一种DMD直写混波曝光方法技术

本发明专利技术公开了一种DMD直写混波曝光方法，沿DMD扫描方向，将DMD分割成若干独立微镜区，相邻的独立微镜区之间不相交；将若干不同波长的入射光，分别照射至DMD上各独立微镜区内；各独立微镜区反射的不同波长入射光，随DMD扫描，依次照射至被感光面上同一感光区；各独立微镜区反射的不同波长入射光，在被感光面上同一感光区依次叠加相同的曝光图形；经过感光面上的上一感光区的独立微镜区，随DMD扫描，进入下一感光区并进行曝光，本感光区获得与上一感光区相同或不同形状的曝光图形；本发明专利技术的DMD直写混波曝光方法，解决现有技术中DMD多波混合直写曝光中存在的多种波长入射光光路耦合不便的问题。的问题。的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种DMD直写混波曝光方法


[0001]本专利技术属于DMD直写曝光领域，更具体的说涉及一种DMD直写混波曝光方法。

技术介绍

[0002]在激光直接成像设备领域，主流的光调制技术是采用DMD技术，本技术主要就依靠对DMD上的数百万的微型镜片进行翻转从而达到光调制的目的，一直以来在PCB等微纳图形加工领域都是单波长的方式进行转移图像。然后随着直写技术的不断发展以及应用领域的拓展，很多需要多种波长共同作用才能完成转移图像的应用场景也开始尝试使用直接成像技术。多波混合给光路系统设计带来了挑战。目前各种研究及常用方法都是把多种波长的入射光光路先进行耦合，然后通过光纤传入直接成像设备的照明系统，进而直接照射到DMD使用。该方法好处是只要多种波长的入射光耦合好即可，直接成像设备的照明系统虽然不用改变，但是直接成像设备的成像部分需要对应改变，而且多波长的入射光耦合也存在诸多限制，如随着波长数量变化而需要重新设计耦合等等，不够灵活。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种DMD直写混波曝光方法，解决现有技术中DMD多波混合直写曝光中存在的多种波长入射光光路耦合不便的问题。
[0004]本专利技术技术方案一种DMD直写混波曝光方法，沿DMD扫描方向，将DMD分割成若干独立微镜区，相邻的独立微镜区之间不相交；
[0005]将若干不同波长的入射光，分别照射至DMD上各独立微镜区内；各独立微镜区反射的不同波长入射光，随DMD扫描，依次照射至被感光面上同一感光区；各独立微镜区反射的不同波长入射光，在被感光面上同一感光区依次叠加相同的曝光图形；
[0006]经过感光面上的上一感光区的独立微镜区，随DMD扫描，进入下一感光区并进行曝光，本感光区获得与上一感光区相同或不同形状的曝光图形。
[0007]优选地，所有独立微镜区具有列数相同的DMD矩阵微镜。
[0008]优选地，相邻的独立微镜区之间具有间距，所述间距宽度为相邻两不同波长的入射光曝光延时时间与DMD扫描速度之积。
[0009]优选地，分别照射至DMD上各独立微镜区内的入射光，至少有两入射光的波长不相等。
[0010]优选地，照射至同一独立微镜区内的入射光为单一波长入射光。
[0011]优选地，照射至同一独立微镜区内的入射光为多种波长的混合入射光。
[0012]优选地，所述入射光包括但不限于激光、UV、DUV和EUV。
[0013]优选地，所述DMD进行正扫描或斜扫描。
[0014]本专利技术技术方案的一种DMD直写混波曝光方法的有益效果是：在多种波长的入射光进行混波感光时，不需要进行入射光光路耦合，直接将不同波长的入射光按照要求照射至DMD上，通过对DMD翻图的控制，即可实现对感光面进行多种不同波长入射光进行感光。本
技术方案的DMD直写混波曝光方法，灵活性好，适应性强，不要对硬件设备进行改变。
附图说明
[0015]图1为本专利技术技术方案的一种DMD直写混波曝光方法中，DMD上独立微镜区分区示意图；也即DMD正扫描状态时，多种波长的入射光在DMD上混光示意图。
[0016]图2为本专利技术技术方案的一种DMD直写混波曝光方法中，DMD上独立微镜区分区示意图；也即DMD斜扫描状态时，多种波长的入射光在DMD上混光示意图。
[0017]图3为本专利技术技术方案的一种DMD直写混波曝光方法曝光过程示意图。
具体实施方式
[0018]为便于本领域技术人员理解本专利技术技术方案，现结合说明书附图对本专利技术技术方案做进一步的说明。
