光掩模修正方法和装置以及布局机器学习模型的训练方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种双重图形曝光的光掩模修正方法、光掩模修正装置与布局机器学习模型的训练方法。双重图形曝光的光掩模修正方法包括以下步骤。获得一光掩模布局目标图。分解光掩模布局目标图为两个光掩模布局子图。这些光掩模布局子图于一连结区域重叠。一布局机器学习模型依据光掩模布局目标图分析出连结区域的尺寸。布局机器学习模型依据一蚀刻后三维信息建立。对这些光掩模布局子图执行一光学邻近校正程序。正程序。正程序。

【技术实现步骤摘要】
光掩模修正方法和装置以及布局机器学习模型的训练方法


[0001]本专利技术涉及一种光掩模修正方法、光掩模修正装置与机器学习模型的训练方法，且特别是涉及一种双重图形曝光的光掩模修正方法、光掩模修正装置与布局机器学习模型的训练方法。

技术介绍

[0002]光刻制作工艺(photolithography)是半导体制作工艺中相当重要的一个步骤。在光刻制作工艺中，通过光掩模上的光掩模布局图定义出曝光区域与不曝光区域，以在光致抗蚀剂层上显影出预定的光致抗蚀剂布局图。然后在蚀刻制作工艺中，可以通过光致抗蚀剂布局图来蚀刻出线路。然而，蚀刻出来的线路往往会有断线、短路、桥接等缺陷，而需要通过光学邻近校正(optical proximity correction,OPC)来修正光掩模布局图。光学邻近校正的目标是尽可能的使蚀刻出来的线路与预定的线路图案一致且没有任何缺陷。

技术实现思路

[0003]本专利技术是有关于一种双重图形曝光的光掩模修正方法、光掩模修正装置与布局机器学习模型的训练方法，其利用光掩模布局目标图、连结区域的尺寸与蚀刻后三维信息训练本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双重图形曝光的光掩模修正方法，包括：获得光掩模布局目标图；分解该光掩模布局目标图为两个光掩模布局子图，该些光掩模布局子图于连结区域重叠，其中布局机器学习模型依据该光掩模布局目标图分析出该连结区域的尺寸，该布局机器学习模型依据蚀刻后三维信息建立；以及对该些光掩模布局子图执行光学邻近校正程序。2.如权利要求1所述的双重图形曝光的光掩模修正方法，其中该蚀刻后三维信息根据扫描电子显微镜获得。3.如权利要求1所述的双重图形曝光的光掩模修正方法，其中该蚀刻后三维信息包含剖面信息。4.如权利要求1所述的双重图形曝光的光掩模修正方法，其中在对该些光掩模布局子图执行该光学邻近校正程序的步骤中，该些光掩模布局子图依序被执行该光学邻近校正程序。5.如权利要求1所述的双重图形曝光的光掩模修正方法，其中在对该些光掩模布局子图执行该光学邻近校正程序的步骤中，该些光掩模布局子图同时被执行该光学邻近校正程序。6.一种双重图形曝光的光掩模修正装置，包括：输入单元，用以获得光掩模布局目标图；分解单元，用以分解该光掩模布局目标图为两个光掩模布局子图，该些光掩模布局子图于连结区域重叠；布局机器学习模型，用以依据该光掩模布局目标图分析出该连结区域的尺寸，该布局机器学习模型依据蚀刻后三维信...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨闵丞，邱崇益，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：