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本公开提供了用于形成半导体器件图案的方法及半导体器件的制造方法。其中形成半导体器件图案的方法包括如下步骤。提供半导体衬底，在半导体衬底上方形成待处理层。接着在待处理层上依次形成第二叠层和第一叠层。利用第一掩膜版对第一叠层进行图案化处理，以在...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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