[0019]本专利技术技术方案一种DMD直写混波曝光方法，沿DMD扫描方向，将DMD分割成若干独立微镜区，相邻的独立微镜区之间不相交；
[0020]将若干不同波长的入射光，分别照射至DMD上各独立微镜区内；各独立微镜区反射的不同波长入射光，随DMD扫描，依次照射至被感光面上同一感光区；各独立微镜区反射的不同波长入射光，在被感光面上同一感光区依次叠加相同的曝光图形；
[0021]经过感光面上的上一感光区的独立微镜区，随DMD扫描，进入下一感光区并进行曝光，本感光区获得与上一感光区相同或不同形状的曝光图形。
[0022]本技术方案中，所有独立微镜区具有列数相同的DMD矩阵微镜。
[0023]本技术方案中，相邻的独立微镜区之间具有间距，所述间距宽度为相邻两不同波长的入射光曝光延时时间与DMD扫描速度之积。
[0024]本技术方案中，分别照射至DMD上各独立微镜区内的入射光，至少有两入射光的波长不相等。
[0025]本技术方案中，照射至同一独立微镜区内的入射光为单一波长入射光。
[0026]本技术方案中，照射至同一独立微镜区内的入射光为多种波长的混合入射光。
[0027]本技术方案中，所述入射光包括但不限于激光、UV、DUV和EUV。
[0028]本技术方案中，所述DMD进行正扫描或斜扫描。
[0029]为了本专利技术技术方案一种DMD直写混波曝光方法进一步理解，下面结合附图做进一步说明。
[0030]本技术方案中，DMD无论是进行正扫描或斜扫描，其混波曝光方法是相同的。沿DMD扫描方向，将DMD分割成若干独立微镜区。这里的“DMD扫描方向”是指DMD移动方向，或DMD相对与感光面移动方向，如图1和图2中所示的虚线箭头方向，可以是由上至下或由下至上。当然，DMD扫描方向也可以至由左至右或者由右至左，同时其独立微镜区分区也相应改变，改变为左右方向上的依次分区，确保在DMD扫描曝光时，各独立微镜区反射的不同波长的入射光，依次照射至被感光面同一感光区内。
[0031]直接成像设备的照明系统与DMD的角度变化是同步的，即如图1和图2中，无论DMD是进行正扫描还是斜扫描，DMD上对“独立微镜区”的分割方法是一样的，始终是占据DMD上横纵向的若干个整数矩阵。如图1和图2中，表示的均是一个M*N的DMD微镜阵列，一般的实际
应用中DMD具有1080*1920的微镜阵列，在这个M*N的DMD微镜阵列中，具有三个独立微镜区，由下至上依次为：单实线阴影区显示的独立微镜区Q1，网格线阴影区显示的独立微镜区Q2，点划线阴影区显示的独立微镜区Q3。
[0032]本技术方案中，然后将若干不同波长的入射光，按照在感光面上同一感光区不同波长的入射光的曝光顺，沿DMD扫描方向，依次照射至DMD上各独立微镜区。即如图1和图2中，单实线阴影区显示的独立微镜区Q1、网格线阴影区显示的独立微镜区Q2和点划线阴影区显示的独立微镜区Q3内照射有不同波长的入射光。
[0033]本技术方案中，各独立微镜区反射的不同波长入射光，在被感光面上同一感光区依次叠加相同的曝光图形。如图3中(a)和(c)所示，假如感光面S上的感光区S1内需要获得粗实线所示的图形K1，那么通过控制独立微镜区Q1、独立微镜区Q2和独立微镜区Q3内的各个微镜翻转，使得经过独立微镜区Q1、独立微镜区Q2和独立微镜区Q3依次照射至感光区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种DMD直写混波曝光方法，其特征在于，沿DMD扫描方向，将DMD分割成若干独立微镜区，相邻的独立微镜区之间不相交；将若干不同波长的入射光，分别照射至DMD上各独立微镜区内；各独立微镜区反射的不同波长入射光，随DMD扫描，依次照射至被感光面上同一感光区；各独立微镜区反射的不同波长入射光，在被感光面上同一感光区依次叠加相同的曝光图形；经过感光面上的上一感光区的独立微镜区，随DMD扫描，进入下一感光区并进行曝光，本感光区获得与上一感光区相同或不同形状的曝光图形。2.根据权利要求1所述的一种DMD直写混波曝光方法，其特征在于，所有独立微镜区具有列数相同的DMD矩阵微镜。3.根据权利要求1所述的一种DMD直写混波曝光方法，其特征在于，相邻的独立微镜区之间具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：章广飞，王运钢，薛业保，李文静，
申请(专利权)人：安徽国芯光刻技术有限公司，
类型：发明
国别省市：