一种单总线协议使用的长距离强驱动电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种单总线协议使用的长距离强驱动电路，该电路中有集成电路74HCLG125GV、mos场效应管M2、PNP三极管U18、NPN三极管U23、NPN三极管U16、PNP三极管U18、1_wire_in_2端口、1_wire_pu_2端口、1_wire_out_2端口、1_wire_pd_2端口等。这一种单总线协议使用的长距离强驱动电路增加在了单总线协议的传感器电路中，通过电路增强了驱动能力，让one

【技术实现步骤摘要】
一种单总线协议使用的长距离强驱动电路


[0001]本技术涉及一种单总线协议使用的长距离强驱动电路。

技术介绍

[0002]如图2所示，常见的one
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wire协议传感器使用的外围电路，都是在信号端 DQ处接一个电阻到VDD端作为上拉电阻，该电阻可以将通信过程中的DQ端拉高，但在长距离例如通信距离达到几十上百米的时候，或者需要并联多个传感器通信时，DQ端会有很大负载，也容易受到外界干扰。
[0003]常用的方法是通过添加上一个上拉电阻来拉高DQ信号，但这种方法不能在长距离和多点并联的情况下保持one
‑
wire通信正常，不能满足正常通信的要求。因此如果想要在长距离或者同时读取多个传感器时，就需要对驱动电路进行专门的设计，保证通信正常。

