改善转移精度的发光二极管芯片及其制备方法技术

本公开提供了一种改善转移精度的发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管芯片具有第一表面、第二表面以及多个侧面，所述第一表面和所述第二表面相对，且所述第一表面为电极所在的表面，所述多个侧面分别连接所述第一表面和所述第二表面，所述侧面上具有多个导流槽，多个所述导流槽在所述第一表面上的正投影轴对称分布，所述导流槽从所述第一表面向所述第二表面延伸，所述导流槽的横截面积从一端向另一端逐渐减小，且所述导流槽靠近所述第一表面的一端的横截面积大于远离所述第一表面的一端的横截面积。本公开实施例能在转移芯片的过程中，让芯片平稳地转移至电路板，提升芯片转移精度。提升芯片转移精度。提升芯片转移精度。

【技术实现步骤摘要】
改善转移精度的发光二极管芯片及其制备方法


[0001]本公开涉及光电子制造
，特别涉及一种改善转移精度的发光二极管芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)是指边长在10μm至100μm的超小发光二极管，微型发光二极管的体积小，可以更密集的排列而大幅度提高分辨率，并且具有自发光特性，具有高亮度、高对比度、高反应性及省电的特点。
[0003]相关技术中，采用巨量转移的方式将发光二极管芯片排列在电路板上，巨量转移时，首先，会将大量的发光二极管芯片粘附在转移板上，让转移板与电路板平行相对，并使发光二极管芯片具有电极的一侧朝向电路板，待调整转移板的位置以使发光二极管芯片与电路板上待转移的区域正对时，通过激光分解发光二极管芯片与转移板之间的粘胶，让发光二极管芯片落入到电路板上，以完成转移作业。
[0004]然而，发光二极管芯片落入到电路板的过程中容易出现位置偏差的问题，从而导致巨量转移的精度变差。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了一种改善转移精度的发光二极管芯片及其制备方法，能在转移芯片的过程中，让芯片平稳地转移至电路板，提升芯片转移精度。所述技术方案如下：
[0006]一方面，本公开实施例提供了一种改善转移精度的发光二极管芯片，所述发光二极管芯片具有第一表面、第二表面以及多个侧面，所述第一表面和所述第二表面相对，且所述第一表面为电极所在的表面，所述多个侧面分别连接所述第一表面和所述第二表面，所述侧面上具有多个导流槽，多个所述导流槽在所述第一表面上的正投影轴对称分布，所述导流槽从所述第一表面向所述第二表面延伸，所述导流槽的横截面积从一端向另一端逐渐减小，且所述导流槽靠近所述第一表面的一端的横截面积大于远离所述第一表面的一端的横截面积。
[0007]可选地，所述导流槽靠近所述第一表面的端部处的宽度为8μm至12μm，所述导流槽远离所述第一表面的端部处的宽度为3μm至7μm。
[0008]可选地，所述导流槽深度最大处的深度不大于3μm，深度最小处的深度不小于1μm。
[0009]可选地，所述第一表面和所述第二表面为圆角矩形，所述导流槽位于所述圆角矩形的圆角处。
[0010]可选地，所述导流槽的横截面为弧形或V型。
[0011]可选地，所述导流槽从所述第一表面延伸至所述第二表面。
[0012]可选地，所述发光二极管芯片包括：基板、外延层、填平层和所述电极；所述外延层位于所述基板上，所述填平层和所述电极位于所述外延层远离所述基板的表面上，所述填平层具有露出所述电极的过孔。
[0013]可选地，所述电极高出所述填平层0.3μm至0.7μm。
[0014]另一方面，本公开实施例还提供了一种改善转移精度的发光二极管芯片的制备方法，所述制备方法包括：制作发光二极管芯片，所述发光二极管芯片具有第一表面、第二表面以及多个侧面，所述第一表面和所述第二表面相对，且所述第一表面为电极所在的表面，所述多个侧面分别连接所述第一表面和所述第二表面；在所述侧面上制作多个导流槽，多个所述导流槽在所述第一表面上的正投影轴对称分布，所述导流槽从所述第一表面向所述第二表面延伸，所述导流槽的横截面积从一端向另一端逐渐减小，且所述导流槽靠近所述第一表面的一端的横截面积大于远离所述第一表面的一端的横截面积。
[0015]可选地，所述在所述侧面上制作导流槽包括：通入混合气体在所述第一表面干法刻蚀形成所述导流槽，所述混合气体包括Cl2、BCl3和O2，在刻蚀所述导流槽时，逐渐增大所述混合气体中O2的占比。
