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本发明提供一种半导体结构及制备方法，该半导体结构包括半导体衬底，半导体衬底中形成有浅沟槽，隔离氧化层填充于浅沟槽中，低压区的隔离氧化层的上表面高于所述高压区的隔离氧化层的上表面，从而在形成第一栅氧层及第二栅氧层后，使得高压区隔离氧化层上第一...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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