一种能够防止溢胶的贴片二极管制造技术

本实用新型专利技术提供一种能够防止溢胶的贴片二极管，在下极片的下压片段表面环绕下焊接凸台的根部外侧设置下溢流槽，在上极片的上压片段表面也设置上溢流槽，下溢流槽和上溢流槽能够容纳溢出的点胶锡膏液，防止点胶锡膏液向外溢流堆积，不会产生两层锡膏搭连，质量稳定，安全可靠；塑封层材料还可以填充于上溢流槽和下溢流槽内，从而构成限位卡台结构，提高塑连接性能。性能。性能。

【技术实现步骤摘要】
一种能够防止溢胶的贴片二极管


[0001]本技术属于电子行业中半导体元器件的制造
，具体涉及一种能够防止溢胶的贴片二极管。

技术介绍

[0002]二极管是电子行业中的核心半导体元器件之一，通常利用二极管的单向导电特性，在电路中实现整流、钳位与限幅等作用；而随着电子产品向便携式/小型化、网络化和多媒体方向迅速发展，电子元器件也向轻、薄、小、性能可靠、功能更强大、价格低廉且易于装配的特点方向变革，相继出现了各种类型的片状电子元件(SMC)和片状电子器件(SMD)，导致了表面组装技术(SMT)的出现，在世界引发了一场电子产业的新革命，SMA、SMB系列片状二极管——也称贴片二极管，以其高品质和小体积的特点，位于二极管生产行业前列。
[0003]贴片二极管中的主要封装形式是矩形贴片二极管，矩形贴片二极管的基本结构在在上极片和下极片之间通过焊锡固定夹持芯片组合构成，矩形贴片二极管通常在上极片的下表面和下极片的上表面设置焊接凸台，在芯片的上表面和下表面分别点胶涂覆锡膏，上极片的下表面和下极片的上表面分别通过焊接凸台与芯片的上表面和下表面装配组合后，再通过高温熔焊工艺进行焊接连接；现有技术中的矩形贴片二极管在封装过程中，对锡粉量、粘度、粒度、室温度、印膏层厚度、放置压力等工艺参数有很高的要求，稍有不足即会发生两层锡膏搭连，造成短路或者锡球，影响贴片二极管封装质量，存在安全隐患。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术存在的上述问题，本技术目的在于提供一种能够防止溢胶的贴片二极管，能够防止封装过程中胶液和锡膏溢出，不会产生两层锡膏搭连，质量稳定，安全可靠。
[0005]本技术所采用的技术方案为：
[0006]一种能够防止溢胶的贴片二极管，包括有上极片、芯片、下极片和塑封层，上极片包括有上极线段和上压片段，下极片包括有下级线段和下压片段，芯片通过锡膏层固定连接于上压片段和下压片段之间；所述下压片段的上表面中部设置有向上凸起的下焊接凸台，上压片段的下表面中部设置有向下凸起的上焊接凸台；下压片段的上表面设置有环形的下溢流槽，下溢流槽环绕设置于下焊接凸台的根部外侧；塑封层包覆于上压片段、下压片段和芯片外部，塑封层填充于下溢流槽内的部分构成限位卡台结构；上极线段和下级线段伸出至塑封层外部。
[0007]所述上压片段的下表面也设置有环形的上溢流槽，上溢流槽环绕设置于上焊接凸台的根部外侧；塑封层填充于上溢流槽的部分也构成限位卡台结构。
[0008]所述芯片为矩形，上焊接凸台和下焊接凸台均为半球形；下溢流槽槽口的下内边框和下外边框均为矩形，下溢流槽的下内侧壁和下外侧壁均倾斜设置；上溢流槽槽口的上内边框和上外边框均为矩形，上溢流槽的上内侧壁和上外侧壁均倾斜设置。
[0009]所述上内边框和下内边框的边长均小于芯片的边长，上外边框和下外边框的边长均大于芯片的边长。
[0010]所述上压片与下压片形状与尺寸相同，下压片在截面上的安装位置相对于上压片在截面上的安装位置经旋转180
°
构成。
[0011]下压片段的上表面设置有第二下溢流槽，上压片段的下表面设置有第二上溢流槽，第二上溢流槽的槽口设置有圆形的第二上内边框，第二下溢流槽的槽口设置有圆形的第二下内边框，使得第二上溢流槽的内侧壁和第二下溢流槽的内侧壁均为外圆锥面；第二上内边框和第二下内边框的直径大于上焊接凸台和下焊接凸台的最大直径，并且第二上内边框和第二下内边框的直径小于芯片的边长。
[0012]下压片段的上表面设置有第三下溢流槽，上压片段的下表面设置有第三上溢流槽，第三上溢流槽的槽口设置有直径与上焊接凸台的最大直径一致的第三上内边框，第三上溢流槽的第三上内侧壁为与上焊接凸台的球面相适应的环形曲面；第三下溢流槽的槽口设置有直径与下焊接凸台的最大直径一致的第三下内边框，第三下溢流槽的第三下内侧壁为与下焊接凸台的球面相适应的环形曲面。
[0013]下压片段的上表面设置有第四下溢流槽，上压片段的下表面设置有第四上溢流槽，第四上溢流槽的槽口设置有圆形的第四上外边框，第四下溢流槽的槽口设置有圆形的第四下外边框；第四上溢流槽的第四上外侧壁为下大上小的内圆锥面，第四下溢流槽的第四下外则壁为上大下小的内圆锥面。
