【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及有机发光半导体。更具体地，涉及一种包含四联苯结构的芳香胺化合物及包含其的有机电致发光器件。
技术介绍
1、有机电致发光器件通常由阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极构成，电子和空穴在外加电场下分别从阴极和阳极注入，然后相向运动，空穴经由空穴传输层传输到发光层，电子经由电子传输层传输到发光层中，在发光层中相遇的电子和空穴复合，形成电子-空穴对，即激子，然后激子辐射跃迁产生光发射。其中，由于空穴传输层材料的最高已占据分子轨道(homo)值较低，因此在发光层中生成的激子很容易扩散到空穴传输层界面或者空穴传输层侧，最终导致在发光层内界面的发光或者发光层内的电荷不均衡，从而在空穴传输层的界面上发光，使有机电致发光器件的色纯度及效率变低，最终导致有机电致发光器件的发光效率降低和使用寿命变短。提高空穴传输层材料的性能或者向发光层和空穴传输层之间引入发光辅助层，可以有效避免上述技术问题。发光辅助层具有辅助空穴传输层的作用，并且可以阻挡从阴极转移的电子，以将电子限制在发光层内，增加空穴的利用率，从而改善器件的发
【技术保护点】
1.一种包含四联苯结构的芳香胺化合物，其特征在于，所述芳香胺化合物的结构式如式Ⅰ所示：
2.根据权利要求1所述的芳香胺化合物，其特征在于，所述Ar1的结构式如式Ⅱ所示：
3.根据权利要求2所述的芳香胺化合物，其特征在于，所述式Ⅱ所示的化合物为下述式Ⅱ-1～式Ⅱ-7所示结构中的一种：
4.根据权利要求1所述的芳香胺化合物，其特征在于，所述Ar2选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C5～C30的杂芳基、取代或未取代的C10～C30的稠环芳基、取代或未取代的C9～C30的杂稠环芳基、取代或未取代的C3～C15的环烷基中的任
【技术特征摘要】
1.一种包含四联苯结构的芳香胺化合物，其特征在于，所述芳香胺化合物的结构式如式ⅰ所示：
2.根据权利要求1所述的芳香胺化合物，其特征在于，所述ar1的结构式如式ⅱ所示：
3.根据权利要求2所述的芳香胺化合物，其特征在于，所述式ⅱ所示的化合物为下述式ⅱ-1～式ⅱ-7所示结构中的一种：
4.根据权利要求1所述的芳香胺化合物，其特征在于，所述ar2选自取代或未取代的c6～c30的芳基、取代或未取代的c5～c30的杂芳基、取代或未取代的c10～c30的稠环芳基、取代或未取代的c9～c30的杂稠环芳基、取代或未取代的c3～c15的环烷基中的任意一种。
5.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘嵩远，魏天宇，张景，郑双权，徐凌伟，
申请(专利权)人：石家庄诚志永华显示材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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