[0016]本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
[0017]本公开实施例提供的发光二极管芯片的侧面具有多个导流槽，导流槽从第一表面向第二表面延伸，且导流槽的横截面积从一端向另一端逐渐减小，且导流槽靠近第一表面的一端的横截面积大于远离第一表面的一端的横截面积。
[0018]由于芯片在下落至电路板的过程中，芯片具有电极的一侧是向下的，所以，在下落过程中，空气会顺着导流槽流动，而从下至上的方向上导流槽的横截面积是逐渐缩小的，因此空气在顺着导流槽流动的过程中被逐渐压缩，从而在导流槽内形成空气动力。由于多个导流槽轴对称分布在芯片上，所以空气动力也是对称施加在芯片上的，从而能让芯片更加平稳地从转移板落入到电路板上，有效防止芯片落入的过程中出现位置偏差，而影响芯片转移精度的问题。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1是相关技术提供的一种发光二极管芯片的转移示意图；
[0021]图2是本公开实施例提供的一种发光二极管芯片的俯视图；
[0022]图3是图2提供的一种AA截面图；
[0023]图4是本公开实施例提供的一种外延层的局部示意图；
[0024]图5是本公开实施例提供的另一种发光二极管芯片的俯视图；
[0025]图6是本公开实施例提供的一种发光二极管芯片的制备方法的流程图；
[0026]图7是本公开实施例提供的一种发光二极管芯片的制备过程示意图；
[0027]图8是本公开实施例提供的一种发光二极管芯片的制备过程示意图；
[0028]图9是本公开实施例提供的一种发光二极管芯片的制备过程示意图。
具体实施方式
[0029]为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方
式作进一步地详细描述。
[0030]除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”、“第三”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则所述相对位置关系也可能相应地改变。
[0031]Micro LED作为一种超小型的芯片，显示精细度得到了明显提高，但是由于其尺寸太小，分选设备难以对其进行精确地分选。因而，在转移大量发光二极管芯片时，只能采用巨量转移的方式将发光二极管芯片排列在电路板上。
[0032]图1是相关技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片具有第一表面(101)、第二表面(102)以及多个侧面，所述第一表面(101)和所述第二表面(102)相对，且所述第一表面(101)为电极(30)所在的表面，所述多个侧面分别连接所述第一表面(101)和所述第二表面(102)，所述侧面上具有多个导流槽(20)，多个所述导流槽(20)在所述第一表面(101)上的正投影轴对称分布，所述导流槽(20)从所述第一表面(101)向所述第二表面(102)延伸，所述导流槽(20)的横截面积从一端向另一端逐渐减小，且所述导流槽(20)靠近所述第一表面(101)的一端的横截面积大于远离所述第一表面(101)的一端的横截面积。2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述导流槽(20)靠近所述第一表面(101)的端部处的宽度为8μm至12μm，所述导流槽(20)远离所述第一表面(101)的端部处的宽度为3μm至7μm。3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述导流槽(20)深度最大处的深度不大于3μm，深度最小处的深度不小于1μm。4.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一表面(101)和所述第二表面(102)为圆角矩形，所述导流槽(20)位于所述圆角矩形的圆角处。5.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述导流槽(20)的横截面为弧形或V型。6.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰叶，王江波，吴志浩，张威，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：