本实用新型专利技术涉及晶片加工处理技术领域，具体公开了一种晶片热处理装置，包括中空石英管和晶片架；晶片架上设置有晶片槽，晶片槽用于承载容纳多对待进行热处理的晶片，且每对晶片在晶片槽内背面相对设置；晶片架用于插入中空石英管内部，以便晶片在中心石英管内进行热处理。本申请中的晶片热处理装置中设置有承载多个晶片的晶片架，并通过该晶片架将多个晶片置于中空石英管内，可以一次性实现多个晶片的热处理，相对于每次仅仅将两片晶片背靠背直接放入石英管进行热处理而言，本申请在很大程度上提升了中空石英管的空间利用率，从而在一定程度上提升了晶片热处理的工作效率。度上提升了晶片热处理的工作效率。度上提升了晶片热处理的工作效率。
【技术实现步骤摘要】
一种晶片热处理装置
[0001]本技术涉及晶片加工处理
领域，特别是涉及一种晶片热处理装置。
技术介绍
[0002]碲镉汞是一种重要的红外探测材料，由于其禁带宽度可调，探测光谱范围由短波波段一直延伸到长波波段，且具有光电探测效率高等优势，广泛应用于预警探测、红外侦察、成像制导等军事和民事领域。碲镉汞是一种三元化合物，材料生长完成形成晶片后，需要采用汞源热处理技术调整晶片的化学计量比和组分，让晶片的性能满足器件的要求，降低材料缺陷，以达到改善pn结的目的。
[0003]对晶片进行热处理过程中，需要将晶片和汞分别置于石英管内，并通过排气将石英管抽到高真空，然后采用真空封管技术将石英管的端部密闭封接。目前对晶片进行热处理的工艺过程相对复杂，且工作效率相对较低。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是提供一种晶片热处理装置，能够在一定程度上提升晶片热处理的处理效率。
[0005]为解决上述技术问题，本技术提供一种晶片热处理装置，包括中空石英管和晶片架；
[0006]所述晶片架上设置有晶片槽，所述晶片槽用于承载容纳多对待热处理的晶片，且每对两个所述晶片在所述晶片槽内背面相对设置；
[0007]所述晶片架用于插入所述中空石英管内部，以便所述晶片在所述中空石英管内进行热处理。
[0008]在本申请的一种可选地实施例中，所述晶片架为宽度等于所述中空石英管的内壁直径的板状结构；所述中空石英管的侧壁设置有限位滑道，以便所述晶片架的边缘插入所述限位滑道并沿所述限位滑道插入所述中空石英管内。
[0009]在本申请的一种可选地实施例中，所述晶片架上的晶片槽的侧壁上设置有延伸至所述晶片架边缘的滑槽，用于所述晶片沿所述滑槽插入所述晶片槽内。
[0010]在本申请的一种可选地实施例中，所述晶片架包括中间承载架和两个压板；
[0011]所述中间承载架沿长度方向依次设置有多个贯穿所述中间承载架厚度的所述晶片槽；每个所述晶片槽的侧壁上均设置有条形凸起，以形成两个相互对称且沿垂直于所述中间承载架所在平面的两个相反方向延伸的台阶面；每个台阶面各分别用于承载一片所述晶片；
[0012]两个所述压板分别从所述中间承载架的两个不同表面对每个所述晶片槽内的两个所述晶片进行贴合限位；且每个所述压板正对所述中间承载架上所述晶片槽的位置设置有通孔。
[0013]在本申请的一种可选地实施例中，所述中间承载架上相邻两个所述晶片槽之间的
隔断部件在所述中间承载架位置滑动可调，以便对各个所述晶片槽的大小尺寸进行调节。
[0014]在本申请的一种可选地实施例中，所述中间承载架的每个所述晶片槽相对的侧壁上设置缺口结构。
[0015]在本申请的一种可选地实施例中，所述中间承载架的第一端部设置有两个通孔结构，每个所述压板的第一端均具有可插入所述通孔结构的凸起部件；
[0016]所述中间承载架的第二端部设置有第一螺栓孔；所述压板的第二端设置有和所述第一螺栓孔相配合的第二螺栓孔；
[0017]当所述凸起部件插入所述通孔结构中时，所述第一螺栓孔和所述第二螺栓孔可通过同一螺栓贯穿固定。
[0018]本技术所提供的一种晶片热处理装置，包括中空石英管和晶片架；晶片架上设置有晶片槽，晶片槽用于承载容纳多对待进行热处理的晶片，且每对两个晶片在晶片槽内背面相对设置；晶片架用于插入中空石英管内部，以便晶片在中空石英管内进行热处理。
