芯片封装结构及功率芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种芯片封装结构及功率芯片，该芯片封装结构包括引线框架及晶元，所述引线框架具有第一导电焊盘和第二导电焊盘，所述第二导电焊盘围绕第一导电焊盘的四周布设；所述晶元设在所述第一导电焊盘上，并与所述第二导电焊盘键合连接；其中，所述第一导电焊盘和所述第二导电焊盘被构造成预定的封装尺寸，并通过胶体注塑封装。本实用新型专利技术的制造工艺更简单，提升了其散热面积，在大功率的电源可以更好地减小体积并提供散热。电源可以更好地减小体积并提供散热。电源可以更好地减小体积并提供散热。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构及功率芯片


[0001]本技术涉及芯片封装
，具体涉及芯片封装结构及功率芯片。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的飞速发展，半导体芯片种类、材料、设计理念及制造工艺等不断推陈出新，而为满足这些芯片在电连接、散热、可靠性等方面的各种新需求，半导体封装材料、结构及技术等也在日新月异地大幅前进，各种新型封装层出不穷。
[0003]在所有目前存在的半导体封装中，方形扁平无引脚(以下简称QFN)封装是一种结构简单、散热效率高、制造成本低的封装；而且由于采用注塑封装形式，使得封装好的成品元件具有耐湿、耐污染、可靠性高等众多优点，因此得到广泛采用。在相关技术中，现有功率芯片的制造工艺复杂，散热面积不足，导致在大功率的电源中不适用。

技术实现思路

[0004]本技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种芯片封装结构，包括：
[0005]引线框架，所述引线框架具有第一导电焊盘和第二导电焊盘，所述第二导电焊盘围绕第一导电焊盘的四周布设；
[0006]晶元，所述晶元设在所述第一导电焊盘上，并与所述第二导电焊盘键合连接；其中，所述第一导电焊盘和所述第二导电焊盘被构造成预定的封装尺寸，并通过胶体注塑封装。
[0007]优选地，所述第一导电焊盘的长度尺寸为3.55
‑
3.65mm，宽度尺寸为 3.15
‑
3.25mm。
[0008]优选地，所述第二导电焊盘包括多个相互间隔的第一焊点，所述第一焊点围合在所述晶元的至少三个方向上，并与所述晶元的引脚对应键合。
[0009]优选地，所述第一焊点之间的中心间距为0.45
‑
0.55mm，且所述第一焊点的宽度尺寸为0.2
‑
0.3mm，厚度尺寸为0.153
‑
0.253mm。
[0010]优选地，所述第二导电焊盘还包括第二焊点，所述第二焊点被构造成在所述引线框架的宽度方向延伸。
[0011]优选地，所述第二焊点的宽度尺寸为0.35
‑
0.45mm，且长度尺寸为 3.55
‑
3.65mm。
[0012]优选地，所述第一导电焊盘和所述第二导电焊盘的外表面具有金属镀层，所述金属镀层用于在所述第一导电焊盘和所述第二导电焊盘表面形成金属保护。
[0013]优选地，所述第一导电焊盘的四个角点设有支撑臂，所述支撑臂将所述第一导电焊盘和所述引线框架相互固定。
[0014]优选地，所述晶元与所述第一导电焊盘之间采用锡或树脂材料固定。
[0015]本技术的另一个目的在于提出一种功率芯片，包括如上述的芯片封装结构。
[0016]本技术的上述方案至少包括以下有益效果：
[0017]本技术提供的芯片封装结构，通过引线框架上布设第一导电焊盘和第二导电焊盘，并将晶元设在第一导电焊盘上，以使晶元可以与所述第二导电焊盘键合连接，同时将第一导电焊盘和第二导电焊盘构造成预定的封装尺寸，并通过胶体注塑封装，使其制造工艺更简单，提升了其散热面积，在大功率的电源可以更好地减小体积并提供散热。
[0018]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0020]图1是本技术实施例中提供的芯片封装结构的结构示意图；
[0021]图2是本技术实施例中提供的芯片封装结构的另一结构示意图；
[0022]图3是本技术实施例中提供的芯片封装结构的尺寸结构示意图。
[0023]附图标号说明：
[0024]10、引线框架；11、第一导电焊盘；12、第二导电焊盘；121、第一焊点； 122、第二焊点；20、晶元。
[0025]本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0026]下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制，基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0027]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”“轴向”、“周向”、“径向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0028]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0029]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是
两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0030]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0031]下面参照附图详细描述本技术实施例的芯片封装结构。
[0032]如图1和2所示，本技术实施例中提供的芯片封装结构，包括引线框架10及晶元20，引线框架10具有第一导电焊盘11和第二导电焊盘12，第二导电焊盘12围绕第一导电焊盘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：引线框架，所述引线框架具有第一导电焊盘和第二导电焊盘，所述第二导电焊盘围绕第一导电焊盘的四周布设；晶元，所述晶元设在所述第一导电焊盘上，并与所述第二导电焊盘键合连接；其中，所述第一导电焊盘和所述第二导电焊盘被构造成预定的封装尺寸，并通过胶体注塑封装。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一导电焊盘的长度尺寸为3.55
‑
3.65mm，宽度尺寸为3.15
‑
3.25mm。3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第二导电焊盘包括多个相互间隔的第一焊点，所述第一焊点围合在所述晶元的至少三个方向上，并与所述晶元的引脚对应键合。4.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一焊点之间的中心间距为0.45
‑
0.55mm，且所述第一焊点的宽度尺寸为0.2
‑
0.3mm，厚度尺寸为0.153<...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：深圳市泰高技术有限公司，
类型：新型
国别省市：