一种红外半导体晶体膜发热性能测试装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种红外半导体晶体膜发热性能测试装置，包括开关、加热筒，开关连接晶体膜载体且开关用于控制电源接通晶体膜载体，加热筒为晶体膜载体的加热介质容器，加热筒内设置温度传感器，温度传感器通过支架悬挂连接加热筒的上端边缘，所述的温度传感器的下端置入在加热筒内，且温度传感器置入深度不小于加热筒深度的一半；所述的晶体膜载体悬挂在发热膜挂架的悬吊环上，所述的发热膜挂架包括U型叉、弧形挂槽架，悬吊环设置在U型叉的下端，弧形挂槽架的下底面设置有弧形槽且使加热筒的上边缘嵌入在弧形槽使发热膜挂架支撑在加热筒上；U型叉置入在加热筒内，且U型叉的置入深度不小于加热筒深度的一半。度不小于加热筒深度的一半。度不小于加热筒深度的一半。

【技术实现步骤摘要】
一种红外半导体晶体膜发热性能测试装置


[0001]本技术涉及红外半导体晶体膜发热性能测试装置
，尤其是一种红外半导体晶体膜发热性能测试装置。

技术介绍

[0002]红外半导体晶体膜,又称半导体电热膜，或者金属氧化物电热膜，是能紧密地结合在电介质表面上，通电后成为面状热源的薄膜状半导体电热材料，它具有熔点高、硬度大、电阻低、热效率高、化学稳定性好等特点，特别是耐酸碱；在大批量生产应用中，由于该产品的主要结构为一层镀膜，因此实施至贴膜覆涂柔性物，是其主要应用于不同产品的技术手段；但是目前还存在这样的问题，生产批次，产品存在一定的性能差异，由于工艺差别，以及镀层厚度不同，在平面层存在电阻及发热不不均匀的问题，进而导致这种情况出现，高温点烧坏镀膜层，出现温度异常点，另外产品这种差异，出现在同一批次中，因此需要对其发热性能进行测试，主要是定时进行发热量的观察，是否出现温度异常点，另外需要使其在规定时间内达到发热或者升温效果，否则无法进行应用，或者需要降低等级进行使用。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种红外半导体晶体膜发热性能测试装置，具有便于观察、加热介质可调、便于计算发热量、适合于多种晶体膜采样测试、通用性好特点。
[0004]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，本技术提供一种红外半导体晶体膜发热性能测试装置，包括开关、加热筒，开关连接晶体膜载体且开关用于控制电源接通晶体膜载体，加热筒为晶体膜载体的加热介质容器，加热筒内设置温度传感器，温度传感器通过支架悬挂连接加热筒的上端边缘，所述的温度传感器的下端置入在加热筒内，且温度传感器置入深度不小于加热筒深度的一半；所述的晶体膜载体悬挂在发热膜挂架的悬吊环上，所述的发热膜挂架包括U型叉、弧形挂槽架，悬吊环设置在U型叉的下端，弧形挂槽架的下底面设置有弧形槽且使加热筒的上边缘嵌入在弧形槽使发热膜挂架支撑在加热筒上；U型叉置入在加热筒内，且U型叉的置入深度不小于加热筒深度的一半。
[0005]本申请提供的一种技术方案，还具有以下技术特征：
[0006]进一步，所述的加热筒的上端设置有密封盖，密封盖的下端面设置有密封刷，且密封盖设置有卡止开关、温度传感器的豁口。
[0007]进一步，所述的加热筒的外表面设置有保温层；保温层为可拆卸的柔性套或粘结层。
[0008]进一步，所述的加热筒的下底面设置有支腿，所述的支腿的下底面设置有绝缘层。
[0009]进一步，所述的悬吊环和U型叉之间铰接或焊接，所述的U型叉的宽度不小于加热筒的宽度的一半。
[0010]进一步，所述的加热筒的外壁上设置有刻度线；所述的加热筒连接有接地保护线。
[0011]进一步，所述的开关连接有漏电保护器和短路保护器。
[0012]进一步，所述的开关为定时开关或循环开关。
[0013]进一步，所述的开关为时控插座。
[0014]进一步，所述的时控插座为机械定时插座或智能wifi插座。
[0015]进一步，所述的加热介质为水或油，配备阻燃措施。
[0016]本技术具有如下有益效果，结合具体技术手段来说有如下几点：