[0019]本申请中的晶片热处理装置中设置有承载多个晶片的晶片架，并通过该晶片架将多个晶片置于中空石英管内，那么在实际进行晶片热处理时，既可以一次性实现多个晶片的热处理，相对于目前常规晶片热处理时每次仅仅将两片晶片背靠背直接放入中空石英管而言，本申请中的晶片热处理装置能够一次性实现更多数量晶片的热处理，在很大程度上提升了中空石英管的空间利用率，从而在一定程度上提升了晶片热处理的工作效率。
附图说明
[0020]为了更清楚的说明本技术实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1为本实施例提供的中空石英管的结构示意图；
[0022]图2为本申请实施例提供的晶片热处理装置中的晶片架的结构示意图；
[0023]图3为图2中的晶片架的中间承载架的结构示意图；
[0024]图4为图2中的晶片架的压板结构示意图；
[0025]图5为本申请实施例提供的晶片热处理装置中晶片架的另一种中间承载架的结构示意图；
[0026]图6为本申请实施例提供的晶片热处理装置的另一晶片架的结构示意图。
具体实施方式
[0027]如图1所示，图1为本实施例提供的中空石英管的结构示意图，目前常用的中空石英管10大体上呈管状结构。常规的对晶片进行热处理的过程中，是将两片晶片背面相贴合共同放入至中空石英管10内，并向该中空石英管10 内充入汞气，使得该两片待处理的晶片处于汞气环境中，再将该中空石英管 10置于高温环境，从而实现该晶片在汞气环境中的热处理。
[0028]对于上述对晶片进行热处理过程中，需要对中空石英管10内抽真空之后再填充汞气，导致整个工艺过程较为复杂，且耗时较长；而在此基础上，每次仅仅只能实现对两片晶
片的热处理，进而使得晶片热处理的效率相对较低。
[0029]为此，本申请中提出了一种能够一次加工更多的晶片，进而提升晶片热处理效率的技术方案。
[0030]为了使本
的人员更好地理解本技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0031]如图2、图3、图4、图5以及图6所示，图2为本申请实施例提供的晶片热处理装置中的晶片架的结构示意图，图3为图2中的晶片架的中间承载架的结构示意图，图4为图2中的晶片架的压板结构示意图；图5为本申请实施例提供的晶片热处理装置中晶片架的另一种中间承载架的结构示意图；
[0032]图6为本申请实施例提供的晶片热处理装置的另一晶片架的结构示意图。
[0033]在本申请的一种具体实施例中，该晶片热处理装置可以包括：
[0034]中空石英管10和晶片架20；
[0035]晶片架20上设置有晶片槽210，晶片槽210用于承载容纳多对待热处理的晶片，且每对两个晶片在晶片槽210内背面相对设置；
[0036]晶片架20用于插入中空石英管10内部，以便晶片在中心石英10内进行热处理。
[0037]可选地，该晶片架20可以是的宽度等于中空石英管10的内本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶片热处理装置，其特征在于，包括中空石英管和晶片架；所述晶片架上设置有晶片槽，所述晶片槽用于承载容纳多对待热处理的晶片，且每对两个所述晶片在所述晶片槽内背面相对设置；所述晶片架用于插入所述中空石英管内部，以便所述晶片在所述中空石英管内进行热处理。2.如权利要求1所述的晶片热处理装置，其特征在于，所述晶片架为宽度等于所述中空石英管的内壁直径的板状结构；所述中空石英管的侧壁设置有限位滑道，以便所述晶片架的边缘插入所述限位滑道并沿所述限位滑道插入所述中空石英管内。3.如权利要求1所述的晶片热处理装置，其特征在于，所述晶片架上的晶片槽的侧壁上设置有延伸至所述晶片架边缘的滑槽，用于所述晶片沿所述滑槽插入所述晶片槽内。4.如权利要求1所述的晶片热处理装置，其特征在于，所述晶片架包括中间承载架和两个压板；所述中间承载架沿长度方向依次设置有多个贯穿所述中间承载架厚度的所述晶片槽；每个所述晶片槽的侧壁上均设置有条形凸起，以形成两个相互对称且沿垂直于所述中间承...
【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：北京智创芯源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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