[0014]下压片段的上表面中部设置有向上凸起的锥台形的第五下焊接凸台，上压片段的下表面中部设置有向下凸起的锥台形的第五上焊接凸台。
[0015]本技术的有益效果为：
[0016]一种能够防止溢胶的贴片二极管，在下极片的下压片段表面环绕下焊接凸台的根部外侧设置下溢流槽，在下焊接凸台上点胶涂覆锡膏层后，将芯片放置于下焊接凸台上时，下焊接凸台上的点胶锡膏层在受到放置压力和重力挤压而发生溢流时，下溢流槽能够容纳溢出的点胶锡膏液，防止点胶锡膏液向外溢流堆积，不会产生两层锡膏搭连，质量稳定，安全可靠；并在上极片的上压片段表面也设置上溢流槽，下焊接凸台和上焊接凸台都采用半球形结构，在上焊接凸台上点胶涂覆锡膏层后与芯片上表面配合装配时，上焊接凸台上的点胶锡膏层在受到放置压力和重力挤压作用后，因焊接凸台的半球形表面没有尖锐拐角，点胶锡膏层在其粘性和液面张力作用下，首先沿上焊接凸台的半球形表面向上浸润延展至上溢流槽，通过上溢流槽容纳溢出的点胶锡膏液，进一步防止点胶锡膏液向外溢流堆积，不会产生两层锡膏搭连，质量稳定，安全可靠；并且在后续模压成型塑封过程中，塑封层材料还可以填充于上溢流槽和下溢流槽内，从而构成限位卡台结构，提高塑连接性能。
附图说明
[0017]图1～图2是本技术实施例一的能够防止溢胶的贴片二极管的结构放大示意图；
[0018]图3是本技术实施例一的能够防止溢胶的贴片二极管的上极片结构示意图；
[0019]图4是图3的仰视图；
[0020]图5是本技术实施例一的能够防止溢胶的贴片二极管的下极片结构示意图；
[0021]图6是图5的俯视图；
[0022]图7是本技术实施例二的能够防止溢胶的贴片二极管的结构示意图；
[0023]图8是本技术实施例二的能够防止溢胶的贴片二极管的上极片结构示意图；
[0024]图9是图8的仰视图；
[0025]图10是本技术实施例二的能够防止溢胶的贴片二极管的下极片结构示意图；
[0026]图11是图10的俯视图；
[0027]图12～图13是本技术实施例三的能够防止溢胶的贴片二极管的结构放大示意图；
[0028]图14是本技术实施例三的能够防止溢胶的贴片二极管的上极片结构示意图；
[0029]图15是图14的仰视图；
[0030]图16是本技术实施例三的能够防止溢胶的贴片二极管的下极片结构示意图；
[0031]图17是图16的俯视图；
[0032]图18是本技术实施例四的能够防止溢胶的贴片二极管的结构示意图；
[0033]图19是本技术实施例四的能够防止溢胶的贴片二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种能够防止溢胶的贴片二极管，其特征在于：包括有上极片、芯片、下极片和塑封层，上极片包括有上极线段和上压片段，下极片包括有下级线段和下压片段，芯片通过锡膏层固定连接于上压片段和下压片段之间；所述下压片段的上表面中部设置有向上凸起的下焊接凸台，上压片段的下表面中部设置有向下凸起的上焊接凸台；下压片段的上表面设置有环形的下溢流槽，下溢流槽环绕设置于下焊接凸台的根部外侧；塑封层包覆于上压片段、下压片段和芯片外部，塑封层填充于下溢流槽内的部分构成限位卡台结构；上极线段和下级线段伸出至塑封层外部。2.根据权利要求1所述能够防止溢胶的贴片二极管，其特征在于：所述上压片段的下表面也设置有环形的上溢流槽，上溢流槽环绕设置于上焊接凸台的根部外侧；塑封层填充于上溢流槽的部分也构成限位卡台结构。3.根据权利要求2所述能够防止溢胶的贴片二极管，其特征在于：所述芯片为矩形，上焊接凸台和下焊接凸台均为半球形；下溢流槽槽口的下内边框和下外边框均为矩形，下溢流槽的下内侧壁和下外侧壁均倾斜设置；上溢流槽槽口的上内边框和上外边框均为矩形，上溢流槽的上内侧壁和上外侧壁均倾斜设置。4.根据权利要求3所述能够防止溢胶的贴片二极管，其特征在于：所述上内边框和下内边框的边长均小于芯片的边长，上外边框和下外边框的边长均大于芯片的边长。5.根据权利要求4所述能够防止溢胶的贴片二极管，其特征在于：所述上压片与下压片形状与尺寸相同，下压片在截面上的安装位置相对于上压片在截面上的安装位置经旋转180
°
构成。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴俊杰，杨自凯，胡德波，赖汉森，赖淑梅，陈敏玲，
申请(专利权)人：深圳长微科技半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：