技术实现思路

[0004]本技术提供了一种可解决长距离多点通信的单总线协议使用的长距离强驱动电路，解决以往方法能在长距离和多点并联的情况下保持one
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wire 通信正常的问题。
[0005]本技术的目的是这样实现的：
[0006]一种单总线协议使用的长距离强驱动电路，该电路中有电阻R30，电阻R30 的两端分别接5V的电源VCC和发光二极管U13的正极，发光二极管U13的负极接集成电路的4脚和1_wire_in_2端口，集成电路的5脚接电源VCC和100nF 的电容C23，电容C23另外一端接地；集成电路的1脚和3脚接地，2脚接第一电阻R31，第一电阻R31的另外一端分别接二极管U22、二极管U53的阴极以及电容C25和第二电阻R46的一端，集成电路的2脚还与mos场效应管M2 的3脚、PNP三极管U18集电极3脚、NPN三极管U23的发射极3脚相连，二极管U22、二极管U53和电容C25的另一端接地，mos场效应管M2的2脚接电源VCC，1脚接第三电阻R38，第三电阻R38另外一端接第四电阻R33和 NPN三极管U16的集电极，第三电阻R38另外一端接电源VCC；NPN三极管 U16的发射极接地，基极接第五电阻R37，第五电阻R37的另外一端接第六电阻R39和1_wire_pu_2端口，PNP三极管U18的发射极接27欧姆的第七电阻 R44，第七电阻R44另外一端接5V的电源VCC，PNP三极管U18的基极接第八电阻R47，第八电阻R47另外一端接第九电阻R45和1_wire_out_2端口，第九电阻R45另外一端接电源VCC，NPN三极管U23的发射极接地，基极接第十电阻R50，第十电阻R50另外一端接第十一电阻R53和1_wire_pd_2端口，第十一电阻R53另外一端接地。
[0007]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0008]这一种单总线协议使用的长距离强驱动电路增加在了单总线协议的传感器电路中，通过电路增强了驱动能力，让one
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wire传感器的通信距离更远，可达数百米；此外电路简单可靠，可同时驱动多个传感器，让设备成本大大降低。
附图说明
[0009]图1为本技术一种单总线协议使用的长距离强驱动电路的示意图。
[0010]图2为以往one
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wire协议的传感器使用的外围电路的示意图。
[0011]其中：电阻R30、电源VCC、发光二极管U13、集成电路74HCLG125GV、电容C23、第一电阻R31、二极管U22、二极管U53、电容C25、第二电阻R46、 mos场效应管M2、PNP三极管U18、NPN三极管U23、电容C25、第三电阻R38、第四电阻R33、NPN三极管U16、第五电阻R37、第六电阻R39、PNP三极管U18、第七电阻R44、第八电阻R47、第九电阻R45、第十电阻R50、第十一电阻R53、1_wire_in_2端口、1_wire_pu_2端口、1_wire_out_2端口、 1_wire_pd_2端口。
具体实施方式
[0012]参见图1，本技术涉及一种单总线协议使用的长距离强驱动电路，该电路中有电阻R30，电阻R30的两端分别接5V的电源VCC和发光二极管U13 的正极，发光二极管U13的负极接集成电路74HCLG125GV的4脚和1_wire_in_2 端口，集成电路74HCLG125GV的5脚接5V的电源VCC和100nF的电容C23，电容C23另外一端接地；集成电路74HCLG125GV的1脚和3脚接地，集成电路74HCLG125GV的2脚接10K的第一电阻R31，第一电阻R31的另外一端分别接二极管U22(SS14)、二极管U53(1N4148)的阴极以及10nF的电容C25 和1.1K的第二电阻R46的一端，集成电路74HCLG125GV的2脚还与mos场效应管M2(FDN5618P)的3脚、PNP三极管U18(S9012)集电极3脚、NPN 三极管U23(SS8050)的发射极3脚相连，二极管U22、二极管U53和电容C25 的另一端接地。mos场效应管M2的2脚接5V的电源VCC，mos场效应管M2 的1脚接2.2K的第三电阻R38，第三电阻R38另外一端接10K的第四电阻R33 和NPN三极管U16(SS8050)的集电极，第三电阻R38另外一端接5V的电源 VCC；NPN三极管U16的发射极接地，基极接1.5K的第五电阻R37，第五电阻 R37的另外一端接4.7K的第六电阻R39和1_wire_pu_2端口，S9012型号的PNP 三极管U18的发射极接27欧姆的第七电阻R44，第七电阻R44另外一端接5V 的电源VCC，PNP三极管U18的基极接2.2K的第八电阻R47，第八电阻R47另外一端接10K的第九电阻R45和1_wire_out_2端口，第九电阻R45另外一端接5V的电源VCC，NPN三极管U23的发射极接地，基极接1.5K的第十电阻R50，第十电阻R50另外一端接4.7K的第十一电阻R53和1_wire_pd_2端口，第十一电阻R53另外一端接地。
[0013]本技术专利的驱动电路工作原理为：
[0014]二极管U53和二极管U22可以起到整流的作用，让通信信号保持稳定； 1_wire_in_2端口用于读取传感器输出的高低电平信号；当需要给传感器发送信号时，需要先将1_wire_out_2设置为低电平，然后当需要发送高电平信号时，将1_wire_pu_2置为高电平即可，当需要发送低电平信号时，将1_wire_pd_2 设置为高电平即可。
[0015]1_wire_pu_2置为高电平，1_wire_out_2设置为高电平时，mos场效应管 M2打开，驱动能力增强，使主机可以支持更远和更多one_wire设备的通信，这种模式的驱动能力最强；1_wire_pu_2置为低电平，1_wire_out_2设置为低电平时，mos场效应管M2被关闭，PNP三极管U18打开，此时可通过 1_wire_out_2来拉高，由于PNP三极管U18的驱动能力小于mos场效应管M2，因此使用该端口时驱动能力弱于1_wi本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单总线协议使用的长距离强驱动电路，其特征是：该电路中有电阻R30，电阻R30的两端分别接5V的电源VCC和发光二极管U13的正极，发光二极管U13的负极接集成电路的4脚和1_wire_in_2端口，集成电路的5脚接电源VCC和100nF的电容C23，电容C23另外一端接地；集成电路的1脚和3脚接地，2脚接第一电阻R31，第一电阻R31的另外一端分别接二极管U22、二极管U53的阴极以及电容C25和第二电阻R46的一端，集成电路的2脚还与mos场效应管M2的3脚、PNP三极管U18集电极3脚、NPN三极管U23的发射极3脚相连，二极管U22、二极管U53和电容C25的另一端接地，mos场效应管M2的2脚接电源VCC，1脚接第三电阻R38，第三电阻R38另外一端接第四电阻R33和N...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋磊，
申请(专利权)人：江苏银河芯微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：