用于存储器装置的电极结构及相关联装置和系统制造方法及图纸

本公开涉及用于存储器装置的电极结构及相关联装置和系统。本文中公开具有用热循环增加电阻率的电极结构的存储器装置及相关联系统和方法。在一些实施例中，存储器装置包含存储器元件及电耦合到所述存储器元件的电极结构。所述电极结构可包含包括钨、硅、及锗的组合物的材料。物的材料。物的材料。

【技术实现步骤摘要】
用于存储器装置的电极结构及相关联装置和系统


[0001]本技术大体上涉及存储器装置，且更特定来说，涉及具有用热循环增加电阻率的电极结构的存储器装置。

技术介绍

[0002]存储器装置广泛用于存储与各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物)相关的信息。信息通过编程存储器单元的不同状态而存储。存在各种类型的存储器装置，例如非易失性存储器装置(例如，NAND快闪存储器装置)及易失性存储器装置(例如，动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)及类似物)。
[0003]改进存储器装置大体上可包含增加存储器单元密度、提高读取/写入速度或以其它方式减少操作延时、提高可靠性、增加数据保持、降低功率消耗或降低制造成本等等。制造商可通过例如减少所使用的电力或材料的量来降低制造成本。制造商可同样通过用特定材料或配置形成存储器装置使得其不会随着时间快速降级来提高可靠性。

技术实现思路

[0004]一方面，本公开提供一种存储器装置，其包括：存储器元件；及电极结构，其电耦合到所述存储器元件，其中所述电极结构包含包括本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其包括：存储器元件；及电极结构，其电耦合到所述存储器元件，其中所述电极结构包含包括钨、硅、及锗的组合物的材料。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述材料是第一材料，且其中所述电极结构进一步包含不同于所述第一材料的第二材料。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述第二材料在所述存储器元件与所述第一材料之间。4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述第二材料是碳基材料。5.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述第一材料具有比所述第二材料更大的厚度。6.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述第二材料具有比所述第一材料更大的厚度。7.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述第一材料的所述厚度小于100埃。8.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述第一材料的所述厚度在约50到90埃之间。9.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述第一材料的所述厚度在约10到30埃之间。10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述组合物中的硅与钨的比率大于或等于1.0。11.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述组合物中的锗与钨的比率大于或等于1.0。12.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述组合物中的硅与钨的比率大于锗与钨的比率。13.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述组合物中的硅与钨的比率小于锗与钨的比率。14.一种存储器装置，其包括：存储器元件；及电极结构，其电耦合到所述存储器元件，其中所述电极结构经配置以在暴露到多个热循...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑鹏园，Y，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：