【技术实现步骤摘要】
一种浮动式晶圆边缘打磨方法及装置
[0001]本专利技术涉及晶圆打磨
,更具体地说,涉及一种浮动式晶圆边缘打磨方法及装置。
技术介绍
[0002]晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆。国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。
[0003]硅棒在切割形成晶圆片时,会在晶圆片边缘形成裂痕和小裂缝,这会导致晶圆片在受到外力的作用下容易产生剥离脱落,会对晶圆表面造成磨损,为此需要对晶圆边缘进行打磨处理,但是一般的打磨方式打磨下来的碎屑无法及时清理,导致碎屑对晶圆表面造成磨损。
[0004]为此,我们提出一种浮动式晶圆边缘打磨方法及装置来有效解决现有技术中所存在的一些问题。
技术实现思路
[0005]1.要解决的技术问题
[0006]针对现有技术中存在的问题,本专利技术的目的在于提供一种浮动式晶圆边缘打磨方法及装置,本方案通过在晶圆片表面喷涂掺有红外 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆的打磨方法,其特征在于:包括以下步骤:S1:工作人员利用切割机将硅棒切割为等厚度的晶圆片(1);S2:工作人员对切割完成后的晶圆片(1)外壁喷涂保护定位层(11),并等待保护定位层(11)干燥;S3:将保护定位层(11)干燥后的晶圆片(1)输送至晶圆打磨装置中,对其边缘进行打磨修正。2.根据权利要求1所述的一种晶圆的打磨方法,其特征在于:所述保护定位层(11)内部掺杂有红外反射颗粒,所述保护定位层(11)采用水溶性凝胶制成。3.一种浮动式晶圆边缘打磨装置,包括上下两端对称设置的固定打磨台(6),其特征在于:所述固定打磨台(6)上端设有溢液打磨桶(7),所述溢液打磨桶(7)包括漫水桶(71),所述漫水桶(71)上端设有溢水打磨环(72),所述漫水桶(71)内侧壁开设有多个渗液孔,所述固定打磨台(6)内部设有与渗液孔连通的进水管,所述溢液打磨桶(7)中间滑动贯穿有夹持锥(8),所述夹持锥(8)包括滑竿(81),所述固定打磨台(6)内部设有与滑竿(81)位置对应电机,所述电机输出端连接于滑竿(81),所述滑竿(81)上端设有限位锥(82),所述限位锥(82)上端中间开设有扫描定位槽(821),所述扫描定位槽(821)内部设有红外扫描模块,所述限位锥(82)上端开设有负压槽(822),所述限位锥(82)内部设有集气腔,所述负压槽(822)内壁开设有多个连通至集气腔内部的吸气孔,所述限位锥(82)内部设有气泵,所述气泵连通于集气腔。4.根据权利要求3所述的一种浮动式晶圆边缘打磨装置,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:李德平,张中良,何丹,
申请(专利权)人:山东润马光能科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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