提供了半导体封装结构、半导体封装件和堆叠半导体封装件，所述半导体封装结构包括：封装基板；半导体芯片，所述半导体芯片位于所述封装基板上并且电连接到所述封装基板；中介基板，所述中介基板位于所述封装基板和所述半导体芯片上方，其中，所述中介基板包括从所述中介基板的下表面向里凹入的腔，其中，至少从俯视图看，所述半导体芯片设置在所述腔内；以及粘合层，所述粘合层设置在所述腔的内部和外部，其中，所述粘合层形成在所述半导体芯片的上表面和侧表面上，或者形成在所述半导体芯片的所述侧表面上。的所述侧表面上。的所述侧表面上。
【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构、半导体封装件和堆叠半导体封装件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于并要求于2021年5月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0057483的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。
[0003]本专利技术构思涉及半导体封装结构和包括该半导体封装结构的堆叠半导体封装结构，并且更具体地，涉及具有中介(interposer)基板的半导体封装结构和包括该半导体封装结构的堆叠半导体封装结构。
技术介绍
[0004]随着电子产业的发展，对电子组件的高功能化和小型化的需求正在迅速增加。为了应对这一趋势，已经提出了多个半导体芯片堆叠在一个封装基板上或者中介基板被夹持在半导体芯片之间的半导体封装结构。另外，已经提出了第二半导体封装结构堆叠在第一半导体封装结构上的堆叠半导体封装结构。
技术实现思路
[0005]本专利技术构思的各个方面提供了具有小厚度并且能够改善中介基板和半导体芯片之间的粘合可靠性的半导体封装结构。
[0006]本专利技术构思的实施例提供了第二半导体封装结构堆叠在第一半导体封装结构上的堆叠半导体封装结构。
[0007]根据本专利技术构思的一方面，一种半导体封装结构包括：封装基板；半导体芯片，所述半导体芯片位于所述封装基板上并且电连接到所述封装基板；中介基板，所述中介基板位于所述封装基板和所述半导体芯片上方，其中，所述中介基板包括从所述中介基板的下表面向里凹入的腔，其中，至少从俯视图看，所述半导体芯片设置在所述腔内；以及粘合层，所述粘合层设置在所述腔的内部和外部，其中，所述粘合层形成在所述半导体芯片的上表面和侧表面上，或者形成在所述半导体芯片的所述侧表面上。
[0008]根据本专利技术构思的另一方面，一种半导体封装件包括半导体芯片安装结构，所述半导体芯片安装结构包括封装基板、位于所述封装基板上的半导体芯片以及位于所述封装基板上并围绕所述半导体芯片的下连接凸块。所述半导体封装件还包括附接到所述半导体芯片安装结构上的中介粘合结构，其中，所述中介粘合结构包括：中介基板，所述中介基板具有从所述中介基板的下表面向里凹入并且与所述半导体芯片对应的腔；粘合层，所述粘合层设置在所述腔的内部和外部，并且位于所述半导体芯片的上表面和相对的侧表面上，或者位于所述半导体芯片的所述相对的侧表面上；以及上连接凸块，所述上连接凸块位于所述中介基板上并且围绕所述腔，并且电连接到所述下连接凸块。所述半导体封装件还包括用于在所述半导体芯片安装结构和所述中介粘合结构之间进行密封的模制层。
[0009]根据本专利技术构思的另一方面，一种堆叠半导体封装件包括堆叠半导体封装结构，
所述堆叠半导体封装结构包括第一半导体封装结构和位于所述第一半导体封装结构上的第二半导体封装结构。所述第一半导体封装结构包括：第一封装基板；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片位于所述第一封装基板上并且电连接到所述第一封装基板；中介基板，所述中介基板位于所述第一封装基板和所述第一半导体芯片上方，其中，所述中介基板包括从所述中介基板的下表面向里凹入的腔，其中，所述第一半导体芯片设置为对应于所述腔；以及粘合层，所述粘合层设置在所述腔的内部和外部，其中，所述粘合层形成在所述第一半导体芯片的上表面和至少两个侧表面上，或者形成在所述第一半导体芯片的所述至少两个侧表面上。
[0010]所述第二半导体封装结构包括：第二封装基板；外部连接凸块，所述外部连接凸块设置在所述第二封装基板的下表面上并且电连接到所述中介基板；以及第二半导体芯片，所述第二半导体芯片设置在所述第二封装基板的上表面上并且电连接到所述第二封装基板。
附图说明
[0011]根据下面结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本专利技术构思的实施例，在附图中：
[0012]图1A是示出了根据本专利技术构思的实施例的半导体封装结构的截面图；
[0013]图1B是示出了图1A的一些组件的截面图；
[0014]图2是示出了根据本专利技术构思的实施例的图1A的中介基板和粘合层的布置的布局图；
[0015]图3A和图3B是示出了根据本专利技术构思的实施例的图1A和图1B的中介粘合结构的截面图；
[0016]图4是示出了根据本专利技术构思的实施例的将图3A和图3B的中介粘合结构与图1A和图1B的半导体芯片安装结构粘合的制造工艺的分解截面图；
[0017]图5A是示出了根据本专利技术构思的实施例的半导体封装结构的一些组件的截面图；
[0018]图5B是示出了根据本专利技术构思的实施例的半导体封装结构的一些组件的截面图；
[0019]图6A是示出了根据本专利技术构思的实施例的半导体封装结构的截面图；
[0020]图6B是示出了根据本专利技术构思的实施例的图6A的一些组件的截面图；
[0021]图7是示出了根据本专利技术构思的实施例的图6A的中介基板、粘合层和斑块图案的布置的布局图；
