本公开的实施例涉及衬底处理装置及方法。衬底处理装置(100)包括反应室(20)，具有密封反应室(20)的内部体积以用于衬底处理的上部(20a)和下部(20b)，下部(20b)能够与上部(20a)间隔开以在它们之间形成衬底装载间隙；衬底支撑系统，包括支撑台(31)和至少一个支撑元件(70)，至少一个支撑元件(70)能够相对于支撑台(31)竖直移动并且延伸穿过支撑台(31)以在反应室(20)内接收衬底；以及止动器(90)，在衬底装载水平处停止至少一个支撑元件(70)的向下移动。移动。移动。
【技术实现步骤摘要】
衬底处理装置及方法
[0001]本专利技术总体上涉及衬底处理装置及方法。更具体但非排他地，本专利技术涉及化学沉积反应器或蚀刻反应器。
技术介绍
[0002]在不承认本文描述的任何技术代表现有技术的情况下，本节示出了有用的背景信息。
[0003]在化学沉积反应器或蚀刻反应器中，可以通过装载机器人经由闸阀从侧面执行将衬底装载到反应室中的操作。然而，该装载方法和本领域中使用的所有相关联的衬底处理方法对工具设计造成了一定的空间限制。具体地，这些限制可以在反应器的可能设计中观察到。这些限制经常体现在将衬底接收表面配置在反应器内的合适水平处以在发生充分反应的同时为装载机器人提供足够空间以进行操作的挑战中。
技术实现思路
[0004]本专利技术的特定实施例的目的是提供一种被优化以解决实践中遇到的空间限制或者至少提供现有技术的替代方案的改进的衬底处理设备。
[0005]根据本专利技术的第一示例方面，提供了衬底处理装置，包括：
[0006]反应室，具有密封反应室的内部体积以用于衬底处理的上部和下部，下部能够与上部间隔开以在它们之间形成衬底装载间隙；
[0007]衬底支撑系统，包括支撑台和至少一个支撑元件，至少一个支撑元件能够相对于支撑台竖直移动并延伸穿过支撑台以在反应室内接收衬底，装置进一步包括：
[0008]止动器，在衬底装载水平处停止至少一个支撑元件的向下移动。
[0009]在特定实施例中，装置被配置为使下部与支撑台一起移动。
[0010]在特定实施例中，装置被配置为使至少一个支撑元件与支撑台一起向下移动，直到至少一个支撑元件被止动器(或止动元件)停止。
[0011]在特定实施例中，装置被配置为在至少一个支撑元件已被止动器停止之后进一步向下移动支撑台。
[0012]在特定实施例中，装置包括支撑止动器的固定附接部件。
[0013]在特定实施例中，固定附接部件从反应室排气管线延伸。
[0014]在特定实施例中，装置被配置为将至少一个支撑元件与支撑台一起向上提升到衬底处理位置。
[0015]在特定实施例中，支撑台被配置为将衬底升高到反应室的上部的底表面之上。
[0016]在特定实施例中，该提升发生在至少一个支撑元件已接收衬底之后。
[0017]在特定实施例中，支撑台被附接到反应室并且支撑台和反应室的下部(例如，反应室碗状部)被配置为作为一个封装件而上下移动，至少一个支撑元件和支撑台被配置为一起上升到衬底装载水平之上，并且至少一个支撑元件被配置为被止动器停止而停留在装载
水平上，同时支撑台与下部被一起下降到装载水平之下。
[0018]在特定实施例中，装置包括至少部分地围绕反应室的外室。在特定实施例中，外室是真空室。
[0019]在特定实施例中，至少一个支撑元件的顶表面停留在衬底处理位置，衬底处理位置高于闸阀的装载开口的最高点，闸阀的装载开口由用于装载衬底的衬底装载装置所使用。
[0020]在特定实施例中，闸阀被附接到外室的壁。
[0021]在特定实施例中，至少一个支撑元件是具有增大顶部的销的结构。
[0022]在特定实施例中，装置被配置为通过连续的自限制性表面反应在反应室内处理至少一个衬底。
[0023]根据本专利技术的第二示例方面，提供了衬底处理装置，包括：
[0024]反应室，具有密封反应室的内部体积以用于衬底处理的上部和下部，下部能够从上部间隔开以在它们之间形成衬底装载间隙；以及
[0025]衬底支撑系统，包括支撑台，所述支撑台被适配于将衬底提升到反应室的上部的底表面之上。
[0026]根据本专利技术的第三示例方面，提供了用于将衬底装载到反应室中的方法，包括：
[0027]将反应室的下部与反应室的上部间隔开以在它们之间形成衬底装载间隙；
[0028]降低包括支撑台和至少一个支撑元件的衬底支撑系统，其中至少一个支撑元件能够相对于支撑台竖直移动并延伸穿过支撑台；以及
[0029]在衬底装载水平处，通过止动器停止至少一个支撑元件的向下移动。
[0030]在特定实施例中，方法包括：
[0031]在至少一个支撑元件已被止动器止动之后(其中至少一个支撑元件保持在衬底装载水平处)进一步向下移动支撑台。
[0032]根据本专利技术的第四示例方面，提供了用于将衬底装载到反应室中的方法，包括：
[0033]将反应室的下部与反应室的上部分隔开以在它们之间形成衬底装载间隙；
[0034]将支撑台上的衬底提升到反应室的上部的底表面之上，并且通过上部和下部密封反应室的内部体积以用于衬底处理。