[0017]本申请利用在开关、发热膜挂架、温度传感器、加热筒的组合下，使其可以方便观察加热筒内的温度变化，在定时循环下，便于观察加热效果，以及温升情况，根据需要可以采用不同介质，来满足产品应用场景；而采用的发热膜挂架及U型叉可以满足标准化测试，使其在每批次测量中采用一个标准，并满足采样的热性能测试；而且发热膜挂架可以取出，发热膜挂架上的悬吊环可以利用多种结构进行固定，金属丝，绝缘带均可，适合于多种采样形状。
附图说明
[0018]附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。
[0019]图1为本技术实施例的一种红外半导体晶体膜发热性能测试装置的主视图；
[0020]图2为本技术实施例的一种红外半导体晶体膜发热性能测试装置的俯视图；
[0021]图3为本技术实施例的一种红外半导体晶体膜发热性能测试装置的加热筒的主视图；
[0022]图4为本技术实施例的一种红外半导体晶体膜发热性能测试装置的加热筒的俯视图；
[0023]图5为本技术实施例的一种红外半导体晶体膜发热性能测试装置的发热膜挂架的主视图；
[0024]图中：1、开关 2、发热膜挂架 3、温度传感器 4、加热筒 5、晶体膜载体 21、U型叉 22、弧形挂槽架 31、支架 41、支腿 231、悬吊环。
具体实施方式
[0025]下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0026]为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
[0027]除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、
“
左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0028]如图1
‑
5所示：
[0029]实施例1
[0030]一种红外半导体晶体膜发热性能测试装置，包括开关1、加热筒4，开关1连接晶体膜载体5且开关1用于控制电源接通晶体膜载体5，加热筒4为晶体膜载体5的加热介质容器，加热筒4内设置温度传感器3，温度传感器3通过支架31悬挂连接加热筒4的上端边缘，所述的温度传感器3的下端置入在加热筒4内，且温度传感器3置入深度不小于加热筒4深度的一半；所述的晶体膜载体5悬挂在发热膜挂架2的悬吊环231上，所述的发热膜挂架2包括U型叉21、弧形挂槽架22，悬吊环231设置在U型叉21的下端，弧形挂槽架22的下底面设置有弧形槽且使加热筒4的上边缘嵌入在弧形槽使发热膜挂架2支撑在加热筒4上；U型叉21置入在加热筒4内，且U型叉21的置入深度不小于加热筒4深度的一半。
[0031]本申请实施时，实施要点如下：把开关1、加热筒4组合在一起，而开关1连接晶体膜载体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种红外半导体晶体膜发热性能测试装置，包括开关（1）、加热筒（4），开关（1）连接晶体膜载体（5）且开关（1）用于控制电源接通晶体膜载体（5），加热筒（4）为晶体膜载体（5）的加热介质容器，其特征在于：加热筒（4）内设置温度传感器（3），温度传感器（3）通过支架（31）悬挂连接加热筒（4）的上端边缘，所述的温度传感器（3）的下端置入在加热筒（4）内，且温度传感器（3）置入深度不小于加热筒（4）深度的一半；所述的晶体膜载体（5）悬挂在发热膜挂架（2）的悬吊环（231）上，所述的发热膜挂架（2）包括U型叉（21）、弧形挂槽架（22），悬吊环（231）设置在U型叉（21）的下端，弧形挂槽架（22）的下底面设置有弧形槽且使加热筒（4）的上边缘嵌入在弧形槽使发热膜挂架（2）支撑在加热筒（4）上；U型叉（21）置入在加热筒（4）内，且U型叉（21）的置入深度不小于加热筒（4）深度的一半。2.根据权利要求1所述的一种红外半导体晶体膜发热性能测试装置，其特征在于：所述的加热筒（4）的上端设置有密封盖，密封盖的下端面设置有密封刷，且密封盖设置有卡止开关（1）、温度传感器（3）的豁口。3.根据权利要求2所述的一种红外半导体晶体膜发热性能测试...

【专利技术属性】
技术研发人员：张东升，任卫民，
申请(专利权)人：信阳星原智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：