[0022]图8A和图8B是示出了根据本专利技术构思的实施例的图6A和图6B的中介粘合结构的截面图；
[0023]图9是示出了根据本专利技术构思的实施例的将图8A和图8B的中介粘合结构与图6A和图6B的半导体芯片安装结构粘合的制造工艺的分解截面图；
[0024]图10A是示出了根据本专利技术构思的实施例的半导体封装结构的截面图；
[0025]图10B是示出了根据本专利技术构思的实施例的图10A的一些组件的截面图；
[0026]图11是示出了根据本专利技术构思的实施例的图10A的中介基板、贯穿类型的腔和粘合层的布置的布局图；
[0027]图12A和图12B是示出了根据本专利技术构思的实施例的图10A和图10B的中介粘合结
构的截面图；
[0028]图13是示出了根据本专利技术构思的实施例的将图12A和图12B的中介粘合结构与图10A和图10B的半导体芯片安装结构粘合的制造工艺的分解截面图；
[0029]图14A是示出了根据本专利技术构思的实施例的半导体封装结构的截面图；
[0030]图14B是示出了根据本专利技术构思的实施例的图14A的一些组件的截面图；
[0031]图15是示出了根据本专利技术构思的实施例的图14A的中介基板、贯穿类型的腔和粘合层的布置的布局图；
[0032]图16A和图16B是示出了根据本专利技术构思的实施例的图14A和图14B的中介粘合结构的截面图；
[0033]图17是示出了根据本专利技术构思的实施例的将图16A和图16B的中介粘合结构与图14A和图14B的半导体芯片安装结构粘合的制造工艺的分解截面图；
[0034]图18是示出了根据本专利技术构思的实施例的半导体封装结构的截面图；
[0035]图19是示出了根据本专利技术构思的实施例的堆叠半导体封装结构的截面图；
[0036]图20是示出了根据本专利技术构思的实施例的堆叠半导体封装结构的截面图；
[0037]图21是示出了根据本专利技术构思的实施例的堆叠半导体封装结构的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：封装基板；半导体芯片，所述半导体芯片位于所述封装基板上并且电连接到所述封装基板；中介基板，所述中介基板位于所述封装基板和所述半导体芯片上方，其中，所述中介基板包括从所述中介基板的下表面向里凹入的腔，其中，至少从俯视图看，所述半导体芯片设置在所述腔内；以及粘合层，所述粘合层设置在所述腔的内部和外部，其中，所述粘合层形成在所述半导体芯片的上表面和侧表面上，或者形成在所述半导体芯片的所述侧表面上。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述粘合层包括裸片附接膜或裸片上膜。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述半导体芯片的上部设置在所述腔中。4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，形成在所述半导体芯片的所述侧表面上的所述粘合层的下表面低于所述半导体芯片的底表面。5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述粘合层延伸成具有自所述半导体芯片的一个侧表面起算的第一宽度和自所述半导体芯片的另一个侧表面起算的第二宽度，所述第二宽度不同于所述第一宽度。6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，形成在所述半导体芯片的所述侧表面上的所述粘合层的下表面具有椭圆形形状。7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，所述半导体封装结构还包括彼此间隔开的多个斑块图案，所述多个斑块图案位于所述腔内并且在位于所述半导体芯片的上表面上的所述粘合层内部。8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述腔被构造为完全地穿过所述中介基板的贯穿类型的腔，其中，所述粘合层填充在所述贯穿类型的腔内。9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中，所述腔被构造为完全地穿过所述中介基板的贯穿类型的腔，其中，所述半导体芯片的上表面暴露于所述半导体封装结构的外部，其中，所述粘合层在所述贯穿类型的腔内形成在所述半导体芯片的所述侧表面上。10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，所述半导体封装结构还包括在所述封装基板的上表面和所述中介基板的所述下表面之间密封所述半导体芯片和所述粘合层二者的模制层。11.根据权利要求1所述的半导体封装结构，所述半导体封装结构还包括：连接凸块，所述连接凸块位于所述封装基板上；以及贯通通路，所述贯通通路形成在所述中介基板内部并且电连接到所述连接凸块。12.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片安装结构，所述半导体芯片安装结构包括封装基板、位于所述封装基板上的半导体芯片以及位于所述封装基板上并围绕所述半导体芯片的下连接凸块；以及中介粘合结构，所述中介粘合结构附接到所述半导体芯片安装结构上，其中，所述中介粘合结构包括：中介基板，所述中介基板具有从所述中介基板的下表面向里凹入并且与所述半导体芯片对应的腔；粘合层，所述粘合层设置在所述腔的内部和外
部并且位于所述半导体芯片的上表面和相对的侧表面上，...
【专利技术属性】
技术研发人员：任忠彬，金知晃，沈钟辅，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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