成像装置和电子设备制造方法及图纸

提供一种成像装置(1)，包括：将光转换为电荷的第一成像元件和第二成像元件(100)。第一成像元件和第二成像元件分别包括：多个像素(300)，其设置在半导体基板(10)内并相邻；像素分隔壁(304)，其将多个像素中的相邻的像素分离；以及滤色器(202)，其设置在半导体基板的光接收表面的上方，并透射第一成像元件和第二成像元件的不同波长的光。在从光接收表面侧观察成像装置的情况下，第一成像元件所包括的像素分隔壁在第一成像元件的中心具有狭缝。在从光接收表面侧观察成像装置的情况下，第二成像元件所包括的像素分隔壁在第二成像元件的中心不具有狭缝。不具有狭缝。不具有狭缝。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】成像装置和电子设备


[0001]本公开涉及成像装置和电子设备。

技术介绍

[0002]最近，在成像装置中，采用通过使用一对相邻的相位差检测像素来检测相位差的技术作为自动聚焦功能。这样的技术的示例包括下述的专利文献1至3所公开的成像元件。
[0003]引用列表
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本专利申请公开号2018
‑
201015
[0006]专利文献2：日本专利申请公开号2017
‑
212351
[0007]专利文献3：日本专利申请公开号2015
‑
216186

