本实用新型专利技术涉及电磁屏蔽材料生产设备领域，一种真空镀导电布用深冷装置，所述真空镀导电布用深冷装置设置在真空设备内，包括深冷捕集铜管，所述深冷捕集铜管包括进管段、出管段、上盘管段、下盘管段和侧管段，所述深冷捕集铜管通过支撑座固定在第一真空腔壁上，所述上盘管段和下盘管段分别设在所述第一真空腔壁的上部和下部，所述上盘管段和所述下盘管段关于所述第一真空腔壁的中心线呈轴对称，所述上盘管段和所述下盘管段通过所述侧管段连接，所述上盘管段连接所述进管段。真空镀导电布用深冷装置安装在真空设备内，配合真空设备抽取残留气体，缩短抽真空的时间，获得洁净的真空环境。境。境。
【技术实现步骤摘要】
一种真空镀导电布用深冷装置
[0001]本技术涉及电磁屏蔽材料生产设备领域，具体涉及一种真空镀导电布用深冷装置。
技术介绍
[0002]随着科学技术的发展和人民生活水平的提高，各种电子、电器设备已经遍及人们生活和工作的各个领域，各种电子产品如手机、电脑在给人们带来便利和享受的同时，电磁辐射产生的问题也日益严重。为减少和避免电磁污染，具有电磁屏蔽功能的导电布的需求也越来越大。其中真空镀导电布是经过前置处理后施以电镀或者真空镀膜，使其具有金属特性而成为导电纤维布，具有良好的电磁屏蔽效果。然而真空镀膜设备对导电布进行镀膜生产，真空腔必须满足一定的真空度要求。目前，通常采用油扩散泵和分子泵对真空镀膜设备的真空腔抽真空。据分析真空腔中的残留气体，水蒸气、油蒸气以及一些高沸点的蒸汽占80%以上，这些残留气体在高真空状态下，抽取难度大、效率低，不仅会影响真空度，也会污染导电布，影响质量以及电磁屏蔽效果。
技术实现思路
[0003]为了克服上述技术问题的缺陷，本申请提供一种真空镀导电布用深冷装置。
[0004]为实现上述目的，本技术的技术方案为：
[0005]一种真空镀导电布用深冷装置，所述真空镀导电布用深冷装置设置在真空设备内，包括深冷捕集铜管，所述深冷捕集铜管包括进管段、出管段、上盘管段、下盘管段和侧管段，所述深冷捕集铜管通过支撑座固定在第一真空腔壁上，所述上盘管段和下盘管段分别设在所述第一真空腔壁的上部和下部，所述上盘管段和所述下盘管段关于所述第一真空腔壁的中心线呈轴对称，所述上盘管段和所述下盘管段通过所述侧管段连接，所述上盘管段连接所述进管段，所述下盘管段连接所述出管段，所述进管段的自由端和所述出管段的自由端部分别伸出所述真空设备外且分别通过法兰固定在所述真空设备上。
[0006]作为本技术优选的方案，还包括套管，所述套管套接深冷捕集铜管，所述套管外侧套接焊圈，所述焊圈安装在所述支撑座上。
[0007]作为本技术优选的方案，所述深冷捕集铜管为一体铜管折弯而成。
[0008]作为本技术优选的方案，抽气口开设在所述第一真空腔壁的中间位置，且所述深冷捕集铜管围住所述抽气口。
[0009]作为本技术优选的方案，所述侧管段包括依次连通的第一侧管段、第二侧管段和第三侧管段，所述出管段依次连通的第一出管段、第二出管段和第三出管段，所述第一侧管段、所述第三侧管段、所述第一出管段、所述第三出管段和所述进管段为水平放置，所述第二侧管段和所述第二出管段为竖直放置，所述上盘管段和下盘管段分别包括多个s型管段，所述多个S型管段首尾相连，所述上盘管段的第一个S型管段与所述第一侧管段的自由端连通，所述上盘管段的最后一个S型管段与所述进管段连通，所述下盘管段的第一个S
型管段与所述第三出管段的自由端连通，所述下盘管段的最后一个S型管段与所述第三侧管段连通。
[0010]作为本技术优选的方案，所述支撑座包括第一支撑座和第二支撑座，所述第二支撑座设包括两个相互平行的上第二支撑座和两个相互平行的下第二支撑座，所述上第二支撑座和所述下第二支撑座分别设在固定在所述第一真空腔壁上部和下部，每个所述第二支撑座上分别设有多个等间距焊圈，每个所述上盘管段的所述S型管段包括上水平直管段和两个上圆弧弯管段，每个所述下盘管段的所述S型管段包括下水平直管段和两个下圆弧弯管段，所述第一侧管段和所述进管段和每个所述上水平直管段分别对应两个上第二支撑座的各一个所述焊圈，所述第三侧管段、所述第三出管段和每个所述下水平直管段分别对应两个所述下第二支撑座各一个所述焊圈。
[0011]作为本技术优选的方案，所述套管为塑料套管。
[0012]本技术所达到的有益效果为：
[0013]一种真空镀导电布用深冷装置安装在真空设备内，配合真空设备抽取残留气体，缩短抽真空的时间，获得洁净的真空环境，提高真空镀导电布的真空镀效果和质量。
附图说明
[0014]图1是真空设备和导电辊组结构示意图;
[0015]图2是真空镀导电布用深冷装置结构示意图；
[0016]图3是图1中A局部放大图;
