一种半导体结构及制备方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构及制备方法，该半导体结构包括半导体衬底，半导体衬底中形成有浅沟槽，隔离氧化层填充于浅沟槽中，低压区的隔离氧化层的上表面高于所述高压区的隔离氧化层的上表面，从而在形成第一栅氧层及第二栅氧层后，使得高压区隔离氧化层上第一栅氧层的上表面略高于低压区隔离氧化层的上表面，从而提升整个结构表面的平整度。该制备方法利用现有制程中的第一光刻版，结合涂覆负光刻胶层的方法，使高压区的隔离氧化层暴露出来，同时对低压区形成保护。进而对高压区的隔离氧化层进行消耗减薄，之后再形成第一栅氧层，从而降低高压区隔离氧化层上的第一栅氧层的表面高度，最终提升整个结构表面的平整度。最终提升整个结构表面的平整度。最终提升整个结构表面的平整度。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种半导体结构及制备方法。

技术介绍

[0002]随着半导体器件集成度的不断提高，在一块芯片上往往集成了多种工作于不同电压下的的电路和器件。对于高压区域的器件与低压区域的器件，要采用厚度不同的栅氧层，以达到不同的耐压性能。
[0003]参阅图1
‑
图8，现有工艺中对于高压区与低压区形成不同厚度栅氧层的方法为：首先，提供半导体中间结构，如图1所示，包括依次叠置的半导体衬底101、牺牲氧化层102、钝化层103及抗反射层104，所述半导体衬底中形成有浅沟槽11，所述浅沟槽11内壁形成有线氧化层21，隔离氧化层105填充于所述浅沟槽11内并凸出于所述抗反射层104；接着，如图2
‑
图3所示，通过刻蚀工艺对有源区上方的所述隔离氧化层105进行去除，然后利用化学机械研磨去除所述抗反射层104及凸出于钝化层103上表面的残余的所述隔离氧化层105；接着，如图4所示，进行酸洗去除所述牺牲氧化层102、钝化层103，通过热氧化工艺形成第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：S1：提供半导体中间结构，包括依次叠置的半导体衬底、牺牲氧化层、钝化层及抗反射层，所述半导体衬底中形成有浅沟槽，所述浅沟槽隔离出有源区，隔离氧化层填充于所述浅沟槽内并凸出于所述抗反射层，所述半导体衬底包括低压区及高压区；S2：通过刻蚀工艺对所述有源区上方的所述隔离氧化层进行去除，然后利用化学机械研磨去除所述抗反射层及部分所述隔离氧化层，使所述隔离氧化层的上表面低于所述钝化层的上表面；S3：于所述隔离氧化层及所述钝化层的上表面形成负光刻胶层；S4：采用第一光刻版对高压区进行遮挡，然后进行曝光，对高压区的所述负光刻胶层进行去除；S5：采用干法刻蚀对所述高压区的所述隔离氧化层进行减薄；S6：去除所述负光刻胶层、牺牲氧化层、钝化层，于所述半导体衬底及隔离氧化层上形成第一栅氧层。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括如下步骤：S7：于所述第一栅氧层表面涂覆正光刻胶层，采用所述第一光刻版对高压区进行遮挡，然后进行曝光，对低压区的所述正光刻胶层进行去除，并对低压区的第一栅氧层进行去除；S8：去除所述正光刻胶层，并于低压区的有源区上形成第二栅氧层，从而形成所述半导体结构。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述半导体结构中，所述低压区隔离氧化层的上表面与有源区上表面的高度差d1与所述高压区隔离氧化层上第一栅氧层的上表面与有源区上表面的高度差d2具有如下关系：4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述半导体结构中，所述高压区隔离氧化层上第一栅氧层的上表面高于低压区隔离氧化层的上表面。5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一栅氧层及第二栅氧层通过热氧化工艺形成。6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一栅氧层及第二栅氧层均为氧化硅。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖文青，黄峰，李钊，黄永彬，杨凯，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：