用于形成半导体器件图案的方法及半导体器件的制造方法技术

本公开提供了用于形成半导体器件图案的方法及半导体器件的制造方法。其中形成半导体器件图案的方法包括如下步骤。提供半导体衬底，在半导体衬底上方形成待处理层。接着在待处理层上依次形成第二叠层和第一叠层。利用第一掩膜版对第一叠层进行图案化处理，以在第一叠层上形成第一预设图案。并以第一预设图案为基础形成第二预设图案。基于第二预设图案，利用第二掩膜版对第二叠层进行图案化处理，在第二叠层上形成第三预设图案，最后可将第三预设图案转移到待处理层上。本公开巧妙地省略了沉积工序，通过光刻胶双重涂覆工序实现新图案的形成。而且本公开提供的技术方案能够通过PPE工艺替代传统的PEPE工艺，极大简化了工艺步骤，降低了成本。降低了成本。降低了成本。

【技术实现步骤摘要】
用于形成半导体器件图案的方法及半导体器件的制造方法


[0001]本公开涉及半导体器件加工
，更为具体来说，本公开能够提供用于形成半导体器件图案的方法及半导体器件的制造方法。

技术介绍

[0002]目前，半导体器件的尺寸越来越小且集成度越来越高。这对作为加工半导体器件的核心工艺之一的光刻工艺来说，必将面临更大的挑战。由于半导体器件图案的尺寸随着设计要求的提高而不断缩小(Pattern Shrink)，即使将光刻机的曝光性能发挥到了极限，也无法在常规工艺基础上进一步提高曝光效果。在遇到半导体器件复杂图案形成的问题时，常规方案往往需要通过增加处理工序实现，最终导致半导体器件加工时间延长、可靠性降低以及半导体器件加工成本增加等问题。

技术实现思路

[0003]为解决常规工艺在半导体器件复杂图案形成时存在工序过多等问题，本公开提供了用于形成半导体器件图案的方法及半导体器件的制造方法，以达到减少图案形成工序、减少加工时长以及降低加工成本等技术目的。
[0004]为实现上述技术目的，本公开提供了一种用于形成半导体器件图案的方法；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于形成半导体器件图案的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，并在所述半导体衬底上方形成待处理层；在所述待处理层上依次形成第二叠层和第一叠层，所述第一叠层处于所述第二叠层上；利用第一掩膜版对所述第一叠层进行图案化处理，以在所述第一叠层上形成第一预设图案；以所述第一预设图案为基础形成第二预设图案，且所述第二预设图案设置于所述第一叠层上；基于所述第二预设图案，利用第二掩膜版对所述第二叠层进行图案化处理，以在所述第二叠层上形成第三预设图案；将所述第三预设图案转移到所述待处理层上。2.根据权利要求1所述的用于形成半导体器件图案的方法，其特征在于，所述以所述第一预设图案为基础形成第二预设图案包括：在所述第一叠层上涂覆固化材料层；依次进行烘烤处理和清洗处理，并保留粘附于所述第一叠层上的固化材料，以形成所述第二预设图案。3.根据权利要求2所述的用于形成半导体器件图案的方法，其特征在于，所述第一叠层包括依次涂覆的第一抗反射涂层和第一光刻胶层；所述对所述第一叠层进行图案化处理包括：图案化所述第一光刻胶层，在所述第一光刻胶层上形成所述第一预设图案。4.根据权利要求3所述的用于形成半导体器件图案的方法，其特征在于，所述依次进行烘烤处理和清洗处理包括：对涂覆固化材料层后的所述第一光刻胶层进行烘烤处理且保留所述第一光刻胶层表面的固化材料；对所述第一抗反射涂层进...

【专利技术属性】
技术研发人员：李祥华，李大烨，贺晓彬，李亭亭，刘金彪，杨涛，杨帆，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：