[0017]图中，1、真空设备；2、真空镀导电布用深冷装置；3、导电布辊组；4、支撑座；5、焊圈；101、第一真空腔壁；102、抽气口；103、滑轨；105、法兰；20、深冷捕集铜管；210、进管段；220、出管段；221、第一出管段；222、第二出管段；223、第三出管段；230、上盘管段；231、上水平直管段；232、上圆弧弯管段；240、下盘管段；241、下水平直管段；242、下圆弧弯管段；250、侧管段；251、第一侧管段；252、第二侧管段；253、第三侧管段；22、套管；301、导电布放卷辊；302、导电收卷辊；303、导辊；304、张力辊；305、导电布；306、推门。
具体实施方式
[0018]下面，结合具体实施方式，对本技术做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。
[0019]本技术的描述中，需要说明的是，对于方位词，如有术语“中心”，“横向”、“纵向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“第一”、“第二”等指示方位和位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于叙述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定方位构造和操作，不能理解为限制本技术的具体保护范围。
[0020]如图1、图2和图3所示，一种真空镀导电布用深冷装置2，设置在真空设备1内，包括深冷捕集铜管20，所述深冷捕集铜管20包括进管段210、出管段220、上盘管段230、下盘管段240和侧管段250，所述深冷捕集铜管20通过支撑座4固定在第一真空腔壁101上，第一真空腔壁101为真空设备的其中一个腔壁，所述上盘管段230和下盘管段240分别设在所述第一
真空腔壁101的上部和下部，所述上盘管段230和所述下盘管段240关于所述第一真空腔壁101的中心线呈轴对称，所述上盘管段230和所述下盘管段240通过所述侧管段250连接，所述上盘管段230连接所述进管段210，所述下盘管段240连接所述出管段220，所述进管段210的自由端和所述出管段220的自由端部分别伸出所述真空设备1外且分别通过法兰105固定在所述真空设备1上。进一步的，所述进管段210和所述出管段通过同一个法兰105固定，优选的，法兰为贯穿密封法兰，减少固定机构的同时形成良好的密封结构，减少漏气，提高密闭性。如图1中所示，所述导电布辊组3安装在真空设备1上，导电辊组3上设有导电布305，导电辊组3包括设置在真空设备1上部上导辊组和下导辊组，上导辊组包括从上至下依次排布的张力辊304、导辊303和导电布收卷辊302，下导辊组包括从下至上依次排布的导辊30本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种真空镀导电布用深冷装置，其特征在于：所述真空镀导电布用深冷装置（2）设置在真空设备（1）内，包括深冷捕集铜管（20），所述深冷捕集铜管（20）包括进管段（210）、出管段（220）、上盘管段（230）、下盘管段（240）和侧管段（250），所述深冷捕集铜管（20）通过支撑座（4）固定在第一真空腔壁（101）上，所述上盘管段（230）和下盘管段（240）分别设在所述第一真空腔壁（101）的上部和下部，所述上盘管段（230）和所述下盘管段（240）关于所述第一真空腔壁（101）的中心线呈轴对称，所述上盘管段（230）和所述下盘管段（240）通过所述侧管段（250）连接，所述上盘管段（230）连接所述进管段（210），所述下盘管段（240）连接所述出管段（220），所述进管段（210）的自由端和所述出管段（220）的自由端部分别伸出所述真空设备（1）外且分别通过法兰（105）固定在所述真空设备（1）上。2.根据权利要求1所述的一种真空镀导电布用深冷装置，其特征在于：还包括套管（22），所述套管（22）套接深冷捕集铜管（20），所述套管（22）外侧套接焊圈（5），所述焊圈（5）安装在所述支撑座（4）上。3.根据权利要求1所述的一种真空镀导电布用深冷装置，其特征在于：所述深冷捕集铜管（20）为一体铜管折弯而成。4.根据权利要求1所述的一种真空镀导电布用深冷装置，其特征在于：抽气口（102）开设在所述第一真空腔壁（101）的中间位置，且所述深冷捕集铜管（20）围住所述抽气口（102）。5.根据权利要求1或2所述的一种真空镀导电布用深冷装置，其特征在于：所述侧管段（250）包括依次连通的第一侧管段（251）、第二侧管段（252）和第三侧管段（253），所述出管段（220）依次连通的第一出管段（2...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒙学良，王明树，景佰亨，
申请(专利权)人：常州市飞荣达电子材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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