行验证。
[0018]在一个可选的实施例中，所述方法还包括：
[0019]响应于所述多个存储块编程验证通过，且当前编程验证过程是所述第n次编程脉冲循环阶段中的首次验证过程，在第n+1次编程脉冲循环阶段中对第m+1个数据态进行验证。
[0020]在一个可选的实施例中，所述在第n+1次编程脉冲循环阶段中对第m+1个数据态进行验证，包括：
[0021]获取数据态验证阈值，所述数据态验证阈值用于表示所述多个存储块所需要编程达到的数据态总数；
[0022]响应于第m+1个数据态未达到所述数据态验证阈值，在第n+1次编程脉冲循环阶段中对第m+1个数据态进行验证。
[0023]在一个可选的实施例中，所述方法还包括：
[0024]响应于第m+1个数据态达到所述数据态验证阈值，结束所述编程脉冲循环。
[0025]在一个可选的实施例中，所述方法还包括：
[0026]响应于所述多个存储块中存在未达到第m个数据态对应的编程阈值电压的存储块，则确定所述多个存储块中存在编程验证失败的存储块；
[0027]响应于所述多个存储块达到第m个数据态对应的所述编程阈值电压，确定所述多个存储块编程验证成功。
[0028]在一个可选的实施例中，所述方法还包括：
[0029]响应于所述多个存储块中目标存储块的存储单元在编程后未达到第m个数据态对应的编程阈值电压，确定所述目标存储块编程验证失败。
[0030]另一方面，提供了一种存储器，所述存储器包括：存储阵列单元和外围逻辑单元，所述存储阵列单元中包括多个存储块，所述外围逻辑单元包括控制电路；
[0031]所述控制电路，被配置为在对多个存储块进行同步编程的编程验证过程中，获取所述多个存储块在第n次编程脉冲循环阶段对第m个数据态的编程验证结果，n和m皆为正整数；
[0032]所述控制电路，还被配置为响应于所述多个存储块中存在编程验证失败的存储块，且针对第m个数据态的验证次数达到最大验证次数，禁用所述编程验证失败的存储块，并在第n次编程脉冲循环阶段中对第m+1个数据态进行验证。
[0033]在一个可选的实施例中，所述控制电路，还被配置为在第n次编程脉冲循环阶段获取第m+1个数据态对应的编程阈值电压；确定所述多个存储块中除被禁用的存储块以外的其他存储块对应的编程脉冲电压；对所述编程脉冲电压与第m+1个数据态对应的编程阈值电压进行比较；基于所述编程脉冲电压与第m+1个数据态对应的编程阈值电压的比较情况，对第m+1个数据态进行验证。
[0034]在一个可选的实施例中，所述控制电路，还被配置为响应于所述多个存储块中存在编程验证失败的存储块，且针对第m个数据态的验证次数未达到最大验证次数，在第n+1次编程脉冲循环阶段对第m个数据态进行验证。
[0035]在一个可选的实施例中，所述控制电路，还被配置为响应于所述多个存储块编程验证通过，且当前编程验证过程在所述第n次编程脉冲循环阶段中非首次验证过程，在第n次编程脉冲循环阶段中对当前数据态的后续数据态进行验证。
[0036]在一个可选的实施例中，所述控制电路，还被配置为响应于所述多个存储块编程验证通过，且当前编程验证过程是所述第n次编程脉冲循环阶段中的首次验证过程，在第n+1次编程脉冲循环阶段中对第m+1个数据态进行验证。
[0037]在一个可选的实施例中，所述控制电路，还被配置为获取数据态验证阈值，所述数据态验证阈值用于表示所述多个存储块所需要编程达到的数据态总数；响应于第m+1个数据态未达到所述数据态验证阈值，在第n+1次编程脉冲循环阶段中对第m+1个数据态进行验证。
[0038]在一个可选的实施例中，所述控制电路，还被配置为响应于第m+1个数据态达到所述数据态验证阈值，结束所述编程脉冲循环。
[0039]在一个可选的实施例中，所述控制电路，还被配置为响应于所述多个存储块中存在未达到第m个数据态对应的编程阈值电压的存储块，则确定所述多个存储块中存在编程验证失败的存储块；响应于所述多个存储块达到第m个数据态对应的所述编程阈值电压，确定所述多个存储块编程验证成功。
[0040]在一个可选的实施例中，所述控制电路，还被配置为响应于所述多个存储块中目标存储块的存储单元在编程后未达到第m个数据态对应的编程阈值电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器的编程方法，其特征在于，所述方法包括：在对多个存储块进行编程的编程验证过程中，获取多个存储块在第n次编程脉冲循环阶段对第m个数据态的编程验证结果，n和m皆为正整数；响应于所述多个存储块中存在编程验证失败的存储块，且针对第m个数据态的验证次数达到最大验证次数，禁用所述编程验证失败的存储块，并在第n次编程脉冲循环阶段中对第m+1个数据态进行验证。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第n次编程脉冲循环阶段中对第m+1个数据态进行验证，包括：在第n次编程脉冲循环阶段获取第m+1个数据态对应的编程阈值电压；确定所述多个存储块中除被禁用的存储块以外的其他存储块对应的编程脉冲电压；对所述编程脉冲电压与第m+1个数据态对应的编程阈值电压进行比较；基于所述编程脉冲电压与第m+1个数据态对应的编程阈值电压的比较情况，对第m+1个数据态进行验证。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：响应于所述多个存储块中存在编程验证失败的存储块，且针对第m个数据态的验证次数未达到最大验证次数，在第n+1次编程脉冲循环阶段对第m个数据态进行验证。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：响应于所述多个存储块编程验证通过，且当前编程验证过程在所述第n次编程脉冲循环阶段中非首次验证过程，在第n次编程脉冲循环阶段中对当前数据态的后续数据态进行验证。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：响应于所述多个存储块编程验证通过，且当前编程验证过程是所述第n次编程脉冲循环阶段中的首次验证过程，在第n+1次编程脉冲循环阶段中对第m+1个数据态进行验证。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在第n+1次编程脉冲循环阶段中对第m+1个数据态进行验证，包括：获取数据态验证阈值，所述数据态验证阈值用于表示所述多个存储块所需要编程达到的数据态总数；响应于第m+1个数据态未达到所述数据态验证阈值，在第n+1次编程脉冲循环阶段中对第m+1个数据态进行验证。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：响应于第m+1个数据态达到所述数据态验证阈值，结束所述编程脉冲循环。8.根据权利要求1至7任一所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：响应于所述多个存储块中存在未达到第m个数据态对应的编程阈值电压的存储块，则确定所述多个存储块中存在编程验证失败的存储块；响应于所述多个存储块达到第m个数据态对应的所述编程阈值电压，确定所述多个存储块编程验证成功。9.根据权利要求1至7任一所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：响应于所述多个存储块中目标存储块的存储单元在编程后未达到第m个数据态对应的编程阈值电压，确定所述目标存储块编程验证失败。
10.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括：存储阵列单元和外围逻辑单元，所述存储阵列单元中包括多个存储块，所述存储块中包括存储单元，所述外围逻辑单元包括控制电路；所述控...

【专利技术属性】
技术研发人员：万维俊，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：