光接收元件和电子设备制造技术

本发明专利技术防止在电极焊盘和接合线之间出现连接缺陷。该光接收元件具备布线区域、电极焊盘、第一凹部和第二凹部。布线区域包括：布线层，设置在半导体基板上，与光电转换部连接，对入射光进行光电转换，并传输信号；和绝缘层，将布线层绝缘；而且，所述布线区域与半导体基板的正面相邻设置。电极焊盘除了连接到布线层，还设置在布线区域中，并且还连接到外部。第一凹部形成在半导体基板的背面，并且其底部形成在半导体基板的电极焊盘附近的正面附近。第二凹部形成于第一凹部的底部，并且第二凹部的底部形成于电极垫的表面上。部形成于电极垫的表面上。部形成于电极垫的表面上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光接收元件和电子设备


[0001]本公开涉及光接收元件和电子设备。具体地，本公开涉及检测来自物体的光的光接收元件和其中使用光接收元件的电子设备。

技术介绍

[0002]常规，使用其中放置多个像素的光接收元件，该像素包括检测来自物体的光的光电转换单元。光接收元件例如用于测量到物体的距离的测距装置。可以通过利用来自附接的光源的光照射对象、检测经对象反射的光以及测量来自光源的光在对象与光源之间往复运动的时间来测量到对象的距离。这种用于测量到物体的距离的光接收元件需要以高速高灵敏度检测光。用作光电转换单元的是作为一种光电二极管的雪崩光电二极管(APD)或单光子雪崩二极管(SPAD)。这些二极管是在施加接近击穿电压的反向偏压的同时执行光电转换的光电二极管。这些二极管实现具有高灵敏度的高速响应。
[0003]光电探测器被用作光接收元件。光电检测器包括例如作为像素中的光电转换单元布置的APD、分离相邻像素的分离区域以及分离区域的侧壁上的霍尔存储区域(例如，参见PTL1)。从形成在半导体基板的端面上的像素边界处的界面状态发射的电子被霍尔存储区域捕获，从本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光接收元件，包括：布线区域，所述布线区域设置在紧邻半导体基板的正面，所述布线区域包括用于传输信号的布线层和用于绝缘所述布线层的绝缘层，所述布线层连接至光电转换单元，所述光电转换单元设置在所述半导体基板中并对入射光执行光电转换；电极焊盘，所述电极焊盘设置在所述布线区域中并且连接至布线层以便电连接至外部；第一凹部，所述第一凹部形成在所述半导体基板的背面，所述背面与所述半导体基板的所述正面相反，所述第一凹部在靠近所述电极焊盘的所述半导体基板的正面附近形成有底部；以及第二凹部，所述第二凹部形成在所述第一凹部的所述正面上并且具有形成在所述电极焊盘的表面上的底部。2.根据权利要求1所述的光接收元件，其中，所述第二凹部被配置为与所述第一凹部不同的开口尺寸。3.根据权利要求2所述的光接收元件，其中，所述第二凹部在所述半导体基板的背面的开口面积在平面图中与所述第一凹部不同。4.根据权利要求2所述的光接收元件，其中，所述第二凹部在所述半导体基板的正面的开口面积在平面图中与所述第一凹部不同。5.根据权利要求2所述的光接收元件，其中，所述第二凹部具有彼此不同的开口面积和底部面积。6.根据权利要求5所述的光接收元件，其中，所述第二凹部在所述半导体基板的背面的形状比在所述第二凹部的底面的形状大。7.根据权利要求6所述的光接收元件，其中，所述第二凹部的截面呈锥形。8.根据权利要求7所述的光接收元件，其中，所述第二凹部的截面具有不同倾斜角的多个锥形形状。9.根据权利要求1所述的光接收元件，其中，所述第一凹部具有彼此不同的开口面积和底部面积。10.根据权利要求9所述的光接收元件，其中，所述第一凹部在所述半导体基板的背面的形状比所述第一凹部的底面的形状大。11.根据权利要求10所述的光接收元件，其中，所述第一凹部的截面呈锥形。12.根据权利要求1所述的光接收元件，其中，所述第一凹部被配置为竖直壁面。13.根据权利要求1所述的光接收元件，其中，所述第一凹部被配置为弯曲侧面。14.根据权利要求1所述的光接收元件，其中，所述第一凹部具有截面为线性形状的底部。15.根据权利要求1所述的光接收元件，其中，所述第一凹部被配置为弯曲底部。16.根据权利要求1所述的光接收元件，其中，在蚀刻时在所述第一凹部堆积反应生成物。17.根据权利要求1所述的光接收元件，其中，所述光电转换单元包括光电二极管。18.根据权利要求17所述的光接收元件，其中，所述光电转换单元包括光电二极管，所述光电二极管将由入射光的光电转换产生的电荷乘以高...

【专利技术属性】
技术研发人员：大野诚，多田贵宣，户岛谦二，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：