[0035]前面已经说明了不同的非约束示例方面和实施例。上述实施例仅用于解释可以在本专利技术的实现中使用的选定方面或步骤。可以仅参考某些示例方面来呈现一些实施例。具体地，在第一方面的上下文中描述的实施例适用于每个其他方面。应当理解，相应的实施例也适用于其他示例方面。可以形成实施例的任何适当组合。
附图说明
[0036]现在将参照附图，仅通过示例的方式，描述本专利技术，其中：
[0037]图1示出了根据特定实施例的衬底处理阶段中的衬底处理装置的示意性截面；
[0038]图2示出了根据特定实施例的在衬底装载阶段期间的图1的衬底处理装置，其中反应室的下部处于中间位置；
[0039]图3示出了根据特定实施例的在衬底装载阶段期间的图1的衬底处理装置，其中反应室的下部处于最低位置；
[0040]图4示出了根据特定实施例的用于图1的装置的升降器布置的示意性截面；以及
[0041]图5示出了显示根据特定实施例的销和升降器附接点位置的俯视图。
具体实施方式
[0042]在以下描述中，使用原子层沉积(ALD)技术和原子层蚀刻(ALE)技术作为示例。
[0043]ALD生长机制的基本知识对于本领域技术人员而言是已知的。ALD是一种特殊的化学沉积方法，基于在至少一个衬底上顺序引入至少两个反应性前驱体物质。基本的ALD沉积周期由四个顺序步骤组成：脉冲A、清洗A、脉冲B和清洗B。脉冲A由第一前驱体蒸汽组成，而脉冲B由另一前驱体蒸汽组成。在清洗A和清洗B期间，非活性气体和真空泵通常用于从反应空间中清洗气态反应副产物和残留反应物分子。沉积顺序包括至少一个沉积循环。重复沉积循环，直到沉积顺序产生了具有所需厚度的薄膜或涂层。沉积循环也可以更简单，也可以更复杂。例如，循环可以包括由清洗步骤分隔的三个或更多个反应物蒸汽脉冲，或者可以省略某些清洗步骤。或者，对于等离子体辅助ALD(例如，PEALD(等离子体增强的原子层沉积))或者光子辅助ALD，可以通过为表面反应提供所需的附加能量来辅助沉积步骤中的一个或多个步骤，该附加能量分别通过等离子体或光子馈入提供。或者可以用能量替代反应性前驱体之一，导致单前驱体ALD工艺。因此，取决于每个特定情况，脉冲和清洗顺序可以不同。沉积循环形成由逻辑单元或微处理器控制的定时沉积顺序。由ALD生长本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种衬底处理装置(100)，包括：反应室(20)，具有密封所述反应室(20)的内部体积以用于衬底处理的上部(20a)和下部(20b)，所述下部(20b)能够与所述上部(20a)间隔开以在它们之间形成衬底装载间隙；衬底支撑系统，包括支撑台(31)和至少一个支撑元件(70)，所述至少一个支撑元件(70)能够相对于所述支撑台(31)竖直移动并延伸穿过所述支撑台(31)以在所述反应室(20)内接收衬底，所述装置(100)进一步包括：止动器(90)，在衬底装载水平处停止所述至少一个支撑元件(70)的向下移动。2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中所述装置(100)被配置为使所述下部(20b)与所述支撑台(31)一起移动。3.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置，其中所述装置(100)被配置为使所述至少一个支撑元件(70)与所述支撑台(31)一起向下移动，直到所述至少一个支撑元件(70)被所述止动器(90)停止。4.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其中所述装置(100)被配置为在所述至少一个支撑元件(70)已被所述止动器(90)停止之后进一步向下移动所述支撑台(31)。5.根据前述权利要求中任一项所述的衬底处理装置，包括支撑所述止动器(90)的固定附接部件(60)。6.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其中所述固定附接部件(60)从反应室排气管线延伸。7.根据前述权利要求中任一项所述的衬底处理装置，其中所述装置被配置为将所述至少一个支撑元件(70)与所述支撑台(31)一起向上提升至衬底处理位置。8.根据前述权利要求中任一项所述的衬底处理装置，其中所述支撑台(31)被附接到所述反应室(20)并且所述支撑台(31)和所述反应室(20)的所述下部(20b)被配置为作为一个封装件而上下移动，所述至少一个支撑元件(70)和所述支撑台(31)被配置为一起上升到衬底装载水平(55)之上，并且所述至少一个支撑元件(70)被配置为被所述止动器(90)停止而停留在所述装载水平面(55)上，同时所述支撑台(31)与所述下部(20b)被一起降低到所述装载水平(55)之下。9.根据前述权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：V，
申请(专利权)人：皮考逊公司，
类型：发明
国别省市：
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