氨基环状化合物、有机电致发光器件、有机电致发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种具有三线态稳定基团的特定排列的氨基环状化合物、有机电致发光器件、有机电致发光装置。本发明专利技术的氨基环状化合物可以用来制备有机材料，采用该有机材料制备成的器件发光效率和寿命相较现有技术均有显著的提高，本发明专利技术的化合物作为空穴传输层、绿光或红光发光辅助层、主体材料，器件寿命衰减大大减缓。器件在50mA/cm 2

【技术实现步骤摘要】
氨基环状化合物、有机电致发光器件、有机电致发光装置


[0001]本专利技术涉及电致发光器件材料
，尤其涉及一种具有三线态稳定基团的特定排列的氨基环状化合物、有机电致发光器件、有机电致发光装置，涉及其在电子器件中的用途。

技术介绍

[0002]有机电致发光元件因可制作以低电力驱动、薄且轻的富有可挠性的显示元件及照明而作为下一代的发光显示元件得到积极研究。同时，由于有机电致发光元件在成本和性能上的优势而被用于许多商业产品中。
[0003]有机电致发光元件具有如下的结构，包括：包含阳极及阴极的一对电极，及配置于所述一对电极间、包含一层或多层的有机化合物。为了提高有机电气元件的效率和稳定性，有机物层通常是由各种不同物质构成的多层结构组成，包含发光层，传输或注入空穴的空穴传输/注入层、传输或注入电子的电子传输/注入层。
[0004]目前，对于OLED器件提高性能的研究包括：降低器件的驱动电压，提高器件的发光效率，提高器件的使用寿命等。为了实现有机电致发光器件性能的不断提升，不但需要有机电致发光器件的结构和制作工艺的创新，更需要有机电致光电功能材料的不断研究和创新，创制出更高性能的有机电致功能材料。
[0005]为了解决寿命和效率问题，通常会在空穴输送层和发光层之间加入发光辅助层(多层空穴输送层)。发光辅助层主要起到辅助空穴传输层的作用，因此有时也称为第二空穴传输层。发光辅助层使得从阳极转移的空穴能够平稳地移动到发光层，并且可以阻挡从阴极转移的电子，以将电子限制在发光层内，减少空穴传输层与发光层之间的势垒，降低有机电致发光器件的驱动电压，进一步增加空穴的利用率，从而改善器件的发光效率和寿命。
[0006]目前作为发光辅助层的材料有限，鉴于上述技术问题，本专利技术提出了TSM
‑
三线态稳定体(triplet
‑
state stability matrix)的概念，提高整个分子的抗三线态破坏能力，同时使得处于激发态的电荷载流子稳定化(Triplet
‑
states Bond dissociation energy(TN
‑
BDE)>0.2ev)。同时该三线态稳定体的加入显著改善了材料的理化性能，有利于提升器件效率，延长器件寿命。
[0007]常见优选的空穴注入材料和/或空穴传输材料包括例如三芳基胺、联苯胺、四芳基
‑
对苯二胺、三芳基膦、吩噻嗪、噻吩、吡咯和呋喃衍生物以及其它具有高HOMO(HOMO＝最高已占分子轨道)的含O、S或N的杂环。在材料结构中引入一种富电子的空穴传输基团(hole
‑
transporting moieties)，具有较好的传空穴能力，能够改善材料整体的HOMO和LUMO能级，具有更好的空穴传输效率或电子阻挡能力。
[0008]同时，根据本专利技术，我们惊讶的发现，通过核心连接基团将[HTM]基团和[TSM]基团所得到的化合物用于有机电致发光器件后，导致其在效率、工作电压、寿命、颜色坐标和/或色纯度即发射带的宽度方面展现出多种改进特性。此外，所述化合物还可以以非常简单的方式加工，具有比现有材料更好的热稳定性，同时具有更低的升华温度，更易于大规模生
产。

