晶圆检测方法及装置、存储介质和电子设备制造方法及图纸

本公开是关于一种晶圆检测方法和装置、计算机可读存储介质及电子设备，涉及半导体设备技术领域。该晶圆检测方法包括：建立晶圆扫描条件数据库；在晶圆检测设备上装载待测晶圆并对准，获取待测晶圆的检索参量，检索参量与晶圆扫描条件数据库中的扫描条件相对应；根据检索参量，从晶圆扫描条件数据库中获取与检索参量相对应的目标扫描条件；使用目标扫描条件对待测晶圆进行扫描检测。该方法减小了检测过程的耗时，为整个检测过程节省了人力，且提高了检测效率。检测效率。检测效率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆检测方法及装置、存储介质和电子设备


[0001]本公开涉及半导体设备
，具体而言，涉及一种晶圆检测方法及装置、计算机可读存储介质及电子设备。

技术介绍

[0002]在半导体工艺中，对晶圆表面的工艺缺陷或者清洁度等进行检测，是半导体制程中必不可少的步骤。
[0003]光学检测方法，由于具有不破坏晶圆表面的清洁度、可实时检测等优点，成为晶圆检测设备中常用的检测方法之一。
[0004]然而，现有的晶圆检测设备在检测过程中，晶圆检测参数的设置较为繁琐，导致耗费大量的人力和时间成本。
[0005]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0006]本公开的目的在于提供一种晶圆检测方法及装置、计算机可读存储介质及电子设备，以解决晶圆检测参数设置繁琐、费时的问题。
[0007]本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本专利技术的实践而习得。
[0008]根据本公本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆检测方法，用于晶圆检测设备，其特征在于，所述方法包括：建立晶圆扫描条件数据库；在所述晶圆检测设备上装载待测晶圆并对准，获取所述待测晶圆的检索参量，所述检索参量与所述晶圆扫描条件数据库中的扫描条件相对应；根据所述检索参量，从所述晶圆扫描条件数据库中获取与所述检索参量相对应的目标扫描条件；使用所述目标扫描条件对所述待测晶圆进行扫描检测。2.根据权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述检索参量为所述待测晶圆的线宽和所述待测层的处理工艺，和/或所述待测晶圆的待测层在预设区域的反射光强度。3.根据权利要求2所述的晶圆检测方法，其特征在于，根据所述检索参量，从所述晶圆扫描条件数据库中获取与所述检索参量相对应的目标扫描条件包括：根据所述反射光强度所在的预设范围，从所述晶圆扫描条件数据库中获取所述预设范围对应的预设扫描条件，作为所述目标扫描条件。4.根据权利要求1
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3中任一项所述的晶圆检测方法，其特征在于，使用所述目标扫描条件对所述待测层进行扫描检测包括：将所述目标扫描条件导入所述晶圆检测设备的扫描检测程序中，控制所述晶圆检测设备在所述目标扫描条件下对所述待测层进行扫描检测。5.根据权利要求1
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3中任一项所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述方法还包括：如果所述检索参量对应有多个可选的预设扫描条件，则对比所述待测层的材料特征和所述晶圆扫描条件数据库中的所述多个可选的预设扫描条件对应的预存层的材料特征；根据对比结果，确定所述目标扫描条件。6.根据权利要求5所述的晶圆检测方法，其特征在于，根据所述对比结果，确定所述目标扫描条件包括：在所述待测层和所述预存层的材料特征满足预设条件的情况下，将所述预存层对应的所述预设扫描条件，确定为所述目标扫描条件。7.根据权利要求6所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述材料特征包括：表面材料、膜层结构、入射光强值或反射光强值中的至少一种。8.根据权利要求7所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述预设条件包括：所述待测层和所述预存层的表面材料中相同元素的含量大于90％，和/或所述待测层和所述预存层的膜层结构的至少2个膜层的叠层顺序一致且各叠层厚度的差值小于10％，和/或所述待测层和所述预存层的入射光强值或反射光强值的差值小于10％。9.根据权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述目标扫描条件包括：明场扫描条件或暗场扫描条件。10.根据权利要求9所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述明场扫描条件包括：波长、光圈、载台移动速度、聚焦偏差、像素大小和电子场方向。11.根据权利要求9所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述暗场扫描条件包括：激光功率、像素大小、偏振量和入射角。12....

【专利技术属性】
技术研发人员：黄宁，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：