技术实现思路

[0008]本专利技术要解决的问题
[0009]然而，在上述专利文献1和2中公开的技术中，难以完全防止电荷流入相邻的相位差检测像素，因此，存在进一步提高相位差检测的精度的限制。此外，在上述专利文献3中公开的技术中，虽然可以避免如上所述的电荷的流入，但是在长波长的光入射到成像元件上的情况下，光可能由分离像素的分隔壁不规则地反射，因此，可能发生相邻像素之间的串扰并且可能导致捕获的图像的劣化。
[0010]因此，本公开提出了能够在改善相位差检测的精度的同时避免捕获的图像的劣化的成像装置和电子设备。
[0011]问题的解决方案
[0012]根据本公开，提供了一种成像装置，包括：第一成像元件和第二成像元件，第一成像元件和第二成像元件中的每个将光转换为电荷，其中，第一成像元件和第二成像元件中的每个包括：多个像素，设置在半导体基板中并且彼此相邻；像素分隔壁，分离所述多个像素中的相邻像素；以及滤色器，其设置在所述半导体基板的光接收表面的上方，并使所述第一成像元件与所述第二成像元件之间的不同波长的光透过，在从所述光接收表面侧观察所述成像装置的情况下，所述第一成像元件所包括的像素分隔壁在所述第一成像元件的中心具有狭缝，在从所述光接收表面侧观察所述成像装置的情况下，所述第二成像元件所包括的像素分隔壁在所述第二成像元件的中心不具有狭缝。
[0013]此外，根据本公开，提供了一种电子设备，包括：成像装置，成像装置包括第一成像元件和第二成像元件，第一成像元件和第二成像元件中的每个将光转换为电荷，其中，第一成像元件和第二成像元件中的每个包括：多个像素，设置在半导体基板中并且彼此相邻；像素分隔壁，分离所述多个像素中的相邻的像素；以及滤色器，其设置在所述半导体基板的光接收表面的上方，并使所述第一成像元件与所述第二成像元件之间的不同波长的光透过，在从所述光接收表面侧观察所述成像装置的情况下，所述第一成像元件所包括的像素分隔
壁在所述第一成像元件的中心具有狭缝，在从所述光接收表面侧观察所述成像装置的情况下，所述第二成像元件所包括的像素分隔壁在所述第二成像元件的中心不具有狭缝。
附图说明
[0014]图1是示出根据本公开的实施方式的成像装置1的平面构造实例的说明图。
[0015]图2是示出根据比较例的成像元件100a的截面的一部分的说明图。
[0016]图3是示出了根据比较例的成像元件100a的平面构造的说明图。
[0017]图4是示出根据本公开的第一实施方式的成像元件100的配置实例的说明图。
[0018]图5为示出根据本专利技术第一实施方式的变形例的成像元件100的截面的配置实例的说明图(部分1)。
[0019]图6为示出根据本专利技术第一实施方式的变形例的成像元件100的截面的配置实例的说明图(部分2)。
[0020]图7为示出根据本专利技术第一实施方式的变形例的成像元件100的截面的配置实例的说明图(部分3)。
[0021]图8是示出根据本公开的第二实施方式的成像元件100的平面构造实例的说明图。
[0022]图9是示出根据本公开的第三实施方式的成像元件100的配置实例的说明图。
[0023]图10是示出根据本公开的第三实施方式的变形例的成像元件100的截面的配置实例的说明图(部分1)。
[0024]图11为示出根据本专利技术第三实施方式的变形例的成像元件100的截面的配置实例的说明图(部分2)。
[0025]图12是示出根据本公开的第四实施方式的成像元件100的平面构造实例的说明图。
[0026]图13是示出根据本公开的第五实施方式的成像元件100的配置实例的说明图。
[0027]图14是示出根据本公开的第五实施方式的变形例的成像元件100的截面构造实例的说明图。
[0028]图15是示出根据本公开的第六实施方式的成像元件100的平面构造实例的说明图。
[0029]图16是示出根据本公开的第七实施方式的成像元件100的配置实例的说明图。
[0030]图17是示出根据本公开的第八实施方式的成像元件100的配置实例的说明图。
[0031]图18是示出相机的示意性功能配置的实例的说明图。
[0032]图19是示出智能电话的示意性功能配置的实例的框图。
[0033]图20是示出内窥镜手术系统的示意性结构的实例的示图。
[0034]图21是描述摄像头和CCU的功能配置的实例的框图。
[0035]图22是描述车辆控制系统的示意性配置的实例的框图。
[0036]图23是辅助说明车外信息检测单元和成像部的安装位置的实例的示图。
具体实施方式
[0037]下面将参考附图详细描述本公开的实施方式。在下述实施方式的每一个中，相同的部件由相同的参考符号表示，并且将省略其重复描述。
[0038]注意，在本说明书和附图中，有时在相同附图标记之后使用不同的数字将具有基本相同或相似功能和结构的多个结构元件彼此区分。然而，在没有特别需要区分具有基本上相同或相似功能和结构的多个结构元件的情况下，仅附上相同的附图标记。此外，存在不同实施方式的相似结构元件通过添加相同的附图标记后跟不同的字母来区分的情况。然而，在不需要特别区分每个相似的结构元件的情况下，仅附加相同的参考标记。
[0039]此外，在以下描述中提及的附图是用于促进对本公开的实施方式的描述和理解的附图，并且为了清晰起见，在附图中示出的形状、尺寸、比率等可以不同于实际形状、尺寸、比率等。此外，在附图中示出的成像装置可以适当地考虑以下描述和公知技术在设计上修改。此外，在使用成像装置的截面图的描述中，成像装置的层叠结构的上下方向对应于入射在成像装置上的光进入的光接收表面被假定为上侧的情况下的相对方向，并且可以根据实际重力加速度不同于上下方向。
[0040]在以下描述中表达的尺寸不仅表示在数学上或几何上定义的尺寸，而且表示包括在成像装置的操作和成像装置的制造过程中可允许的程度的差异(误差或变形)的尺寸。此外，在以下描述中用于特定尺寸的“基本相同”不仅表示在数学上或几何上完全匹配的情况，而且还表示在成像装置的操作和成像装置的制造过程中具有允许程度的差异(误差或变形)的情况。
[0041]此外，在以下描述中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种成像装置，包括：第一成像元件和第二成像元件，各自将光转换为电荷，其中，所述第一成像元件和所述第二成像元件中的每一个包括：多个像素，设置在半导体基板中并彼此相邻；像素分隔壁，分离所述多个像素中的相邻的像素；以及滤色器，设置在所述半导体基板的光接收表面上方并且透射在所述第一成像元件与所述第二成像元件之间具有不同波长的光，在从所述光接收表面侧观察所述成像装置的情况下，所述第一成像元件中包括的所述像素分隔壁在所述第一成像元件的中心处具有狭缝，以及在从所述光接收表面侧观察所述成像装置的情况下，所述第二成像元件中包括的所述像素分隔壁在所述第二成像元件的中心处不具有狭缝。2.根据权利要求1所述的成像装置，其中，所述第一成像元件和所述第二成像元件中的每个均包括两个所述像素。3.根据权利要求1所述的成像装置，其中，所述第一成像元件和所述第二成像元件中的每个包括四个所述像素。4.根据权利要求1所述的成像装置，其中，所述第一成像元件和所述第二成像元件中的每个进一步包括元件分隔壁，所述元件分隔壁包围包括在所述第一成像元件和所述第二成像元件中的每个中的所述多个像素并且分离相邻的成像元件。5.根据权利要求4所述的成像装置，其中，所述像素分隔壁和所述元件分隔壁被设置成沿着所述半导体基板的厚度方向从所述光接收表面贯通至所述半导体基板的中间位置，以及所述像素分隔壁相对于所述光接收表面的深度比所述元件分隔壁的深度浅。6.根据权利要求4所述的成像装置，其中，所述像素分隔壁被设置成沿着所述半导体基板的厚度方向从所述光接收表面贯通至所述半导体基板的中间位置，以及所述元件分隔壁被设置成沿所述半导体基板的厚度方向贯穿所述半导体基板。7.根据权利要求5所述的成像装置，其中，所述第一成像元件的所述像素分隔壁相对于所述光接收表面的深度比所述第二成像元件的所述像素分隔壁的深度深。8.根据权利要求4所述的成像装置，其中，在从所述光接收表面侧观察所述成像装置的情况下，所述像素分隔壁的宽度比所述元件分隔壁的宽度窄。9.根据权利要求1所述的成像装置，进一步包括：将光转换为电荷的第三成像元件，其中，所述第三成像元件包括：多个像素，设置在所述半导体基板中并彼此相邻；像素分隔壁，分离多个像素中的相邻像素；以及滤色器，设置在所述半导体基板的所述光接收表面的上方，并透射与所述第一成像元件和所述第二成像元件的滤色器透射的光的波长不同的波长的光。10.根据权利要求9所述的成像装置，其中，在从所述光接收表面侧观察所述成像装置
的情况下，所述第三成像元件中包括的所述像素分隔壁在所述第三成像元件的中心具有狭缝。11.根据权利要求9所述的成像装置，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：中沟正彦，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：