技术实现思路

[0009]为解决现有技术的不足，本专利技术提出一种具有三线态稳定基团的特定排列的氨基环状化合物、有机电致发光器件、有机电致发光装置。
[0010]为实现以上目的，本专利技术所采用的技术方案包括：
[0011]本专利技术第一方面公开了一种具有三线态稳定基团的特定排列的氨基环状化合物，所述化合物由结构式Q表示，所述结构式Q的分子式为：
[0012][TSM]‑
[CORE]‑
[HTM]，
[0013]其中，
[0014][TSM]为：
[0015][0016]式[TSM]中，X、Y各自独立地表示SiR
a
R
b
、CR
a
R
b
、NR、O或S；
[0017]n、m各自独立地表示0，1或2的整数，且n+m≥1；
[0018]环A、环B、环C、环D各自独立地表示碳原子数为C6～C60的稠环芳基、R取代的碳原子数为C6～C60的稠环芳基、碳原子数为C5～C60的杂稠环芳基、R取代的碳原子数为C5～C60的杂稠环芳基、碳原子数为C3～C30的环烷基或R取代的碳原子数为C3～C30的环烷基，
[0019]所述环烷基中任意一个或多个不相连的
‑
CH2‑
任选被
‑
RC＝CR
‑
、
‑
C≡C
‑
、
‑
Si(R)2‑
、
‑
Ge(R)2‑
、
‑
Sn(R)2‑
、
‑
C＝O
‑
、
‑
C＝S
‑
、
‑
C＝Se
‑
、
‑
C＝NR
‑
、
‑
P(＝O)(R)
‑
、
‑
SO
‑
、
‑
SO2‑
、
‑
NR
‑
、
‑
O
‑
、S
‑
或
‑
CONR
‑
取代，
[0020]所述R各自独立地表示H、D、F、碳原子数为C1～C20的脂基、氟取代的碳原子数为C1～C20的脂基、碳原子数为C6～C20的芳基、氟取代的碳原子数为C6～C20的芳基、碳原子数为C5～C20的杂芳基或氟取代的碳原子数为C5～C20的杂芳基，其中两个或两个以上的取代基R形成单环或多环的脂基或芳烷基；
[0021][CORE]为：
[0022][0023]环A、环B各自独立地表示R取代的碳原子数为C6～C30的芳基或R取代的碳原子数
为C5～C30的杂芳基，
[0024]所述R各自独立地表示H、D、F、碳原子数为C1～C20的脂基、氟取代的碳原子数为C1～C20的脂基、碳原子数为C6～C20的芳基、氟取代的碳原子数为C6～C20的芳基、碳原子数为C5～C20的杂芳基、氟取代的碳原子数为C5～C20的杂芳基，其中两个或两个以上的取代基R形成单环或多环的脂基或芳烷基，
[0025]其中，r为0
‑
10的整数，
[0026]R1与所述R的定义相同；
[0027][HTM]为：
[0028][0029]式[HTM]中，v表示0或1；
[0030]E表示单键、碳原子数为C1～C10的亚烷基、碳原子数为C6～C60的稠环芳基、NR、O或S；
[0031]Ar1和Ar2各自独立地表示碳原子数为C6～本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有三线态稳定基团的特定排列的氨基环状化合物，其特征在于，所述化合物由结构式Q表示，所述结构式Q的分子式为：[TSM]
‑
[CORE]
‑
[HTM]，其中，[TSM]为：式[TSM]中，X、Y各自独立地表示SiR
a
R
b
、CR
a
R
b
、NR、O或S；n、m各自独立地表示0，1或2的整数，且n+m≥1；环A、环B、环C、环D各自独立地表示碳原子数为C6～C60的稠环芳基、R取代的碳原子数为C6～C60的稠环芳基、碳原子数为C5～C60的杂稠环芳基、R取代的碳原子数为C5～C60的杂稠环芳基、碳原子数为C3～C30的环烷基或R取代的碳原子数为C3～C30的环烷基，所述环烷基中任意一个或多个不相连的
‑
CH2‑
任选被
‑
RC＝CR
‑
、
‑
C≡C
‑
、
‑
Si(R)2‑
、
‑
Ge(R)2‑
、
‑
Sn(R)2‑
、
‑
C＝O
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、
‑
C＝S
‑
、
‑
C＝Se
‑
、
‑
C＝NR
‑
、
‑
P(＝O)(R)
‑
、
‑
SO
‑
、
‑
SO2‑
、
‑
NR
‑
、
‑
O
‑
、S
‑
或
‑
CONR
‑
取代，所述R各自独立地表示H、D、F、碳原子数为C1～C20的脂基、氟取代的碳原子数为C1～C20的脂基、碳原子数为C6～C20的芳基、氟取代的碳原子数为C6～C20的芳基、碳原子数为C5～C20的杂芳基或氟取代的碳原子数为C5～C20的杂芳基，其中两个或两个以上的取代基R形成单环或多环的脂基或芳烷基；[CORE]为：环A、环B各自独立地表示R取代的碳原子数为C6～C30的芳基或R取代的碳原子数为C5～C30的杂芳基，所述R各自独立地表示H、D、F、碳原子数为C1～C20的脂基、氟取代的碳原子数为C1～C20的脂基、碳原子数为C6～C20的芳基、氟取代的碳原子数为C6～C20的芳基、碳原子数为C5～C20的杂芳基、氟取代的碳原子数为C5～C20的杂芳基，其中两个或两个以上的取代基R形成单环或多环的脂基或芳烷基，其中，r为0
‑
10的整数，
R1与所述R的定义相同；[HTM]为：式[HTM]中，v表示0或1；E表示单键、碳原子数为C1～C10的亚烷基、碳原子数为C6～C60的稠环芳基、NR、O或S；Ar1和Ar2各自独立地表示碳原子数为C6～C60的稠环芳基、R取代的碳原子数为C6～C60的稠环芳基、碳原子数为C5～C60的杂稠环芳基、R取代的碳原子数为C5～C60的杂稠环芳基、碳原子数为C3～C60的脂基、R取代的碳原子数为C3～C60的脂基、碳原子数为C1～C50的烷基或R取代的碳原子数为C1～C50的烷基，其中任意一个或多个不相连的
‑
CH2‑
任选被
‑
RC＝CR
‑
、
‑
C≡C
‑
、
‑
Si(R)2‑
、
‑
Ge(R)2‑
、
‑
Sn(R)2‑
、...

【专利技术属性】
技术研发人员：张兴，邢玉彬，梁丰，孙振波，谢再锋，
申请(专利权)人：石家庄诚志永华显示材料有限公司，
类型：发明
国别省市：